连永昌
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
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- 相关领域：电子电信机械工程更多>>
- 应变硅MOS器件辐照特性研究
- 由于应变Si材料的能带可调,载流子迁移率高,生长工艺与当前的硅工艺兼容,因此被应用到当前集成电路的制造工艺中,以提高器件的性能。而集成电路的广泛应用,尤其是在空间环境和核应用环境的广泛应用,使得对应变Si器件的辐照损伤效...
- 连永昌
- 关键词：辐照特性电学性能
- 文献传递
- γ射线总剂量辐照效应对应变Si p型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压与跨导的影响研究被引量：1
- 2014年
- 分析了双轴应变Si p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在γ射线辐照下载流子的微观输运过程,揭示了γ射线的作用机理及器件电学特性随辐照总剂量的演化规律,建立了总剂量辐照条件下的双轴应变Si PMOSFET阈值电压与跨导等电学特性模型,并对其进行了模拟仿真.由仿真结果可知,阈值电压的绝对值会随着辐照总剂量的积累而增加,辐照总剂量较低时阈值电压的变化与总剂量基本呈线性关系,高剂量时趋于饱和;辐照产生的陷阱电荷增加了沟道区载流子之间的碰撞概率,导致了沟道载流子迁移率的退化以及跨导的降低.在此基础上,进行实验验证,测试结果表明实验数据与仿真结果基本相符,为双轴应变Si PMOSFET辐照可靠性的研究和应变集成电路的应用与推广提供了理论依据和实践基础.
- 胡辉勇刘翔宇连永昌张鹤鸣宋建军宣荣喜舒斌
- 关键词：应变SI总剂量辐照阈值电压跨导
- 基于单片机的语音混沌保密通信被引量：1
- 2011年
- 将适用于计算机的Logistic映射混沌加密算法进行改进,使之能够在Atmag16单片机上运行。
- 龚进刘文怡韩惠莲连永昌
- 关键词：LOGISTIC映射
