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董向芸

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇导热
  • 2篇氧化锌薄膜
  • 2篇生长温度
  • 2篇开关时间
  • 2篇不锈钢外壳
  • 2篇衬底
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇圆筒形
  • 1篇致冷
  • 1篇致冷器
  • 1篇喷管
  • 1篇温度传感器
  • 1篇温度控制
  • 1篇温度控制器
  • 1篇金属管
  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物化...
  • 1篇开关模式
  • 1篇控制方法
  • 1篇控制器

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇刘祥林
  • 5篇董向芸
  • 3篇魏宏源
  • 3篇焦春美
  • 3篇王占国
  • 3篇张晓沛
  • 3篇杨少延
  • 2篇张攀峰
  • 2篇赵凤瑷
  • 2篇丛光伟
  • 2篇范海波
  • 1篇王晓辉
  • 1篇张日清
  • 1篇黎大兵
  • 1篇陆大成
  • 1篇魏鸿源

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2004
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构
一种生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构，包括：一上罩机构为一桶状，底部开有一圆孔，侧壁上开有一侧孔；一下罩机构为一管状，该上罩机构、下罩机构固接；一辅气气嘴机构包括：一柱体，下面固接有一喇叭口；一三路喷气气...
丛光伟刘祥林董向芸魏宏源王占国
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氮化镓激光器的关键技术研究
刘祥林谢子燕陆大成王晓辉黎大兵焦春美魏鸿源丛光伟董向芸蒋全李书田
全世界每年需要生长GaN的MOCVD设备约100台。我国大陆每年进口5台，用于GaN蓝绿光发光二极管的生产和研究。如果每台按700万计算，全世界生长GaN的MOCVD设备每年的销售额达到至少7亿元人民币。随着“国家半导体...
关键词：
关键词：MOCVD
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置，包括：衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度，而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区，...
杨少延刘祥林赵凤瑷焦春美董向芸张晓沛范海波魏宏源张攀峰王占国
文献传递
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置，包括：衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度，而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区，...
杨少延刘祥林赵凤瑷焦春美董向芸张晓沛范海波魏宏源张攀峰王占国
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一种恒温装置及其控制方法
本发明涉及半导体材料生长技术领域，公开了一种恒温装置，该恒温装置包括加热器、致冷器、搅伴器、温度传感器和控制单元，该控制单元包括PID温度控制器和开关模式温度控制器，根据温度传感器所测的温度，所述PID温度控制器通过PI...
张日清刘祥林杨少延张晓沛董向芸
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