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高唤梅

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇SOI
  • 2篇导电类型
  • 2篇电路
  • 2篇淀积
  • 2篇图形化
  • 2篇漂移
  • 2篇气相淀积
  • 2篇全介质
  • 2篇热效应
  • 2篇埋层
  • 2篇耐压结构
  • 2篇介质
  • 2篇化学气相淀积
  • 2篇集成电路
  • 2篇键合
  • 2篇键合工艺
  • 2篇高压功率器件
  • 2篇功率集成
  • 2篇功率集成电路
  • 2篇功率器件

机构

  • 7篇电子科技大学

作者

  • 7篇高唤梅
  • 6篇雷天飞
  • 6篇罗小蓉
  • 6篇王元刚
  • 4篇张波
  • 4篇张伟
  • 4篇李肇基
  • 4篇邓浩
  • 2篇蒋辉
  • 2篇肖志强
  • 2篇傅达平
  • 2篇詹瞻
  • 2篇陈正才
  • 2篇雷磊

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构
本发明公开了一种基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，包括半导体衬底层，介质埋层和半导体有源层，在所述半导体有源层上部设置有漂移区层，在所述半导体有源层的下部设置有至少一个界面岛型埋层，所述界面岛型埋层位于介质埋层上...
罗小蓉张伟詹瞻邓浩高唤梅王元刚雷天飞张波李肇基
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双面介质槽部分SOI材料的制备方法
本发明公开了一种双面介质槽部分SOI材料的制备方法，和常规键合工艺相比，本发明在键合前增加了如下步骤：1.顶层硅片上硅槽刻蚀；2.SiO<Sub>2</Sub>层的热生长和化学气相淀积；3.刻蚀去除位于源区和沟道区以下的...
罗小蓉雷磊傅达平高唤梅蒋辉雷天飞王元刚
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在厚膜SOI材料顶层硅与介质埋层界面处形成图形化半导体埋层的方法
本发明公开了一种在厚膜SOI材料顶层硅与介质埋层界面处形成图形化半导体埋层的方法，涉及SOI功率器件的材料制备技术领域，本发明通过a.在顶层硅背面生长阻挡层；b.在阻挡层上淀积光刻胶并刻蚀出掩模图形；c.对顶层硅进行离子...
罗小蓉张伟邓浩高唤梅肖志强陈正才王元刚雷天飞张波李肇基
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基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构
本发明公开了一种基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，包括半导体衬底层，介质埋层和半导体有源层，在所述半导体有源层上部设置有漂移区层，在所述半导体有源层的下部设置有至少一个界面岛型埋层，所述界面岛型埋层位于介质埋层上...
罗小蓉张伟詹瞻邓浩高唤梅王元刚雷天飞张波李肇基
文献传递
在厚膜SOI材料中形成图形化半导体埋层的方法
本发明公开了一种在厚膜SOI材料顶层硅与介质埋层界面处形成图形化半导体埋层的方法，涉及SOI功率器件的材料制备技术领域，本发明通过a、在顶层硅背面生长阻挡层；b、在阻挡层上淀积光刻胶并刻蚀出掩模图形；c、对顶层硅进行离子...
罗小蓉张伟邓浩高唤梅肖志强陈正才王元刚雷天飞张波李肇基
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一种PSM控制反激式AC/DC开关电源的设计
电源是各种电子设备的必备元件。随着社会的高速发展，人们对电源管理芯片有了更高要求，尤其在能效和成本方面，而开关电源的诸多优点使其得到越来越广泛的应用。开关电源中的功率开关管只工作在导通或者截止两种状态，开关损耗低，可满足...
高唤梅
关键词：数值仿真
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双面介质槽部分SOI材料的制备方法
本发明公开了一种双面介质槽部分SOI材料的制备方法，和常规键合工艺相比，本发明在键合前增加了如下步骤：1.顶层硅片上硅槽刻蚀；2.SiO<Sub>2</Sub>层的热生长和化学气相淀积；3.刻蚀去除位于源区和沟道区以下的...
罗小蓉雷磊傅达平高唤梅蒋辉雷天飞王元刚
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