黄大鹏
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金武器装备预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 低温外延生长应变SiGe材料研究
- 2004年
- 采用紫外光能量辅助化学气相淀积(UVCVD)方法,同时结合超高真空化学气相淀积(UHVCVD)及超低压化学气相淀积(ULPCVD)技术,在450℃低温外延生长了应变SiGe/Si材料。讨论了应变SiGe材料的结晶性及生长速率与生长温度和Ge组分的关系,给出了应变SiGe材料的X射线衍射分析结果。
- 黄大鹏张鹤鸣戴显英胡辉勇
- 关键词：SIGE材料化学气相淀积紫外光超高真空
- 硅锗/硅三维集成电路有源层
- 本实用新型公开了一种硅锗/硅三维集成电路有源层结构，以提高现有三维集成电路的速度。其方案是分别采用单晶Si和SiGe/Si构建新的三维集成电路的两个有源层。其中，第一有源层采用Si SOI或Si衬底制作n型沟道MOS场效...
- 张鹤鸣胡辉勇戴显英舒斌王喜媛朱国良王伟黄大鹏
- 文献传递
- SiGe HBT超自对准结构模拟研究
- 2005年
- 侧墙厚度及悬梁长度是SiGeHBT超自对准器件工艺中的重要结构参数,对器件的寄生效应和结面积有一定的影响,因而也影响器件的电流放大系数β和特征频率ft。在目前的文献中,尚未见到有关SiGeHBT超自对准结构模拟的报道。文章在研究各种超自对准技术的基础上,给出了SiGeHBT超自对准器件的优化结构。利用二维器件模拟软件MEDICI,对该结构中的侧墙及悬梁进行了模拟研究。结果表明,侧墙厚度对器件的频率特性影响较大,而对直流放大倍数β影响较小;悬梁长度在仿真的参数范围内对器件的直流放大特性和特征频率都影响不大。
- 黄大鹏戴显英张鹤鸣王伟吴建伟胡辉勇张静刘道广
- 关键词：自对准侧墙
- SiGe CMOS结构模拟分析
- 2004年
- 提出一种新的SiGe CMOS结构,用Medici软件对该结构进行二维模拟,分析应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组份,d层掺杂浓度以及Si“帽”层厚度等结构参数对SiGe CMOS电学性能的影响。最后,给出该结构组成的反相器传输特性模拟结果。
- 王伟姜涛黄大鹏胡辉勇戴显英张鹤鸣
- 关键词：SIGECMOS反相器集成电路
- 溶胶-凝胶法制备Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5薄膜及GaN MIS结构C-V特性
- 2007年
- 采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管(MISFET)栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和保温时间等工艺参数,解决了原料溶解、粘稠度、浸润度等工艺问题.同时,结合半导体工艺制造出以BZN薄膜为绝缘介质的GaNMIS结构,通过测量到的高频C-V特性曲线,得到薄膜的相对介电常数为91,MIS结构的强反型电压为-3.4V,平带电压为-1.9V.
- 舒斌张鹤鸣王青黄大鹏宣荣喜
- 关键词：溶胶-凝胶
