管文田
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 喷射型电感耦合PECVD中微晶硅薄膜的沉积速率和结构特征
- 与非晶硅薄膜太阳电池相比，微晶硅薄膜太阳电池由于其高效率和高稳定性而受到广泛关注。等离子体化学气相沉积(PECvD)广泛应用于低温沉积微晶硅薄膜，甚高频和电感耦合等离子体化学气相沉积由于高的等离子密度和低的电子温度被应用...
- 管文田左则文辛煜闾锦濮林旌毅
- 关键词：电感耦合微晶硅薄膜沉积速率化学气相沉积
- 文献传递
- 微晶硅薄膜的等离子增强化学气相沉积生长特征被引量：4
- 2008年
- 本文采用27.12 MHz等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了氢化微晶硅薄膜材料,通过Raman散射谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜和傅立叶变换红外谱等表征方法研究了生长条件参数对薄膜结构及生长速率的影响,对薄膜的生长机制进行了讨论,特别分析了孵化层形成和演化、以及对晶化率、柱状晶粒生长的作用特征.实验测量分析表明,在薄膜生长的初期阶段,形成一个嵌入大量小晶粒的非晶孵化层,并随着薄膜厚度的增加其非晶成份减少,晶化率不断提高,晶粒开始长大并结聚成团,形成大的晶粒,沿生长方向上形成横向尺寸为百纳米级的柱状晶粒.红外透射谱的结果证实2 100 cm-1附近吸收来源于位于晶界区或微孔内表面团簇化的SiH键的吸收.同时,适当的等离子能量在薄膜生长过程中有利于抑制氧的影响.目前的研究加深了对薄膜PECVD生长过程和生长机制的理解,有利于加强对太阳电池用的硅薄膜形态和质量的控制.
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- 关键词：等离子体化学气相沉积微结构晶化率
