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魏星

作品数：67 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 52篇专利
  • 13篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 15篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 11篇单晶
  • 11篇衬底
  • 10篇半导体
  • 9篇晶体
  • 9篇绝缘体上硅
  • 8篇单晶硅
  • 8篇晶格
  • 8篇超晶格
  • 7篇退火
  • 7篇绝缘层
  • 7篇光刻
  • 6篇应变SI
  • 6篇纳米
  • 6篇绝缘
  • 6篇键合
  • 6篇光刻胶
  • 6篇硅晶
  • 6篇弛豫
  • 5篇热屏
  • 5篇半导体工艺

机构

  • 67篇中国科学院
  • 12篇上海新昇半导...
  • 5篇上海新傲科技...
  • 3篇上海工程技术...
  • 3篇中国科学院研...
  • 3篇中国科学院大...
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇山东大学

作者

  • 67篇魏星
  • 34篇薛忠营
  • 29篇张苗
  • 21篇狄增峰
  • 13篇王曦
  • 10篇武爱民
  • 10篇张波
  • 8篇陈静
  • 8篇陈达
  • 6篇姜海涛
  • 6篇汪子文
  • 5篇陈龙
  • 4篇王刚
  • 4篇母志强
  • 3篇俞文杰
  • 2篇平云霞
  • 2篇陈猛
  • 2篇卞建涛
  • 2篇郭庆磊
  • 2篇黄晓橹

传媒

  • 3篇物理学报
  • 3篇功能材料与器...
  • 2篇微纳电子与智...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇科学通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料
  • 1篇科技创新导报
  • 1篇2010上海...

年份

  • 6篇2025
  • 1篇2024
  • 5篇2023
  • 10篇2022
  • 4篇2021
  • 4篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 6篇2015
  • 1篇2014
  • 10篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2008
共 67 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
微结构保角性转移方法
本发明提供一种微结构保角性转移方法，至少包括以下步骤：提供一自下而上依次为底层硅、埋氧层及顶层X纳米薄膜的XOI衬底，在所述顶层X纳米薄膜上涂覆哑铃状的光刻胶作为掩膜，进行刻蚀得到哑铃状的微结构；然后利用氢氟酸溶液或者B...
狄增峰郭庆磊张苗魏星薛忠营母志强戴佳赟
文献传递
一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法
本发明公开了一种SOI电路中的ESD保护结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底以及位于SOI衬底上的栅控二极管ESD保护器件，其中，所述栅控二极管ESD保护器件包括：正极、负极、沟道、栅介质层和栅极；所述正极和负极分别位...
黄晓橹魏星程新红陈静张苗王曦
文献传递
面向高可靠系统应用的130nm SOI一站式平台
SOI技术具有速度快、功耗低、耐高温、抗辐射等特点,在逻辑、射频、功率、传感器、光电集成、新型存储器等领域有着广泛应用,具有独特的系统集成优势。中科院上海微系统所在30多年SOI技术的研究基础上,与国内多家单位合作,建立...
董业民陈静魏星常永伟胡志远单毅
关键词：SOI抗辐射高可靠微系统光电集成
一种绝缘体上硅结构及其制备方法
本发明涉及一种绝缘体上硅结构及其制备方法，包括衬底；所述衬底自下而上依次设置有不同孔隙率的多孔硅结构、氧化层、顶层硅层。制备方法包括如下步骤：(1)提供两片衬底，分别为第一衬底和第二衬底；(2)对第一衬底进行阳极氧化，通...
魏星戴荣旺薛忠营
一种可控石墨烯阵列的制备方法
本发明提供一种可控石墨烯阵列的制备方法，采用晶向相同的两硅衬底进行小角度键合形成方形网格状的螺旋位错，由于位错引起硅表面应力分布不均，利用应力选择性腐蚀，对位错线影响的垂向对应的区域进行刻蚀，形成正方形网格状的图形化硅岛...
狄增峰陈龙王刚魏星张苗王曦
文献传递
一种表征硅晶体中缺陷的方法
本申请公开了一种表征硅晶体中缺陷的方法，所述方法包括：对硅晶体的表面进行蚀刻，以去除目标厚度的硅晶体；对蚀刻后的所述硅晶体的水平表面进行光散射扫描，以得到所述水平表面的光散射颗粒扫描图、缺陷的光散射等效尺寸以及缺陷体密度...
魏星刘赟薛忠营
文献传递
四周环绕栅极鳍栅晶体管及其制作方法
一种四周环绕栅极鳍栅晶体管器件，包括：衬底；于衬底表面依次设置的绝缘层与半导体层，所述绝缘层靠近半导体层的表面具有一凹陷，所述半导体层包括位于凹陷处上方的悬空部分；栅介质层，所述栅介质层环绕半导体层位于凹槽上方的悬空部分...
王曦魏星
文献传递
300 mm硅片技术发展趋势探讨
2022年
单晶硅片是半导体行业最重要的衬底材料,广泛应用于逻辑电路、存储器、射频器件与功率器件等电子器件。集成电路制造技术随摩尔定律的不断发展,半导体器件对硅片几何形貌与品质提出了越来越高的要求。本文梳理了硅片发展的历史,并对新一代450 mm硅片发展前景及困难进行分析。针对每种器件应用场景,本文从晶体生长、掺杂、热处理等方面对提高硅片性能要求的技术发展进行了简要阐述与分析。最后,简单介绍了上海硅产业集团在300 mm硅片制造技术方面的研发进展。
刘赟薛忠营魏星魏星
关键词：单晶硅
带移动保温的单晶生长设备及单晶生长方法
本发明提供一种带移动保温的单晶生长设备及方法。设备包括炉体、坩埚、侧加热器、底加热器、导流筒、水冷套、坩埚支撑装置、侧保温层、底保温层及保温层移动装置；侧加热器位于坩埚的周向外侧，底加热器位于坩埚的底部，导流筒自坩埚的外...
陈松松张楠薛忠营魏星
文献传递
一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法
本发明涉及一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法，本发明控制硅片中的氧含量与电阻率匹配，实现完成器件制造后硅衬底导电类型不发生转变，且具有高的电阻率；可定氧含量改变掺杂量或定电阻率改变氧含量或两者同时改变，灵活操作...
魏星 李名浩 戴荣旺汪子文薛忠营
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