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赵段力

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇应变量子阱
  • 1篇量子尺寸效应
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇INGAAS...

机构

  • 1篇重庆邮电大学

作者

  • 1篇廖柯
  • 1篇吕坤颐
  • 1篇赵段力

传媒

  • 1篇江西通信科技

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
1064nm应变量子阱的理论设计被引量：1
2009年
根据应变理论及有限深量子阱理论,对确定的In含量的InGaAs材料进行系统的计算,得到激射波长为1064nm激光器的应变量子阱的厚度,并采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长该应变量子阱,实验结果与设计波长基本一致。
赵段力廖柯吕坤颐
关键词：INGAAS/GAAS量子阱量子尺寸效应
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