徐华
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 双离子束溅射制备非晶SiO_xN_y薄膜的强黄光发射(英文)
- 2006年
- 用双离子束溅射法制备了SiOxNy薄膜,并对薄膜的结构和光致发光(PL)性质进行了研究。XRD和TEM的实验结果表明薄膜是非晶结构;用XPS对样品进行了表征,在397.8eV位置处出现一个对应于N1s的对称峰,表明样品中的N原子主要与Si原子结合,FTIR的实验结果也说明了这一点。光吸收测量结果显示SiOxNy薄膜的光学带隙比Si—SiO2薄膜宽。在225nm波长的激发下,测得在590nm处有强的黄光发射,并利用能带模型讨论了可能的发光机制。
- 瞿发俊徐华吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：光学带隙
- 脉冲激光沉积Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3、Pb_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3和Pb_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜及其介电性质被引量：4
- 2004年
- 采用脉冲激光沉积法,在Pt/Ti/SiO2/Si基底上分别制备厚度为350nm的Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)、Pb0.5Ba0.5TiO3(PBT)和Pb0.5Sr0.5TiO3(PST)薄膜并研究了它们的介电性质。XRD显示,在相同的制备条件下三者具有不同的择优取向,PST具有(110)择优取向,PBT具有(111)择优取向,而BST则是混合取向。SEM显示三者样品表面均匀致密,颗粒尺寸大约在50nm至150nm之间。PST与BST、PBT相比有更高的介电常数,在频率为10kHz时,分别为874、334和355,而损耗都较低,分别为0.0378、0.0316和0.0423,同时PST漏电流也是最小的。测量薄膜的C V特性和铁电性能表明室温下BST呈现的是顺电相,PST和PBT则呈铁电相。本文也测量了薄膜在不同频率下的介电温度特性,BST、PBT和PST均表现出频率弥散现象,即随着频率的降低,居里温度降低而介电常数会升高。并测得BST和PST的居里温度分别为-75和150℃,而PBT的居里温度在250℃以上。本文研究表明:与BST相比较,PBT的介电常数与之相近,漏电流较大;而PST具有高介电常数,较小的漏电流和较大的电容 电压调谐度,在相关半导体器件中的应用将有很大的潜力。
- 徐华沈明荣方亮甘肇强
- 关键词：脉冲激光介电性质
