- GaAs Ti/Pt/Au栅PHEMT单片集成电路耐氢能力的提升被引量：2
- 2019年
- 为提高GaAs Au/Pt/Ti栅PHEMT MMIC放大器耐氢气的能力,提出了在PHEMT栅上加厚Si N钝化层的方法,并通过高温加速氢气试验验证了该方法的有效性。耗尽型D管的钝化层由150 nm加厚到300 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间由原来的14000×10-6、40 h提升到30000×10-6、110 h (电流还未出现明显下降),耐氢能力得到了明显提升。为了维护管子的微波性能,增强型E管采用多层Si N钝化,总厚度加厚到600 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间可达到20000×10-6、115 h (电流还未出现明显下降),满足实际应用要求。
- 彭龙新彭龙新王朝旭林罡林罡徐波
- 关键词：微波单片集成电路
- 基于NEDI砷化镓肖特基二极管的D波段和G波段倍频源被引量：5
- 2014年
- 基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工艺线，通过分析器件的有源层（缓冲层、外延层）材料掺杂浓度和厚度、肖特基接触面积等，综合优化二极管性能，研制出了截止频率为3.2THz的太赫兹变阻二极管.基于该二极管，通过建立其三维场结构，采用电磁场和电路仿真软件相结合的方法，一体化设计匹配电路和器件，研制出了D波段和G波段倍频源.D波段二倍频器在152.6GHz测得最高倍频效率为2.7%，在147.4～155GHz效率典型值为1.3%.G波段二倍频器在172GHz测得最高倍频效率为 2.1%，在150～200GHz效率典型值为1.0%.
- 姚常飞周明罗运生林罡李姣许从海寇亚男吴刚王继财
- 关键词：太赫兹倍频器
- 电子束蒸发速率对Ti/GaAs肖特基势垒特性的影响被引量：3
- 2015年
- 通过在不同的速率下蒸发相同厚度的Ti金属薄膜,研究电子束蒸发速率对Ti膜表面形貌和性能的影响。试验表明随着Ti蒸发速率的提高,薄膜表面没有明显差别,但薄膜的结构变得致密,相同厚度下金属薄膜方阻变小,Ti金属间结合更紧密。同时在研究中发现不同速率蒸发的Ti膜能在一定范围内影响GaAs器件势垒高度,可以在同等条件下通过Ti蒸发速率调整来获得合适的肖特基势垒,因此Ti蒸发速率是制作GaAs器件肖特基势垒的关键因素之一。
- 邹鹏辉黄念宁王彦硕高建峰林罡徐筱乐
- 关键词：电子束蒸发肖特基势垒
- 高工作电压GaAs HFET
- 2019年
- 通过对结构和性能的分析与优化,设计并研制了不同场板和宽槽条件下的高工作电压GaAs HFET器件。直流和射频测试结果表明:提升场板长度和宽槽宽度可以有效提高器件的工作电压。器件在南京电子器件研究所流片,最终制备出的器件性能为:击穿电压大于84 V,在20 V工作电压下截止频率为9 GHz,3 GHz时功率增益为15.87 dB、功率附加效率为53%。
- 陈正廉林罡
- 关键词：场板工作电压
- 干法栅挖槽GaAs HFET功率管
- 介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时GaAs表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷,采用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺,从而实现了肖特基接触能稳定可靠地进行沟道控制,消除了两侧表面缺陷因热电子效应对沟道的影响。该工艺采用ICP刻蚀挖...
- 栗锐王义林罡陈堂胜
- 关键词：干法刻蚀功率管
- 文献传递
- f_T=11THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管
- 2019年
- 南京电子器件研究所突破了T型阳极肖特基接触工艺、低势垒器件钝化保护、大长宽比阳极空气桥制备等关键技术,实现了截止频率fT达11 THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管研制,如图1所示。表1列出了不同工艺的太赫兹检波二极管核心参数对比,本文报道的阳极直径1μm的InGaAs SBD势垒高度仅为0.15 V。由零偏结电容及总电容推算的器件截止频率达11.0 THz/7.7 THz。
- 牛斌范道雨代鲲鹏林罡王维波陈堂胜
- 关键词：检波二极管结电容太赫兹空气桥势垒高度INGAAS
- 失配状态对GaN HEMT器件性能影响的研究被引量：1
- 2021年
- 失配状态会使GaN HEMT器件的输出功率、效率等偏离设计的额定值,通过EMMI和红外测试系统验证了失配状态对GaN HEMT器件性能的影响。结果表明,EMMI发光强度和器件的最高结温与器件输出功率的变化趋势相反,输出功率越大,EMMI发光强度越弱,器件的最高结温越小。进一步测试器件内部左、中、右三个位置的最高结温分布,器件不同位置的最高结温分布受匹配状态、相位、输出功率等影响较大。在不同占空比工作条件下,器件内部不同位置的最高结温分布各不相同,且温升差异更大。
- 邵国键陈正廉林罡张茗川王云燕刘柱陈韬
- 关键词：失配电致发光温升
- T形阳极太赫兹GaAs肖特基二极管的设计与制备被引量：3
- 2018年
- 通过对平面形太赫兹肖特基二极管的结构与寄生参数的分析优化,设计并研制了适用于太赫兹频段的不同阳极直径的管芯。管芯为小尺寸设计,采用双层胶电子束直写技术制作T形阳极,阳极剥离后采用100nm的SiO_2介质进行钝化保护,比传统工艺约500nm的SiO_2介质大幅降低,有效降低了器件寄生电容,研制出截止频率f_T(C_(j0))8THz、f_T(C_(total))3.9THz的管芯。通过直流I-V测试和小信号S参数测试提取管芯参数,并分析对比了不同阳极直径管芯的性能参数。
- 范道雨林罡牛斌吴少兵
- 关键词：太赫兹肖特基二极管寄生电容串联电阻
- 高效星载用250W S波段GaN功率管
- 本文研究了S波段250W星用氮化镓内匹配功率管的研制工作,该功率管采用南京电子器件研究所的两个25mm栅宽进行匹配合成。最终研制的S波段星用Ga N内匹配功率管在3.1～3.4GHz整个频带内,32V漏电压,1ms周期,...
- 王帅钟世昌王云燕林罡
- 关键词：氮化镓星载内匹配功率管
- 文献传递
- SiN钝化层对GaAs pHEMT低噪声放大器芯片耐氢效应能力的影响被引量：1
- 2018年
- 对两种不同钝化层状态的LNA芯片在不同氢气浓度下进行150℃、105h加速寿命试验。漏极电流监控曲线表明,加厚SiN钝化层器件在20%氢气浓度试验后仅下降约0.8%,试验前后电性能基本不变。通过加厚SiN钝化层有效提升了GaAs pHEMT低噪声放大器芯片在氢气氛围中的可靠工作寿命,这对于该类器件在组件中的实际应用具有重要意义。
- 贾东铭张磊彭龙新林罡林罡
- 关键词：砷化镓加速寿命试验
