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魏红军

作品数：3 被引量：16H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所更多>>
相关领域：化学工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇TSV
  • 2篇铜
  • 1篇电镀
  • 1篇镀铜
  • 1篇制程
  • 1篇添加剂
  • 1篇通孔
  • 1篇技术及发展
  • 1篇封装
  • 1篇硅
  • 1篇3D封装

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇魏红军
  • 1篇段晋胜

传媒

  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 2篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于多种添加剂的TSV镀铜工艺研究被引量：7
2014年
穿透硅通孔技术(TSV)是3D集成电路中芯片实现互连的一种新的技术解决方案,是半导体集成电路产业迈向3D封装时代的关键技术。在TSV制作主要工艺流程中,电镀铜填充是其中重要的一环。基于COMSOL Multiphysics平台,建立了考虑加速剂和抑制剂作用的硅通孔电镀铜仿真模型,仿真研究得到了基于硫酸铜工艺的最优电镀药水配方,并实验验证了该配方的准确性。
魏红军师开鹏
关键词：TSV电镀3D封装
TSV制程关键工艺设备技术及发展被引量：11
2014年
论述了TSV技术发展面临的设备问题,并重点介绍了深硅刻蚀、CVD/PVD沉积、电镀铜填充、晶圆减薄、晶圆键合等几种制约我国TSV技术发展的关键设备。
魏红军段晋胜
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共1页<1>
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