邓薰南 作品数:19 被引量:19 H指数:3 供职机构: 上海大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家重点实验室开放基金 中国科学院科学基金 更多>> 相关领域: 理学 电子电信 电气工程 化学工程 更多>>
AgInSe_2薄膜的电沉积及其上的光电化学振荡行为 被引量:2 1996年 采用电沉积方法得到了AgInSe_2薄膜,并研究了它的一些光电性质.发现在其上阴极还原H_2O_2时会产生周期性的电化学振荡现象,且该振荡行为有效地受外界斩光频率控制,这将可能发展成为光电传感器. 徐群杰 邓薰南关键词:电沉积 光电性能 电化学振荡 铟 FeCl_3对单晶n-CdTe光电极的修饰作用 1990年 运用FeCl_3修饰单晶n-CdTe光电极,使电池效率提高到14.3%.借助X射线光电子能谱和俄歇电子能谱对电极表面组成与结构变化进行了检测.测量了光谱响应曲线,电容电压曲线,以及交流阻抗谱,对被修饰电极的光电化学与电化学性能进行了考查,观察到在电极/溶液界面有费米能级“钉扎”现象.此外,对FeCl_3的修饰作用作了初步的解释. 范钦柏 杨军 邓薰南关键词:光电池 FECL3 电极 电沉积银铟硒薄膜的(光)电化学特性研究 被引量:1 1999年 A photoelectrochemical cell(PEC) is constructed,using an AgInSe 2 film photoanode made from electrodeposition and a platinium electrode in aqueous polyiodide or polysufide electrolyte. The V oc and I sc of PEC have been tested and measured, and the effect of chemical decoration on the photoanodes also studied. 谢少艾 邓薰南 尤金跨关键词:电沉积 光电化学 镍、铅、LB膜对n-Si光电极的修饰 1993年 本文研究了金属(镍、铅)与Langmuir-Blodgett膜对n-Si电极光电化学行为的影响,观察到镍与铅能增强该电极的能量转换效率与稳定性,测定和讨论了八种有机物制得的LB膜对n-Si/Ni电极的修饰作用,最佳的长链香豆素LB膜使其效率倍增,还研究了具有MIS器件结构的Si/LB/Al电极的光电化学行为,发现它具有良好的光电效应。 邓薰南 印建华 范钦柏 沈增德 梁培辉 张伟清关键词:LB膜 单晶硅 光电化学 镍 电沉积银铟硒薄膜的光电化学特性研究 被引量:2 2000年 在钛片上用电沉积方法制得银铟硒薄膜 ,测试了银铟硒薄膜在多硫、多碘等氧化还原偶介电质中与铂电极 (或石墨电极 )构成的PEC电池的开路光电压和短路光电流 。 谢少艾 邓薰南 尤金跨关键词:电沉积 光电化学 光电效应 电沉积Cu_(2x)In_(2-2x)Se_2薄膜的光电化学研究 被引量:2 1994年 用电沉积法制得Cu_(2x)In_(2-2x)Se_2(铜铟硒)(0<x<1)薄膜 ̄[1]并用EDAX对其组成进行分析.对薄膜电极的光电化学性能、光谱响应、能隙与x的依赖关系进行了研究.借助于现场微区扫描光电流谱观察了热处理、薄膜厚度、光极化对薄膜电极的光电性能影响.研究了Pb(NO_3)_2有效的浸渍对薄膜光电性能的影响. 陈鸣波 邓薰南 尤金跨关键词:光电材料 电沉积 光电化学 交流电方法用于单晶n-CdTe光电极性能的研究 1990年 本文应用循环伏安法研究了n型碲化镉单晶电极的光致腐蚀行为;并运用PAR M368电化学阻抗系统测得了此电极在不同电位下的交流复阻抗图,估算了此电极的表面态密度及其它参数。实验结果表明,n-CdTe/液体结具有Schottky结的特征,此电极的Fermi能级可能有“钉扎”现象。 范钦柏 邓薰南关键词:碲化镉 半导体材料 电沉积Pt微岛对单晶n-Si光阳极行为的影响 1990年 用电沉积法在n-Si单晶表面上制得微细的不连续Pt岛,测得最佳的电沉积条件与最适当的氧化还原偶。在63mW/cm^2白光照射下,I_(sc)为21mA/cm^2,V_(oc)为0.57伏,转换效率达12.1%。 用SEM、XPS及AES测量n-Si/Pt电极表面。对实验结果进行了详细讨论。 范宏斌 范钦柏 邓薰南关键词:电沉积 单晶 阳极 动态阻(容)抗法研究Cl-对银铟硒上电化学振荡的影响 被引量:3 1995年 采用现场动态阻(容)抗法测试技术,研究在不同支持电解质溶液中,过氧化氢在电沉积银铟硒电极上阴极还原过程的电化学振荡行为,振荡前后,电极的表面组成亦由AES能谱测得。根据实验结果,详细讨论了氯离子对此电化学振荡机理的影响。 谢少艾 邓薰南 尤金跨关键词:电化学振荡 银 铟 硒 电沉积CuInSe_2上H_2O_2阴极还原时的电化学振荡行为 被引量:6 1995年 用电沉积方法得到的CuInSe_2薄膜在阴极还原H_2O_2时发现了周期性的电化学振荡现象,并研究了极化电位对该振荡行为的影响.循环伏安测试表明电流一电势曲线中存在“电流波”,电流突变区域具有负斜率性质.用交流阻抗法研究了振荡体系的阻抗变化,发现在振荡电势区域体系存在负电阻和电感成分,这反映出振荡机理中可能存在吸附中间物和自催化反应. 徐群杰 邓薰南关键词:电化学振荡 阴极还原 过氧化氢 铟 硒