王静辉
- 作品数：13 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 溅射时间对AZO薄膜结构以及光电性能的影响
- 2011年
- 应用直流磁控溅射在石英玻璃上生长AZO薄膜,利用X射线双晶衍射(XRD)、四探针以及可见光分光光度计,对薄膜结构特性、光学以及电学特性进行了分析,并讨论了溅射时间对薄膜晶体结构、膜厚、方块电阻以及透过率的影响。针对AZO在LED中作为电流扩展层的应用,利用光学模拟软件TFCalc对AZO以及SiO2构成的双层膜的透过率进行了模拟,用溅射和PECVD分别生长AZO以及SiO2薄膜加以验证。通过适当的调节薄膜厚度,可使透光率在可见光波段有整体上的提升。
- 李晓波杨瑞霞王静辉
- 关键词：直流磁控溅射AZO薄膜X射线衍射方块电阻透光率
- Si衬底LED外延片及其制备方法
- 本发明公开了一种Si衬底LED外延片及其制备方法，涉及具有特殊晶体结构的器件及其制备方法技术领域。所述外延片包括Si衬底和位于Si衬底上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN...
- 刘波房玉龙王波袁凤坡潘鹏汪灵白欣娇周晓龙王静辉
- 文献传递
- 变温量子阱生长技术对蓝光LED发光效率的影响
- 2016年
- 采用金属有机物化学气相沉积,在2英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石图形衬底上通过引入变温量子阱生长技术,生长出了具有三角形量子阱(TQW)结构的发光二极管外延片。对比不同生长温度下的样品,得出了最优化的具有三角形量子阱结构外延片的生长条件。通过比较常规恒温量子阱结构和三角形量子阱结构外延片的光致发光光谱,发现TQW结构具有更窄的半峰宽和更高的发光强度。这主要是由于TQW改变了量子阱中的波函数分布,使电子空穴对的复合效率提高。外量子效率从传统的59.38%提高到60.75%,比传统的恒温量子阱提高了1.38%。
- 袁凤坡王波潘鹏王静辉唐景庭
- 关键词：氮化镓发光二极管(LED)
- GaAs PHEMT栅选择腐蚀工艺研究
- 2008年
- 基于GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)材料结构的设计,材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取,完成了GaAs PHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加工工艺。利用选择腐蚀终止层可以很容易地达到夹断电压和漏极电流的批量生产的一致性。本研究利用磷酸腐蚀液体系,在材料的设计中增加了InxGa1-xP腐蚀终止层,结果达到了预期目的,并已用于GaAs 0.25μm PHEMT标准工艺的生产中,获得了良好的经济效益。
- 王静辉张力江吴益竹
- 关键词：赝配高电子迁移率晶体管砷化镓
- Si衬底LED外延片及其制备方法
- 本发明公开了一种Si衬底LED外延片及其制备方法，涉及具有特殊晶体结构的器件及其制备方法技术领域。所述外延片包括Si衬底和位于Si衬底上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN...
- 刘波房玉龙王波袁凤坡潘鹏汪灵白欣娇周晓龙王静辉
- 文献传递
- 具有反射电极的高亮度LED芯片设计被引量：4
- 2014年
- 根据光学薄膜原理,针对正装LED芯片设计了5种不同方式的电极结构,得出电流阻挡层SiO2和Al反射镜叠加制备出的反射电极具有较高的反射率,光电特性明显优于常规电极制备出的LED芯片。实验结果表明,该反射电极的反射率比常规电极结构反射率高53.1%,电流阻挡层SiO2可以改进有源区的电流扩展,减小电流堆积效应,而Al作为反射镜可以降低电极对光的吸收,使其发光效率、光强分布、饱和特性曲线和发光角度明显优于常规电极结构。实验采用化学气相沉积(CVD)法配合电子束蒸发制备反射电极,芯片的光功率提高了5.6%,成功制备出高亮度LED芯片。
- 陈才佳李珅王静辉李晓波
- 关键词：电子束蒸发
- GaN基LED外延片
- 本实用新型公开了一种GaN基LED外延片，涉及以半导体为特征的器件技术领域。所述外延片包括：4英寸硅衬底，所述4英寸硅衬底的上表面从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN层、硅掺杂N型GaN层、InG...
- 刘波尹甲运白欣娇袁凤坡王波潘鹏汪灵周晓龙王静辉
- 文献传递
- Si衬底LED外延片
- 本实用新型公开了一种Si衬底LED外延片，涉及具有特殊晶体结构的器件技术领域。所述外延片包括Si衬底和位于Si衬底上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN层、Si掺杂N型Ga...
- 刘波戭玉龙王波袁凤坡潘鹏汪灵白欣娇周晓龙王静辉
- 文献传递
- 封装工艺对SiC功率模块热电性能的影响被引量：3
- 2019年
- SiC功率模块随着输出功率增加,结温会随之明显上升,热阻增大,电学性能退化。因此,研究SiC模块热电性能,降低模块热阻和寄生电感对发挥SiC模块优良的电学特性非常关键。针对1 200 V/200 A SiC模块,利用仿真软件建立了有限元分析模型,研究了模块封装工艺与模块热电特性的关系,包括焊层厚度、空洞率及键合参数对模块热特性和寄生参数的影响。结合仿真结果和实测数据得出焊层厚度0.18 mm、键合线直径15 mil(1 mil=25.4μm)、线间距0.3 mm时模块热阻和电特性较理想。其热阻为0.266℃/W,寄生电感为18.159 nH,模块阈值电压小于1.9 V,导通电阻约为6.5 mΩ。
- 袁凤坡白欣娇李帅崔素杭李晓波王静辉
- 关键词：SIC功率模块热电特性空洞率
- 碳化硅功率模块焊接工艺研究进展被引量：6
- 2020年
- 碳化硅(SiC)模块的封装技术是目前电力电子行业关注的热点,焊接材料和工艺是影响模块可靠性的关键环节。详细分析了当前国内外业界已使用或正在研究的焊接材料和工艺,包括应用于传统硅(Si)功率模块和SiC功率模块的常规无铅钎料、低温纳米银烧结、固液互扩散连接和纳米铜焊膏等。分析了各种工艺的焊接过程、焊层性能及存在的问题,明确了今后SiC功率模块高温封装焊接技术的发展方向,即低温纳米银烧结技术和固液互扩散技术将会是SiC功率模块焊接工艺的优选。
- 李帅白欣娇袁凤坡袁凤坡李晓波王静辉
- 关键词：功率模块
