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董和磊

作品数：66 被引量：0H指数：0
供职机构：天津大学更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 66篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 21篇电极
  • 18篇电容
  • 17篇压控
  • 14篇变容管
  • 13篇介电
  • 12篇电容器
  • 11篇温度系数
  • 11篇溅射
  • 10篇钛酸
  • 10篇介电常数
  • 10篇固相烧结
  • 10篇高介电常数
  • 9篇电容量
  • 9篇陶瓷
  • 9篇金属
  • 9篇金属电极
  • 8篇调谐
  • 8篇钛酸锶
  • 8篇钛酸锶钡
  • 8篇靶材

机构

  • 66篇天津大学

作者

  • 66篇董和磊
  • 66篇李玲霞
  • 63篇许丹
  • 53篇于仕辉
  • 4篇郑浩然
  • 1篇夏往所
  • 1篇宁平凡
  • 1篇张晓宇

年份

  • 2篇2017
  • 13篇2016
  • 10篇2015
  • 35篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
共 66 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法
本发明公开了一种透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法：采用固相烧结法制备Bi<Sub>1.5</Sub>MgNb<Sub>1.5</Sub>O<Sub>7</Sub>靶材，烧成温度为1150～1180℃；再将清洁干燥的氧...
李玲霞于仕辉董和磊许丹金雨馨
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BST/BMN/BST多层复合薄膜的制备方法
本发明的公开了一种BST/BMN/BST多层复合薄膜，通过在两BST薄膜中间增加一层低损耗的BMN介质层从而降低薄膜介电损耗。首先制备钛酸锶钡及铌酸铋镁的前驱体溶胶，再分别将上述前躯体溶胶滴在基片上制备相应的薄膜，再于5...
李玲霞董和磊于仕辉金雨馨许丹
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一种全透型薄膜压控变容管及其制备方法
本发明公开了一种全透型薄膜压控变容管及其制备方法，在玻璃衬底(1)上依次设置有ITO薄膜(2)、BST薄膜(3)和ITO电极(4)；所述ITO薄膜(2)的化学式为Sn<Sub>x</Sub>In<Sub>1-x</Sub...
李玲霞于仕辉董和磊许丹金雨馨
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一种水溶性含铌化合物的制备方法
本发明公开了一种水溶性含铌化合物的制备方法，先将五氧化二铌加入氢氟酸中，其摩尔比为1:10，水浴加热至其全部溶解，再向其中加入氨水，生成铌酸沉淀，再经抽滤、洗涤去除F<Sup>-</Sup>与NH<Sub>4</Sub>...
李玲霞董和磊于仕辉金雨馨许丹
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一种金电极的制备方法
本发明公开了一种金电极的制备方法，首先清洗基片及光刻显影，再将显影后的基片放入多靶共溅磁控溅射腔体中，分别装上金属铬与金靶材；在真空度&lt;1.0×10<Sup>-3</Sup>Pa条件下，首先溅射沉积铬层厚度为5nm...
李玲霞于仕辉许丹董和磊金雨馨
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一种具有较厚Au电极的制备方法
本发明公开了一种具有较厚Au电极的制备方法，电极结构为Ti/TiAu/Au，先将显影后的基片放入多靶共溅磁控溅射腔体中，装上Ti和Au靶材；然后对Ti靶材进行溅射，再同时对Ti和Au靶材进行溅射，再对Au靶材进行单独溅射...
李玲霞于仕辉许丹董和磊金雨馨
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共面插指电极结构的介质压控微波变容管及其制作方法
本发明公开了一种共面插指电极结构的介质压控微波变容管，在基底的上面依次设置有介质薄膜和插指电极；所述插指电极为Au、Pt或者Al金属制备而成；所述介质薄膜为(Ba<Sub>x</Sub>Sr<Sub>1-x</Sub>)...
李玲霞董和磊于仕辉金雨馨许丹
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一种透明压控薄膜变容管及其制备方法
本发明公开了一种透明压控薄膜变容管的制备方法，首先采用固相烧结法于1000～1150℃烧制Bi<Sub>1.5</Sub>Zn<Sub>1.0</Sub>Nb<Sub>1.5</Sub>O<Sub>7</Sub>靶材；利...
李玲霞于仕辉董和磊许丹金雨馨
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一种具有高调谐率铋基薄膜的制备方法
本发明公开了一种具有高调谐率铋基薄膜的制备方法：首先清洗衬底基片，再于衬底基片上制得铌酸锌铋诱导层，再于650℃‑750℃进行退火处理；再于具有铌酸锌铋诱导层的衬底基片上沉积制备铌酸镁铋薄膜层，最后再于750℃退火处理，...
李玲霞许丹于士辉董和磊金雨馨
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一种低温烧结温度稳定型高频介质陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种低温烧结高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷材料，其化学式为Bi<Sub>1.5</Sub>NiNb<Sub>1.5</Sub>O<Sub>7</Sub>‐Bi<Sub>2</Sub>Zn<Sub>2/3</...
李玲霞金雨馨董和磊于仕辉许丹
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