郭仲杰
- 作品数：21 被引量：7H指数：1
- 供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种自适应抗单粒子翻转的D触发器
- 本发明公开了一种自适应抗单粒子翻转的D触发器，D触发器有时钟信号输入端C和数据信号输入端D，第一输出端Q和第二输出端QN；时钟输入电路的输入端与时钟信号输入端C连接，输出端分别与开关控制RC滤波结构型主锁存器和开关控制R...
- 张曼徐晚成郭仲杰李婷时光张先娆吴龙胜李海松
- 一种用于CMOS图像传感器的SAR型ADC结构
- 本发明公开一种用于CMOS图像传感器的SAR型ADC结构，包括每列单独的列线采样模块和比较器模块，多列共用的DAC模块和SAR逻辑模块；每列的列级比较器模块一输入端连接各自的列采样模块的输出端，另一输入端连接多列共用的D...
- 郭仲杰汪西虎吴龙胜
- 文献传递
- 一种自适应抗单粒子翻转的异步复位和置位D触发器
- 本发明公开了一种自适应抗单粒子翻转的异步复位和置位D触发器，时钟信号输入电路分别与时钟信号输入端C、可控电阻‑电容滤波结构的主锁存器和可控电阻‑电容滤波结构的从锁存器连接；SEU监测电路分别与可控电阻‑电容滤波结构的主锁...
- 张曼时光郭仲杰李婷徐晚成张先娆吴龙胜李海松
- 一种高精度CMOS温度传感器的设计被引量：6
- 2019年
- 基于标准CMOS工艺,提出了一种高精度低功耗的温度传感器.通过采用高精度比例电流生成模块、纵向寄生的NPN型双极晶体管以及改进的输出端结构等措施,抑制了电路噪声、提高了温度到电压的转换精度.基于55nm CMOS工艺,采用Spectre工具对电路进行仿真,结果表明:该温度传感器在-55℃~85℃内灵敏度为3.84 mV/℃,仿真精度为0.17℃,电路功耗为130μA.经过后端物理实现后,版图面积为325μm×64μm.采用STAR_RCXT对该电路提参后仿,得到后仿真精度为0.14℃/-0.24℃.
- 陈贵宝郭仲杰李婷魏海龙
- 关键词：温度传感器开关电容电路
- 一种抗单粒子翻转的自检测自恢复同步复位D触发器
- 本发明公开了一种抗单粒子翻转的自检测自恢复同步复位D触发器，D触发器的时钟信号输入电路分别与时钟信号输入端C、自检测自恢复同步复位主锁存器和自检测自恢复同步复位从锁存器连接，能够产生一个与时钟信号输入端C逻辑状态相反和相...
- 张曼郭仲杰李婷徐晚成时光张先娆吴龙胜李海松
- 一种SAR型ADC的高精度校准装置
- 本发明公开了一种SAR型ADC的高精度校准装置，包括比较器，比较器的负向输入端和正向输入端之间一次连接有高位电容阵列和低位电容阵列；高位电容阵列与高位和偏移误差校准模块连接，低位电容阵列与低位和桥接电容校准模块连接；高位...
- 李婷郭仲杰
- 一种低功耗高线性度全差分式压控振荡器的设计被引量：1
- 2010年
- 设计了一种只含有两级差分式结构的环形压控振荡器,具有功耗低,电压-频率转换线性度高,相位噪声低的特点。利用上海HUAHONG-NEC 0.35 um的模型,在电源电压为3.3 V,温度为27℃的条件下仿真,振荡频率从20 MHz变化到540MHz,中心频率为260 MHz,而且电压频率转换曲线呈线性关系,功耗仅为5 mW@520 Mhz。
- 尹飞郭仲杰季轻舟耿增建
- 关键词：VCOCMOS锁相环
- 一种超大面阵CMOS图像传感器结构
- 本发明公开一种超大面阵CMOS图像传感器结构，包括感光面阵、行驱动、列偏置、读出、控制器、电流偏置和可配置DAC；感光面阵的驱动由左右两侧分别设置行驱动，上方设置用于提供像元偏置的列偏置，下方设置读出电路；读出电路包括列...
- 郭仲杰汪西虎吴龙胜
- 文献传递
- 一种SAR型ADC的高精度校准装置
- 本发明公开了一种SAR型ADC的高精度校准装置，包括比较器，比较器的负向输入端和正向输入端之间一次连接有高位电容阵列和低位电容阵列；高位电容阵列与高位和偏移误差校准模块连接，低位电容阵列与低位和桥接电容校准模块连接；高位...
- 李婷郭仲杰
- 文献传递
- 一种SAR型ADC的高精度校准装置
- 本发明一种SAR型ADC的高精度校准装置，比较器的负向输入端和正向输入端之间依次连接有高位电容阵列和低位电容阵列；高位电容阵列与高位和偏移误差校准模块连接，低位电容阵列与低位和桥接电容校准模块连接；高位电容阵列和低位电容...
- 李婷郭仲杰
- 文献传递
