孙明霞
- 作品数：6 被引量：18H指数：3
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术自然科学总论理学电气工程更多>>
- c轴择优取向ZnO薄膜RF溅射工艺研究被引量：1
- 2007年
- 通过射频磁控溅射在Si(100)基片上制备了ZnO薄膜,该文着重研究了磁控溅射中各生长参数如衬底温度、氧分压及后处理工艺等因素对氧化锌薄膜结晶性能、表面形貌、择优取向与微结构的影响,并对溅射工艺与取向、结构的关系进行了分析比较,从而确定了最佳溅射及后处理条件并获得了c轴择优取向的ZnO薄膜。
- 陈祝张树人杜善义杨成韬陈富贵董加和孙明霞
- 关键词：氧化锌薄膜磁控溅射氧分压
- ZnO陶瓷靶制备及其薄膜RF溅射工艺研究被引量：7
- 2006年
- 利用固相反应制备了直径为70mm,厚度为10-15mm高质量掺杂Li2CO2的ZnO陶瓷靶材,实验了不同摩尔浓度的Li+掺杂对靶材性能的影响,确定了最佳Li+掺杂量为2．2mol％,同时通过在不同温度烧结实验、不同成型压力实验确定了ZnO靶材制备的最佳工艺,并采用所制备的ZnO-Li2.2％陶瓷靶和RF(射频磁控)技术在Si(100)、玻璃(载玻片)、及Pt(111)／Ti／SiO2／Si(100)基片上制备出高度c轴(002)择优取向的ZnO薄膜,其绝缘电阻率ρ为4．12×108Ω·cm,达到了声表面波器件(SAW)的使用要求．
- 陈祝张树人杜善义杨成韬郑泽渔李波孙明霞
- 关键词：氧化锌薄膜射频磁控溅射
- ZnO掺杂Li^+陶瓷靶及溅射膜制备工艺研究被引量：6
- 2006年
- 利用固相反应成功地制备了直径为70mm,厚度为10~15mm的掺杂Li离子ZnO陶瓷靶材。研究了不同摩尔浓度的Li离子掺杂靶材,并对其绝缘电阻与损耗进行了分析比较,最终确定Li离子的最佳掺杂量为2.2l%(摩尔分数)。同时通过在不同温度烧结试验、不同成型压力试验确定了ZnO靶材制备的最佳工艺,并通过所制备的ZnO-Li0.022陶瓷靶,采用RF射频磁控溅射技术在Si(100)、玻璃(载玻片)、及Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备出高度c轴(002)择优取向、均匀、致密的ZnO薄膜。
- 陈祝张树人杜善义杨成韬孙明霞郑泽渔李波董加和
- 关键词：氧化锌薄膜射频磁控溅射
- PLT热释电薄膜材料的研究
- 镧钛酸铅/(PLT/)铁电薄膜具有优良的热释电性、铁电性、压电性和光电性等,在热释电红外探测器、动态随机存储器/(DRAM/)和电光器件等方面有着广泛的应用前景。本论文主要针对热释电探测器用PLT铁电薄膜,研究了PLT薄...
- 孙明霞
- 关键词：射频磁控溅射快速退火热释电
- 文献传递
- 循环间歇溅射工艺对PLT薄膜性能的影响
- 2006年
- 采用射频磁控溅射技术利用循环间歇溅射工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了镧钛酸铅(PLT)薄膜。通过原子力显微镜、X-射线衍射仪分析了循环间歇溅射工艺对薄膜形貌、结构和铁电性能的影响。实验结果表明,相比于连续溅射工艺,循环间歇溅射工艺的基片温度较低,且制得的PLT薄膜晶粒细小、均匀,结构致密。薄膜具有纯钙钛矿型结构,循环次数从1次增加到3次,其(100)和(200)峰衍射强度逐渐增强,结晶性提高,铁电性能逐渐增强,其饱和极化强度由28μC/cm2增大到53μC/cm2,剩余极化强度由5μC/cm2增大到12μC/cm2。循环4次溅射后,薄膜的结晶性和铁电性开始下降。
- 孙明霞钟朝位张树人张万里陈祝郑泽渔
- 关键词：射频磁控溅射铁电性能
- 射频磁控溅射制备声表面波器件用ZnO薄膜被引量：4
- 2007年
- 研究了采用射频磁控溅射法在SiO2/Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比(V(O2)/V(Ar))及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响。利用X-射线衍射(XRD)和扫描力显微镜(AFM)对薄膜进行结构性能分析,表明其结构性能随工艺参数变化的规律。利用优化的工艺条件:射频功率60 W、V(O2)/V(Ar)为0.55和衬底温度350℃,在DLC/Si衬底上制备了ZnO薄膜,制作加工成声表面波滤波器件,测试分析了频率响应特性,中心频率为596.5 MHz。
- 郑泽渔张树人杨成韬钟朝位董加和孙明霞刘敬松
- 关键词：射频磁控溅射氧化锌薄膜衬底温度声表面波器件
