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李俊宏

作品数：42 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 3篇学位论文
  • 3篇会议论文

领域

  • 15篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...

主题

  • 14篇半导体
  • 13篇功率器件
  • 12篇半导体功率器...
  • 7篇介电常数
  • 7篇高介电常数
  • 6篇双极型
  • 6篇双极型晶体管
  • 6篇漂移区
  • 6篇驱动器
  • 6篇重掺杂
  • 6篇介电
  • 6篇晶体管
  • 5篇导通
  • 5篇电流
  • 5篇电阻
  • 5篇信号
  • 4篇导通电阻
  • 4篇信号切换
  • 4篇栅极
  • 4篇切换

机构

  • 42篇电子科技大学

作者

  • 42篇李俊宏
  • 12篇李平
  • 4篇张萍
  • 3篇张国俊
  • 3篇胡斌
  • 2篇刘健
  • 2篇蒲恬
  • 2篇费春
  • 2篇刘思雨
  • 2篇霍伟荣
  • 1篇陈跃东
  • 1篇吴江
  • 1篇李伟
  • 1篇周航

传媒

  • 1篇四川省电子学...
  • 1篇电子科技大学...

年份

  • 1篇2025
  • 3篇2024
  • 7篇2023
  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 5篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2007
  • 1篇2006
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有双重保护功能的GaN驱动器
本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种具有双重保护功能的GaN半桥驱动器。该驱动器是在传统电容耦合产生负压的基础上，利用高K介质功率器件能够根据不同控制信号切换至相应工作模式，使其适用各种不同电压等级的驱动中这一特点，...
李俊宏罗晨辉
纵向可集成功率器件
纵向可集成功率器件，涉及半导体功率器件，本发明包括源区，漂移区，沟道区，漏区，栅区，栅介质，连接漏区的漏区引出线与栅区同处于漂移区的上方，连接源区的源区引出线位于漂移区的下方。本发明通过将纵向功率器件的高电平电极与低压电...
李俊宏胡斌刘奎方
文献传递
无高边功率管逆变电路和逆变模块
无高边功率管逆变电路和逆变模块，涉及电子技术，本发明的逆变电路由至少两个逆变模块连接为一个环形结构，所述逆变模块包括：前置滤波电路，具有信号输入端和信号输出端，其信号输入端作为调制信号输入端；中置滤波电路，具有直流电源输...
李俊宏
使用高介电常数栅介质的耐压器件及制备方法
使用高介电常数栅介质的耐压器件及制备方法，涉及半导体功率器件。本发明的器件包括衬底和设置于衬底上的高介电常数栅介质层，其特征在于，所述高介电常数栅介质层由隔离材料分割为至少3个相互独立的区块。本发明的有益效果是，由于高K...
李俊宏李平
文献传递
一种基于分离路径技术的同步整流电路
本文提出了一种基于分离路径技术的同步整流电路。该电路通过一种路径分离电路，产生非交叠时钟信号，用来控制开关功率管和同步整流功率管。通过仿真工具验证，使用该结构的同步整流电路可以很大的提高开关电源的转换效率。
李伟李俊宏李平
横向功率器件
横向功率器件，涉及半导体功率器件。本发明包括硅衬底、SOI层、沟道区、欧姆接触重掺杂区、源极、源极引出线、栅极介质、栅极、漂移区、漏极、漏极引出线和N型缓冲区，漂移区设置于SOI层的上方，其特征在于，在漂移区的上方、N型...
李俊宏肖坤
文献传递
高介电常数材料在功率器件上的应用研究与新器件的实现
功率器件是电能转换中不可或缺的部分，其性能直接影响到能量转换的效率。虽然目前便携式电子产品的功能日渐强大，但越来越短的使用时间已经成为一个重要的瓶颈。然而电池技术难以在短期内实现突破，所以目前只能通过提高能量的转换效率的...
李俊宏
关键词：功率器件
一种具有快速开启功能的GaN驱动器
本发明属于电子电路技术领域，涉及一种具有快速开启功能的GaN驱动器。是基于横向绝缘栅多模式晶体管工作在强导通状态时，其钳位能力将阳极至阴极之间的电压钳位在低于GaN器件的栅极阈值电压和大电流这一特点，配合一个用于提供上拉...
李俊宏罗建鑫
文献传递
消除横向绝缘栅双极型晶体管拖尾电流的方法
消除横向绝缘栅双极型晶体管拖尾电流的方法，涉及半导体功率器件，本发明包括下述步骤：1)在漂移区中产生一个从阳极指向漂移区的上表面的电场，晶体管由导通转为关断；2)在设置于漂移区上方的第二栅极上引入一个快速上升的电平，持续...
李俊宏李平
文献传递
使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的横向功率器件
使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的横向功率器件，涉及半导体功率器件。本发明包括硅衬底、漂移区、第一绝缘介质、栅极、沟道区、欧姆接触重掺杂区、源极、漏极、第二绝缘介质、源极引出线、漏极引出线，在漂移区内至少嵌入设置两个隔...
李俊宏李平
文献传递
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