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李勇

作品数:37 被引量:6H指数:2
供职机构:平顶山学院更多>>
发文基金:山西潞安矿业(集团)有限责任公司科研项目河南省基础与前沿技术研究计划项目河南省高校科技创新团队支持计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术文化科学电子电信更多>>

文献类型

  • 29篇专利
  • 7篇期刊文章

领域

  • 13篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 10篇溅射
  • 10篇反应截面
  • 10篇磁控
  • 10篇磁控溅射
  • 8篇异质结
  • 8篇核反应
  • 8篇核反应截面
  • 8篇磁控溅射技术
  • 7篇纳米
  • 6篇生成物
  • 6篇衰变
  • 6篇中子
  • 6篇SI异质结
  • 6篇CDS
  • 5篇伽马射线
  • 4篇单晶
  • 4篇单晶硅
  • 4篇单晶硅片
  • 4篇数据测量
  • 4篇偏振

机构

  • 36篇平顶山学院
  • 2篇重庆大学
  • 1篇长治学院
  • 1篇郑州职业技术...
  • 1篇河南质量工程...

作者

  • 36篇李勇
  • 32篇周丰群
  • 29篇宋月丽
  • 17篇袁书卿
  • 17篇田明丽
  • 17篇姬鹏飞
  • 7篇万明理
  • 5篇何金娜
  • 4篇孙小军
  • 3篇张芳
  • 2篇高磊
  • 2篇张芳
  • 2篇韩永军
  • 2篇王昱应
  • 2篇王星
  • 2篇张晓朋
  • 1篇边高鹏
  • 1篇李青彬
  • 1篇贺国旭
  • 1篇温耐

传媒

  • 2篇平顶山学院学...
  • 1篇化工新型材料
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇华中师范大学...
  • 1篇商丘师范学院...
  • 1篇汕头大学学报...

年份

  • 2篇2025
  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 8篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
37 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于硅纳米孔柱阵列的Zn掺杂CdS纳米晶光学特性研究
2018年
利用化学水浴法在硅纳米孔柱陈列(Si-NPA)上沉积了硫化镉(CdS)纳米晶,制得硫化镉/硅纳米孔柱阵列(CdS/Si-NPA)纳米异质结,并对非掺杂和锌(Zn)掺杂CdS/Si-NPA进行表征。研究结果表明:CdS/Si-NPA的结构保持了Si-NPA的规则阵列结构,通过加入一定量的氯化锌,实现了Zn对CdS的掺杂,Zn掺杂后的CdS晶粒大小由约18.1nm减小为约17.6nm,Zn的掺入导致了CdS/Si-NPA的光学带隙由约2.45eV增大到约2.49eV,Zn的掺杂能有效调控CdS带隙。
张晓丽刁润丽李勇
关键词:硅纳米孔柱阵列光致发光谱
基于MATLAB的延迟微分方程求解探讨被引量:2
2010年
简要的介绍了几种常见的延迟微分方程及其稳定性,即比例延迟微分方程及其稳定条件,非线性变延迟微分方程及其稳定条件.最后举例子说明MATLAB中DDE23的强大功能.
高磊李勇杨铁贵
关键词:延迟微分方程常微分方程
一种核反应截面测量中扣除与目标核反应相同生成物干扰方法
本发明涉及核数据测量技术领域,具体地说,涉及一种在核反应截面测量中扣除与目标核反应相同生成物干扰的算法。其包括采用含有多种同位素的天然样品测量核反应截面;判断产生相同生成物的其它核反应对目标核反应截面测量干扰能否忽略;对...
李勇周丰群宋月丽
热中子俘获反应对相应的快中子(n,2n)反应截面测量的影响
2014年
以14MeV快中子引起的52 Cr(n,2n)51 Cr反应截面的测量为例,研究热中子俘获反应对相应的快中子(n,2n)反应截面测量的影响.为比较热中子俘获反应50 Cr(n,γ)51 Cr对相应的快中子52 Cr(n,2n)51 Cr反应截面测量的影响,在对样品包镉和不包镉两种情况下,分别测量了14MeV中子引起的52 Cr(n,2n)51 Cr反应截面.单能中子用T(d,n)4 He反应获得,中子通量用监督反应93Nb(n,2n)92mNb测量,而中子能量通过93 Nb(n,2n)92mNb和90Zr(n,2n)89m+gZr截面比法测定.将本实验结果与尽可能收集到的其它作者发表的数据进行了比较.
袁书卿宋月丽田明丽李勇周丰群
关键词:截面活化法
扣除其它产物梯次衰变对目标反应截面测量影响的方法
本发明属于核能发展技术领域,特别涉及一种扣除其它产物梯次衰变对目标反应截面测量影响的方法,适用于其它反应产物的二代子体与目标反应产物相同,其它反应的截面未知或已知,中子通量未知或已知,但其它反应产物的一条特征伽马射线可被...
李勇周丰群郝亚娟宋月丽姬鹏飞
扣除其它核反应对目标核反应截面测量影响的方法及系统
本发明属于核数据测量技术领域,具体涉及一种扣除其它核反应对目标核反应截面测量影响的方法及系统,该方法首先制备样品并对样品进行中子辐照;然后判断样品辐照后是否仅有一种与目标核反应子核相同的反应对目标核反应截面测量影响不可忽...
李勇周丰群宋月丽马小强郝亚娟万明理袁书卿
扣除其它核反应生成物对目标核反应截面测量影响的方法
本发明提供一种扣除其它核反应生成物对目标核反应截面测量影响的方法。在核反应截面测量中,如果其它核反应产物的半衰期远大于目标核反应产物的半衰期,则可用以下方法扣除其它反应产物对目标核反应截面测量的影响:对目标核反应的特征伽...
周丰群宋月丽李勇袁书卿
受激发态干扰的基态纯截面的测量方法及系统
本发明属于核能发展技术领域,特别涉及一种受激发态干扰的基态纯截面的测量方法及系统,该方法包括对样品中产生的基态<Sup>g</Sup>Y的特征伽马射线进行第一次测量,得到基态<Sup>g</Sup>Y的特征γ射线的全能峰...
宋月丽周丰群李勇郝亚娟兰少位
一种细粉碳化硅陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种细粉碳化硅陶瓷的制备方法,属于碳化硅陶瓷制备技术领域。具体的,以晶硅片切割刃料尾料细粉为细粉原料反应烧结碳化硅陶瓷,极大降低了制备成本,原料粉体通过化学法除杂,在混料机内将原料碳化硅细粉、炭黑、分散剂、减...
韩永军黄立军李勇
在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法
本发明属于半导体异质结器件技术领域,特别是涉及一种在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法,该方法首先以p型硅为衬底,利用直流磁控溅射技术在硅片上依次沉积Cd和Zn金属纳米层,制备出纳米结构Zn/Cd/Si...
李勇张芳李鹏飞姬鹏飞宋月丽周丰群田明丽
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