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李杰

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电荷
  • 1篇电离
  • 1篇耦合器
  • 1篇界面态
  • 1篇辐照
  • 1篇SI
  • 1篇SIO
  • 1篇MOS电容

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇王缙
  • 2篇陆妩
  • 2篇严荣良
  • 2篇李杰
  • 2篇余学锋
  • 1篇董亮初
  • 1篇张玲珊

传媒

  • 1篇核技术
  • 1篇核电子学与探...

年份

  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Si-SiO_2界面的辐射感生界面态被引量：2
1991年
实验发现正偏压下的MOS电容受辐照引起的平带电压位移与SiO_2栅介质膜厚度的三次方成正比。实验结果说明辐照感生界面态在MOS电容的平带电压漂移中起重要作用。就抗辐照性能而言,采纳于氧氧化工艺的最佳温度匀1000℃;高于1000℃的氮气退火或氢介入Si-SiO_2界面都会严重降低MOS器件的抗辐照能力。辐照产生界面态的原因是在Si到SiO_2。过渡层中存在未电离的过剩硅。
李杰王缙严荣良陆妩余学锋
关键词：MOS电容辐照界面态
CCD电离辐射加固工艺研究被引量：1
1990年
本文以简单的MOS电容为手段,研究CCD工艺,以提高器件的抗电离辐射能力。研究发现,栅氧化温度、SiO_2栅介质厚度和CCD工艺中栅氧化以后的高温过程对辐照性能的影响最大;并提出减薄SiO_2栅介质厚度、在1000℃干氧栅氧化、表面栅和埋栅下SiO_2介质在相同条件下生长以及栅氧化后工艺流程中的高温步骤的温度不能超过栅氧化温度和尽量减少栅氧化后的高温步骤等改进的工艺措施。
李杰王缙董亮初严荣良余学锋张玲珊陆妩米拉提汗
关键词：电荷耦合器电离
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共1页<1>
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