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庄喆

作品数：49 被引量：11H指数：2
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 14篇MICRO
  • 11篇LED
  • 10篇发光
  • 6篇氮化镓
  • 6篇纳米
  • 6篇二极管
  • 6篇发光二极管
  • 5篇驱动电路
  • 5篇像素驱动电路
  • 4篇量子
  • 4篇量子点
  • 3篇源极
  • 3篇隧道结
  • 3篇铟镓氮
  • 3篇刻蚀
  • 3篇基板
  • 3篇激光
  • 3篇发光特性
  • 3篇半导体
  • 3篇GAN

机构

  • 46篇南京大学
  • 1篇南京邮电大学
  • 1篇南京信息工程...
  • 1篇厦门大学
  • 1篇罗化芯显示科...

作者

  • 46篇庄喆
  • 37篇刘斌
  • 26篇陶涛
  • 17篇谢自力
  • 12篇张荣
  • 9篇陈鹏
  • 9篇郑有炓
  • 9篇智婷
  • 8篇陈敦军
  • 8篇刘斌
  • 6篇韩平
  • 5篇赵红
  • 5篇修向前
  • 5篇窦蓉蓉
  • 4篇郭旭
  • 4篇葛海雄
  • 4篇顾书林
  • 4篇李烨操
  • 2篇陆海
  • 2篇托马斯·科奇

传媒

  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇发光学报
  • 1篇科技导报
  • 1篇中国科技论文
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 23篇2025
  • 5篇2024
  • 6篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2013
  • 2篇2012
共 49 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种连续视角micro-LED裸眼3D显示装置及其显示方法
本发明公开了一种连续视角micro‑LED裸眼3D显示装置及其显示方法，该装置包括空间立体排布的micro‑LED阵列光源和与光源位置相匹配的立体排布的定向散射屏。所述立体排布的micro‑LED阵列光源包括在沿中心垂线...
陶涛黄锦鹏智婷庄喆刘斌
一种基于9T2C的Micro-LED驱动电路及其驱动方法
本发明公开了一种基于9T2C的Micro‑LED驱动电路及其驱动方法，具体包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、补偿晶体管、第一电容、第二电容以及微发光二极...
庄喆陈聪奕刘欣悦桑艺萌陶涛刘斌
一种Micro-LED像素驱动电路及其驱动方法
本发明公开了一种Micro‑LED像素驱动电路及其驱动方法，所述驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第一电容、第二电容以及微发光二极管；本发明提高...
庄喆张祎洋桑艺萌傅玉祥刘斌
一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法
利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法，在氮化镓衬底上生长介质薄膜，利用紫外软压印双层胶剥离技术得到金属有序纳米柱（孔）结构，通过反应离子刻蚀方法得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构，并利用感应耦合等离子体（IC...
刘斌张荣庄喆葛海雄郭旭谢自力陈鹏修向前赵红陈敦军陆海顾书林韩平郑有炓
文献传递
垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法
本发明涉及一种垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法，其结构包括可用于GaN生长的衬底材料上依次外延MOSFET和LED结构，并通过半导体工艺流程制备出MOSFET和LED所需的栅介质层和金属电极层。本发明在可...
庄喆桑艺萌刘斌陶涛
一种电流比例可调的像素驱动电路及其控制方法
本发明公开了一种电流比例可调的像素驱动电路及其控制方法，驱动电路包括：脉冲宽度调制PWM电路模块、脉冲幅度调制PAM电路模块和电流镜电路模块；PWM电路模块包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第一电容；PAM电路模...
庄喆焦旸桑艺萌刘斌
一种具有量子阱梯度结构的长波长红光LED
本发明公开了一种具有量子阱梯度结构的长波长红光LED，自下而上依次包括重掺n型GaN层、n型GaN层、InGaN量子阱层、GaN势垒层、p型GaN层；InGaN量子阱层包括若干个n取值不同的In<SUB>n</SUB>G...
庄喆叶佳雯桑艺萌刘斌陶涛
器件电致发光特性的测试系统及表征方法
本发明公开了一种器件电致发光特性的测试系统，包括：一个交流电压信号源，提供交流电压信号；一个导电测试台，包括基台和接触探针，所述基台由导电材料制成，用于放置待测样品，所述接触探针包含导电材料，用于与待测样品形成电接触，测...
陶涛牛庆翔费彤舟智婷黄锦鹏窦蓉蓉谢自力严羽庄喆刘斌
垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法
本发明涉及一种垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法，其结构包括可用于GaN生长的衬底材料上依次外延MOSFET和LED结构，并通过半导体工艺流程制备出MOSFET和LED所需的栅介质层和金属电极层。本发明在可...
庄喆 桑艺萌刘斌陶涛
MOCVD生长富In组分InGaN合金及表面电化学处理提高InGaN光电极转换效率
InGaN合金的禁带宽度从0.7eV至3.4eV连续可调,在可见光全谱显示和太阳能转换器件方面有重要的潜在应用价值。本文研究了采用金属有机物化学气相外延方法(MOCVD)生长富Ga组分和富In组分InGaN合金薄膜,采用...
刘斌罗文俊李朝升于涛邹志刚张荣庄喆陶涛谢自力陈鹏陈敦军郑有蚪李明雪
关键词：INGAN光电极MOCVD电化学处理
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