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刘宗亮

作品数：48 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺理学电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 46篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 18篇金属学及工艺
  • 7篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 35篇助熔剂
  • 22篇单晶
  • 20篇氮化镓
  • 17篇液相外延
  • 17篇籽晶
  • 16篇液相外延生长
  • 16篇助熔剂法
  • 14篇氮化
  • 14篇氮化物
  • 14篇化物
  • 5篇单晶生长
  • 5篇晶体
  • 5篇掺杂
  • 4篇金属
  • 4篇半导体
  • 4篇长腔
  • 3篇氮化镓纳米线
  • 3篇氮气
  • 3篇熔剂法
  • 3篇热法

机构

  • 48篇中国科学院
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇苏州纳维科技...

作者

  • 48篇刘宗亮
  • 47篇徐科
  • 17篇王建峰
  • 14篇任国强
  • 5篇张涛
  • 4篇顾泓
  • 2篇史建平
  • 2篇张锦平
  • 2篇张育民
  • 2篇曾雄辉
  • 1篇董晓鸣

传媒

  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 6篇2025
  • 1篇2024
  • 7篇2023
  • 14篇2022
  • 6篇2021
  • 5篇2020
  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 48 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种上转换荧光材料及其制备方法
本发明提供了一种上转换荧光材料，以GaN为基质，Yb<Sup>3+</Sup>为敏化剂，其化学组成为Ga<Sub>1-x-y-z</Sub>Yb<Sub>y</Sub>Re<Sub>x</Sub>Si<Sub>Z</Su...
曾雄辉史建平刘宗亮张育民王建峰张锦平徐科
促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置
本发明公开了一种促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置。所述半导体晶体生长装置包括：生长腔室、设置于生长腔室内的反应容器和原料补充容器；所述反应容器用于承载晶体生长所需的籽晶和/或衬底以及容置晶体生长所需的生长原料...
司志伟刘宗亮徐科
氮化镓(11-22)单晶衬底及其制备方法
本发明公开了一种半极性氮化镓(11‑22)单晶衬底及其生长方法。所述的方法包括：先以助熔剂法初步生长具有(11‑22)面的氮化镓体单晶，再以初步生长形成的所述具有(11‑22)面的氮化镓体单晶作为籽晶并通过助熔剂法进行氮...
任玉娇刘宗亮徐科
助熔剂法连续生长氮化物体单晶用补充机构、系统及方法
本发明公开了一种助熔剂法连续生长氮化物体单晶用补充机构、系统及方法。所述补充机构包括：用以容置待补充生长原料的承装密封腔、导流管路、导流部件及压力供给组件，所述承装密封腔与压力供给组件连通，所述承装密封腔与导流部件通过导...
刘宗亮徐科任国强王建峰
文献传递
助熔剂法生长GaN单晶体系中促进籽晶液相外延的方法
本发明公开了一种助熔剂法生长GaN单晶体系中促进籽晶液相外延的方法，其包括：在以助熔剂法生长氮化镓单晶的过程中，于氮化镓单晶的生长体系内添加碳添加剂，所述碳添加剂包括氮化后的碳材料。较之现有技术，本发明方法通过在助熔剂法...
刘宗亮徐科任国强王建峰
文献传递
温场下降的高质量氮化物单晶的生长系统
本实用新型公开了一种温场下降的高质量氮化物单晶的生长系统。所述生长系统包括：助熔剂法氮化物单晶生长设备和升降机构，所述助熔剂法氮化物单晶生长设备包括可供氮化物单晶生长的生长腔室以及设置在所述生长腔室内的反应容器、第一加热...
司志伟刘宗亮徐科
文献传递
一种上转换荧光材料及其制备方法
本发明提供了一种上转换荧光材料，以GaN为基质，Yb<Sup>3+</Sup>为敏化剂，其化学组成为Ga<Sub>1-x-y-z</Sub>Yb<Sub>y</Sub>Re<Sub>x</Sub>Si<Sub>Z</Su...
曾雄辉史建平刘宗亮张育民王建峰张锦平徐科
文献传递
降低助熔剂法氮化镓界面回溶和界面应力的制备方法
本发明公开了一种降低助熔剂法氮化镓界面回溶和界面应力的制备方法。所述制备方法包括：提供氮化镓籽晶；在第一温度和第一氮气压力下，使所述氮化镓籽晶在镓‑钠熔体内进行低掺杂生长，形成低掺杂层；在第二温度和第二氮气压力下，使所述...
张涛刘宗亮徐科司志伟彭晓辉
氮化镓(11-22)单晶衬底及其制备方法
本发明公开了一种半极性氮化镓(11‑22)单晶衬底及其生长方法。所述的方法包括：先以助熔剂法初步生长具有(11‑22)面的氮化镓体单晶，再以初步生长形成的所述具有(11‑22)面的氮化镓体单晶作为籽晶并通过助熔剂法进行氮...
任玉娇刘宗亮徐科
文献传递
极低位错密度氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法
本发明公开了一种助熔剂法生长极低位错密度氮化镓单晶的方法，包括：于氮化镓衬底上设置图形化掩膜；以所述氮化镓衬底作为籽晶，利用液相外延方法生长获得低位错密度氮化镓单晶；对所述低位错密度氮化镓单晶进行位错选择腐蚀，并对腐蚀区...
刘宗亮徐科任国强王建峰
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