王少华
- 作品数：16 被引量：4H指数：2
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 片上CMOS数控LC振荡器
- 本发明属于无线通信系统收发机芯片设计技术领域，其特征在于：采用由工艺-电压-温度较准模式和锁定模式构成的双模递进的工作方式来逐级得到指定的输出振荡频率；在较准模式中，采用数字信号控制的MIM开关电容阵列在较宽范围内进行频...
- 王少华杨华中
- 文献传递
- 使用背靠背MOS变容管的低噪声全数控LC振荡器被引量：2
- 2008年
- 为了解决全数控电感电容振荡器(fully digitallycontrolled inductor-capacitor oscillator,DCO)大信号工作时所引起的数控变容管的非线性问题,在对该种非线性进行分析的基础上,提出一种背靠背串联数控金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor,MOS)变容管。该结构通过将两支MOS变容管反方向串联,有效改善了非线性,从而降低了DCO的相位噪声。在中芯国际0.18μm互补MOS工艺下设计了采用背靠背串联数控MOS变容管的DCO。仿真结果表明:当该DCO振荡在3.4 GHz的中心频率时,在1.2 MHz频偏处的相位噪声为-129.4 dBc/Hz,与使用普通数控MOS变容管的DCO相比,其相位噪声最多可改善8.1 dB。
- 王少华于光明刘勇攀杨华中
- 关键词：电感电容振荡器变容管
- 一个应用于PHS系统的低噪声低功耗全数控LC振荡器
- 2007年
- 针对PHS通信系统,综合采用了反型数控MOS变容管、数控MOS变容管单元矩阵、动态元素匹配、流水线MASHΣΔ调制器等多项旨在提高新型全数控LC振荡器(DCO)性能的电路技术,在SMIC0.18μmCMOS工艺下设计了一种低噪声低功耗的DCO.经测试得到,该DCO的中心振荡频率为3.1GHz,频率调节范围为120MHz,电源电压为1.8V,电流为2.8mA.当振荡在3.1GHz时,该DCO输出信号在100kHz与1.2MHz频偏处的相位噪声分别为-102.3和-122.6dBc/Hz.测试结果表明,该DCO与国际上DCO设计的最新水平相比,在相位噪声与功耗等方面具有较高的优势.
- 王少华于光明刘勇攀杨华中
- 关键词：CMOS集成电路相位噪声
- 全数控CMOS LC振荡器的研究与设计
- 随着当前的集成电路设计进入深亚微米和片上集成系统(SoC)阶段,传统的射频电路设计正在面临越来越大的困难,数字射频是解决这一问题的新思路。最近几年才开始出现的全数控LC振荡器(DCO),正是将数字射频思想应用于射频电路设...
- 王少华
- 关键词：变容管SIGMA-DELTA调制相位噪声杂散
- 文献传递
- 高新技术企业创业过程实例分析
- 王少华
- 关键词：创业商业模式融资战略
- 片上CMOS数控互补型低噪声LC振荡器
- 本发明属于无线通信系统收发机芯片设计技术领域，其特征在于：采用数字控制的新颖的互补型MOS变容管对来构成数控LC振荡器，从而减小振荡器的相位噪声和杂散，同时提高振荡器的调频精度，相比于已有方法，本发明所提出的方法能够有效...
- 王少华杨华中
- 文献传递
- 中国高等工程教育专业认证组织机构设计
- 王少华
- 关键词：工程教育
- 片上CMOS数控互补型低噪声LC振荡器
- 本发明属于无线通信系统收发机芯片设计技术领域，其特征在于：采用数字控制的新颖的互补型MOS变容管对来构成数控LC振荡器，从而减小振荡器的相位噪声和杂散，同时提高振荡器的调频精度，相比于已有方法，本发明所提出的方法能够有效...
- 王少华杨华中于光明
- 文献传递
- 应力场强法及其材料疲劳曲线测定规范的研究
- 王少华
- 疲劳表面损伤和疲劳可靠性计算方法研究
- 王少华
- 关键词：可靠性
