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王天宇

作品数：126 被引量：47H指数：3
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 120篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 23篇电子电信
  • 14篇自动化与计算...
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇轻工技术与工...
  • 4篇生物学
  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇文化科学
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇农业科学
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 47篇电极
  • 29篇突触
  • 25篇底电极
  • 25篇铁电
  • 19篇神经突触
  • 18篇铪
  • 15篇光电
  • 14篇存储器
  • 12篇退火
  • 12篇背栅
  • 11篇晶体管
  • 11篇衬底
  • 10篇隧穿
  • 10篇热退火
  • 10篇快速热退火
  • 10篇光电响应
  • 10篇半导体
  • 9篇透明电极
  • 9篇感器
  • 8篇图像

机构

  • 126篇复旦大学
  • 2篇华东师范大学

作者

  • 126篇王天宇
  • 118篇陈琳
  • 118篇张卫
  • 118篇孙清清
  • 4篇王金秋
  • 2篇成功
  • 1篇薛向阳
  • 1篇甘华臣
  • 1篇於燕斌
  • 1篇石椿
  • 1篇张饮江
  • 1篇吴建平
  • 1篇唐仕敏
  • 1篇林隽姬
  • 1篇王昌燮
  • 1篇潘连德
  • 1篇管忠勤
  • 1篇吴健平
  • 1篇周叶平

传媒

  • 2篇复旦学报（自...
  • 1篇湖泊科学

年份

  • 13篇2025
  • 12篇2024
  • 10篇2023
  • 62篇2022
  • 11篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 6篇2018
  • 1篇2014
  • 1篇2008
  • 3篇2004
  • 1篇2003
共 126 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种全透明的防水柔性有机忆阻器及其制备方法
本发明公开一种全透明的防水柔性有机忆阻器件及其制备方法。该全透明的防水柔性有机忆阻器件，包括：柔性衬底；底层电极，形成在柔性衬底上；经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层，形成在底层电极上；顶层电极，相互隔离分布在P...
陈琳孟佳琳王天宇何振宇孙清清张卫
文献传递
一种柔性可重构神经元器件及其制备方法
本发明公开一种柔性可重构神经元器件及其制备方法。该柔性可重构神经元器件包括：柔性衬底；底层电极，其为惰性金属，形成在所述柔性衬底上；二维半导体纳米片层，形成在所述底层电极上；高k铪基氧化物介质层，形成在所述二维半导体纳米...
王天宇孟佳琳陈琳孙清清张卫
一种铁电3D堆叠环栅晶体管的制备方法
本发明公开一种铁电3D堆叠环栅晶体管的制备方法，包括以下步骤：在衬底上外延生长多重第一Si层/沟道材料层/第二Si层叠层结构，且在各重第一Si层/沟道材料层/第二Si层叠层结构间形成隔离层；对所述第一Si层/沟道材料层/...
陈琳 李振海王天宇 孟佳琳孙清清张卫
一种二维/零维混合结构的人工异质突触器件及制备方法
本发明公开一种二维/零维混合结构的人工异质突触器件及制备方法。该人工异质突触器件包括：柔性衬底；背栅电极，形成在柔性衬底上；隧穿层，形成在背栅电极上；电荷俘获层，其为零维量子点，具有电荷俘获功能，形成在隧穿层上；阻挡层，...
陈琳孟佳琳王天宇孙清清张卫
文献传递
一种基于ZrO<Sub>2</Sub>反铁电性的多比特存储场效应晶体管制备方法
本发明公开一种基于ZrO<Sub>2</Sub>反铁电性的多比特存储场效应晶体管制备方法。包括以下步骤：在Si衬底上沉积SiO<Sub>2</Sub>层，并对SiO<Sub>2</Sub>层进行光刻、刻蚀露出衬底形成栅极...
陈琳 李振海 孟佳琳王天宇孙清清张卫
一种太赫兹神经突触忆阻器件及其制备方法
本发明公开一种太赫兹神经突触忆阻器件及其制备方法。该太赫兹神经突触忆阻器件包括：衬底；有源区，形成在所述衬底上；两个电极，其为叉指状，包括测试部和指状部，两个电极的测试部分别形成在所述有源区两侧，指状部以一定间隔交错排列...
王天宇孟佳琳何振宇陈琳孙清清张卫
一种高耐久性柔性神经形态器件及其制备方法
本发明公开一种高耐久性柔性神经形态器件及其制备方法。该高耐久性柔性神经形态器件包括：栅极织物，源极织物和漏极织物，其中，所述源极织物和所述漏极织物相互扭转缠绕，且所述栅极织物以螺旋方式缠绕在所述相互扭转缠绕的源极织物和漏...
王天宇孟佳琳陈琳孙清清张卫
一种柔性反铁电神经形态晶体管及其制备方法
本发明公开一种柔性反铁电神经形态晶体管及其制备方法。该柔性反铁电神经形态晶体管包括：柔性衬底；栅电极薄膜，形成在所述柔性衬底上；过渡层，其为高k介质材料，形成在所述栅电极薄膜上；反铁电性功能薄膜叠层，由多重铪基铁电薄膜和...
孟佳琳王天宇李振海陈琳孙清清张卫
一种全局栅和局域栅协同调控的神经突触器件及其制备方法
本发明公开一种全局栅和局域栅协同调控的神经突触器件及其制备方法。该全局栅和局域栅协同调控的神经突触器件，包括：衬底；背栅电极，形成在所述衬底上，铺满整个衬底，作为全局栅；背栅介质层，形成在所述背栅电极上；沟道层，其为二维...
孟佳琳王天宇陈琳孙清清张卫
一种三维集成多功能忆阻器及其制备方法
本发明公开一种兼容CMOS传统工艺和材料的三维集成多功能忆阻器，包括：硅衬底；循环生长的多层金属层/层间介质层叠层，其两侧形成有通孔；功能层，形成在所述通孔的底部和侧壁；顶电极，填充所述通孔。
陈琳何振宇孟佳琳王天宇孙清清张卫
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