您的位置: 专家智库 > >

陈慧

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇压强
  • 1篇激子
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇ZNMGO薄...
  • 1篇衬底
  • 1篇ZNMGO

机构

  • 2篇南京大学

作者

  • 2篇顾书林
  • 2篇朱顺明
  • 2篇陈慧

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
N掺杂ZnO中的缺陷与光致发光
2008年
采用金属有机物化学汽相沉淀法(MOCVD)在蓝宝石衬底(0002)上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜,继后在氧气氛中对薄膜进行1000℃快速热退火,重点对退火后样品的发光特性进行变温光致发光谱的研究。低温下,在3.377、3.362、3.332eV附近有三个明显的近紫外发光峰,分别对应自由激子发射(FXA)、施主束缚激子(D0X)和其双电子伴线(TES),随着温度升高,施主热解离,导致D0X峰强下降,而FXA增强,同时DAP峰也向e-A0峰转变。深能级可见光区有台阶状精细结构,被指认为从浅施主及其激发态到锌空位的跃迁及其多级声子峰,并且观察到明显的负热淬灭效应,讨论了其产生原因。
陈慧顾书林朱顺明
关键词:激子
ZnMgO生长中压强和衬底对薄膜性质的影响被引量:2
2011年
利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)生长方法,在2.5kPa和5kPa生长压强下,分别以sapphire(Al_2O_3)和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜。研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质。结果表明,衬底和生长压强对ZnMgO薄膜的生长有重要影响。5kPa高压生长和以ZnO为衬底均有利于ZnMgO薄膜中Mg的掺入。
陈慧顾书林朱顺明
关键词:ZNMGO薄膜衬底
共1页<1>
聚类工具0