高忙忙
- 作品数：122 被引量：115H指数：6
- 供职机构：宁夏大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电气工程理学更多>>
- 涂层导体用Ni-7%W合金基带的织构分析被引量：2
- 2009年
- 采用先进的放电等离子烧结技术(SPS)制备Ni7W合金初始坯锭,通过优化高能球磨和烧结工艺以及后续和热处理工艺制备出高度立方织构的Ni7W合金基带。利用电子背散射衍射(EBSD)技术对Ni7W合金基带的晶粒取向、晶界特征等信息进行采集和分析,对其织构进行了表征。该基带无需抛光,即可获得高花样质量的电子背散射衍射图像。EBSD测试结果表明:该Ni7W基带表面10°以内立方织构晶粒质量分数高达99.4%,10°以内晶界长度质量分数为93.6%,具有高质量的立方织构。
- 祝永华索红莉赵跃高忙忙马麟高培阔王建宏周美玲
- 关键词：立方织构涂层导体
- 熔体过热处理对Cu基块状非晶形成能力的影响及块状非晶的DSC研究被引量：6
- 2007年
- 在水冷铜坩埚中采用铜模吸铸法制备出直径为3.0mm的Cu50Zr42Al8合金圆棒,研究了熔体过热处理对铜模吸铸法制备块状非晶合金的影响,表明通过熔体过热处理可以提高块状非晶的形成能力,并且存在一个最佳的过热温度。采用DSC技术对铜基成分为Cu50Zr42Al8块状非晶合金进行变温晶化动力学研究,结果表明,随着升温速率的增大,该合金的热稳定性参数和约化玻璃转变温度(Trg)均增大。
- 寇生中高忙忙李云飞丁雨田许广济
- 关键词：非晶合金
- 利用梯度保温提高合金法提纯多晶硅收率的方法
- 利用梯度保温提高合金法提纯多晶硅收率的方法包括：将铝硅原料按照Al‑50wt%Si进行配比作为提纯原料；通入氩气和氢气的混合气体，氩气与氢气的体积比为100:4；按照7℃/min的速度提高反应炉的温度，直至反应炉中的温度...
- 高忙忙 高昂 强璐 赵旭 祁雪燕梁森李海波
- 文献传递
- 一种涂层超导高W含量Ni－W合金基带的制备方法
- 一种涂层超导高W含量Ni-W合金基带的制备方法属于高温涂层超导强化韧性基带技术领域。本发明拟解决现有Ni-W基带机械强度和磁性不能满足YBCO涂层导体进一步广泛应用的问题。本发明方法包括以下步骤：①高能球磨混和Ni和W粉...
- 索红莉祝永华赵跃马麟刘敏高忙忙程艳玲何东周美龄
- 文献传递
- 磁场结构对Φ300mm直拉单晶硅碳浓度的影响
- 碳是直拉单晶硅中非常重要的有害非金属杂质之一，若晶体生长过程中引入碳，会促进氧沉淀和sic析出相的生成，导致晶体内应力增加，从而影响单晶硅的品质。熔体内的碳杂质主要来源于炉内热场材料在高温时与氧的反应，其在熔体中的分布与...
- 景华玉李进高忙忙
- 关键词：单晶硅洛伦兹力碳浓度
- 加热器/坩埚相对位置对ф200mm单晶硅生长过程中温度场和晶体质量的影响被引量：4
- 2016年
- 采用CGSim晶体生长软件,对现有工业单晶炉中的加热器位置进行优化并分析了其对热场、固液界面、晶体中温度梯度和氧含量的影响。结果表明,随加热器的上移,功率消耗略有降低,熔体内的温度梯度逐渐下降,在高埚位的生长条件下可以适当提升拉晶速率;同时,固液界面也趋于平坦,晶体中的温度梯度有所减少,从而可以有效地抑制缺陷的形成。另外,晶体中的氧含量也有一定程度的下降。可以得出,在晶体等径生长初期,提高加热器的位置是降低晶体生长成本和提升晶体品质的途径之一。
- 高忙忙朱博李进景华玉董法运梁森李海波
- 关键词：单晶硅温度梯度固液界面氧含量
- 一种用于冷轧NiW合金基带EBSD分析的电解抛光方法
- 本发明公开了一种用于冷轧NiW合金基带EBSD分析的电解抛光方法，属于电解抛光技术领域，包括以下步骤：冷轧NiW合金基带表面或截面的机械抛光；将机械抛光好的表面或截面电解抛光，电解液HClO<Sub>4</Sub>、CH...
- 田辉索红莉高忙忙马麟刘敏王毅王营霞袁冬梅邱火勤王金华王建宏
- 一种分级结构金属基复合材料的制备方法
- 本发明专利属于材料加工技术领域，具体涉及一种高强韧分级结构金属基复合材料的制备方法，具体步骤如下：（1）将基体合金粉末经过高能球磨，获得片状金属粉末；（2）将增强体与所得片状金属粉末在分散液中机械搅拌和超声分散混合，过滤...
- 李普博曹博高忙忙杨珮珮李海波梁森李进何力军
- 文献传递
- 水基冷冻干燥工艺制备莫来石结合多孔SiC陶瓷被引量：2
- 2015年
- 以微米级SiC和纳米级α-Al_2O_3为原料,经水基冷冻干燥及原位反应烧结工艺制备莫来石结合多孔SiC陶瓷。XRD分析表明多孔陶瓷主相是α-SiC,结合相是莫来石。多孔陶瓷的孔径分布呈现双峰分布特点,大孔孔径峰值介于3~20μm,小孔孔径峰值为0.5~1μm。体系中SiC固相含量及烧结温度对多孔陶瓷显微结构及性能有显著影响。当SiC固相含量由20vol%增至30vol%时,多孔陶瓷的孔结构由间距为20~30μm、且定向排列的层状结构演变为孔径约为4μm的定向通孔结构。当烧结温度由1200℃升至1500℃时,多孔SiC陶瓷开气孔率由66%下降至64%,抗压缩强度由4.5 MPa升至16 MPa。
- 梁森徐照芸罗民高忙忙梁斌
- 关键词：冷冻干燥法莫来石结合
- 导流筒对200mm直拉单晶硅氧含量的影响研究被引量：3
- 2013年
- 获得高品质、低成本的直拉单晶硅是太阳能发电技术大面积推广应用的关键基础之一。本文采用有限元ANSYS软件模拟直拉单晶硅中液口距(导流筒下沿与液面距离,DSM)和器盖距(导流筒伸入加热器的距离,DSH)对单晶炉内气体流场和热场分布的影响。结果表明,随液口距的减小,气流对熔体液面上方的吹拂能力逐渐加强,有利于SiO的挥发;当液口距小于15 mm时,气流对熔体液面产生了扰动,不利于氧含量的降低。随器盖距的增加,一方面,熔体内轴向温度梯度逐渐减小,降低了坩埚底部的温度;另一方面,坩埚侧壁的温度也逐渐降低,特别是坩埚侧壁与坩埚底部结合处温度的降低,可以减少融入熔体中的氧。最终,将数值模拟的结果应用至拉晶生产中,获得了氧含量为1.10×1018atoms/cm3的大直径(200 mm)太阳能级单晶硅,并使单炉拉晶时间比未优化前缩短了12.7 h。
- 李进杨翠高忙忙庞骏敏周锐张洪岩
- 关键词：氧含量温度梯度
