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DC～20GHz GaAs PHEMT超宽带低噪声放大器被引量：4: 2013年; 采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款DC～20 GHz宽带低噪声放大器,可作为驱动放大器用于光纤通信或作为宽带增益模块用于测试及测量系统中。电路采用分布式放大器结构,单节采用共源共栅的结构形式实现,其与共源结构相比,拥有较低的栅-漏反馈电容和较高的输出并联电阻,使电路具有较宽的频带、较高的增益和较高的线性度等特点。电路采用+8 V电源供电,将芯片及外围器件进行模块化封装后,易于测试和使用。经过实测,带内的典型噪声系数为3 dB,小信号增益达到14 dB,输入回波损耗低于-14 dB,输出回波损耗低于-17 dB,1 dB增益压缩输出功率达到16 dBm。芯片尺寸为3.12 mm×1.574 mm。; 朱思成田国平白元亮张晓鹏陈兴; 关键词：低噪声放大器分布式放大器共源共栅

一种实用的TTL-ECL电平转换集成电路: TTL-ECL电平转换集成电路是将输入的TTL电平信号转换成ECL电平输出信号的器件.国外多家公司均生产该器件,如MOTOROLA、MAREL、NATIONALSEMICONDUCTOR等公司,分为10K和100K两种系...; 田国平王俊华朱思成; 关键词：GAAS MESFET 电平转换离子注入集成电路; 文献传递

一种实现超宽带GaN毫米波放大器的设计: 本文基于0.15μm GaN HEMT工艺制作了一款毫米波超宽带放大器。该放大器采用两级级联放大结构,提高电路增益;每级采用分布式结构,显著拓展工作带宽。经过测试放大器在18GHz～40GHz频率范围内增益达到10dB以...; 刘会东朱宝石朱思成魏洪涛; 关键词：宽带毫米波放大器氮化镓

超宽带延时幅相控制多功能芯片的设计被引量：5: 2018年; 针对航空航天和卫星通信等设备的需求,介绍了一款超宽带延时幅相控制多功能芯片。该芯片集成了数字和微波电路,有T/R开关、5位数控延时器（10 ps步进TTD）、5位数控衰减器（1 d B步进ATT）、2个行波放大器、均衡器及数字电路。基于GaAs E/D PHEMT工艺研制出了芯片实物,芯片尺寸为4.5 mm×5.0 mm×0.07 mm。采用微波在片测试系统对该幅相控制多功能芯片进行了实际测试,在3~17 GHz频段内实现了10~310 ps延时范围,1~31 d B衰减范围。测试结果显示,发射/接收增益大于2 d B,发射1 d B压缩输出功率P1 d B_Tx大于12 d Bm,接收1 d B压缩输出功率P1 d B_Rx大于10 d Bm,全态输入输出驻波均小于1.7,＋5 V下工作电流130 m A,-5 V下工作电流12 m A。衰减器全态RMS精度小于1.4 d B,全态附加调相小于±8°。延时器全态RMS精度小于3 ps,全态附加调幅小于±1d B。; 陈月盈朱思成赵子润; 关键词：超宽带多功能芯片数控衰减器

基于GaAs PIN二极管工艺的宽带单刀四掷开关芯片设计研究: 2025年; 采用GaAs PIN二极管工艺设计了一款2 GHz~18 GHz宽带单刀四掷开关芯片。采用串并联开关电路结构拓宽电路工作频段,并利用LC宽带偏置电路网络对开关电路进行加电,开关芯片尺寸为2.8 mm×2.8 mm×0.07 mm。经测试,该开关芯片在2 GHz~18 GHz频带内,控制端施加-5 V/0 V电压组合时,其插入损耗小于1.0 dB,隔离度大于32 dB,幅度一致性为-1~3 dB,相位一致性为±4°。; 白元亮默立冬刘永强朱思成周鑫; 关键词：宽带

6 GHz~12 GHz 25 W宽带高效率GaN MMIC功率放大器的设计: 2025年; 采用基于碳化硅(SiC)衬底的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)工艺,设计了一款工作频率为6 GHz~12 GHz、饱和输出功率不小于25 W(44 dBm)的宽带高效率微波功率放大器。该放大器采用3级放大电路,末级管芯采用8胞设计。采用滤波器综合方法设计得到各级匹配网络,同时对版图进行了电磁场仿真,并对平面螺旋电感进行了人工神经网络建模,最终流片制成微波功率放大器芯片。测试结果表明,在工作频带内,该放大器饱和输出功率不小于44 dBm,功率增益大于20 dB,功率平坦度小于1 dB,功率附加效率不小于35%,输入驻波比小于1.5:1,具有良好的宽带输出功率和功率附加效率特性。; 默立冬白元亮朱思成汪江涛刘帅范悬悬; 关键词：宽带氮化镓微波功率放大器 MMIC

7～13.5GHz单片低噪声放大器设计被引量：5: 2013年; 采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7～13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路。该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中。电路采用两级级联的放大结构,每级采用自偏压技术实现单电源供电。电路中增加并联负反馈结构,以提高增益平坦度。电路输出后端增加阻性电路,提高部分频段的稳定性,在全频段上满足无条件稳定的条件。在频率为7～13.5 GHz范围内,外加工作电压3 V,对低噪声放大器芯片进行了在片测试,测试结果表明,在带内放大器的噪声系数小于1.6 dB,小信号增益大于17 dB,输入回波损耗低于-12 dB,输出回波损耗低于-15 dB;低噪声放大器芯片面积为2.15 mm×1.15 mm。; 朱思成默立冬; 关键词：电子迁移率低噪声放大器噪声系数回波损耗

砷化镓8Bit ADC电路的抗辐射设计和辐照试验研究: 2011年; 砷化镓模数转换器(ADC)具有良好的电性能和耐辐照能力,广泛应用于各种领域,尤其是航空航天领域.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,在前期对电路进行辐照试验基础上,针对电路设计和工艺制造进行大规模集成电路的抗辐射研究,改进电路的设计和工艺制造技术,提高电路的抗辐射能力.本文主要对该电路的设计、工艺研究和γ总剂量辐照试验进行描述,试验结果表明该模数转换器能够抗100K rad(Si)总剂量的辐照.; 田国平王丽朱思成; 关键词：砷化镓模数转换抗辐射总剂量

砷化镓集成电路辐照试验研究: 砷化镓集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各种领域,尤其是航天航空方面.但电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,我所在对对单管器件进行了辐照试验,获得可靠的试验结果,改进电路的制作方法,提高电路的抗辐射能力的...; 田国平王文君朱思成白元亮; 关键词：砷化镓集成电路; 文献传递

GaAs 10 bit DAC的抗辐射设计和实验被引量：1: 2012年; 通过分析砷化镓(GaAs)器件的电离辐射剂量率辐照机理和效应,结合电路结构,描述了砷化镓10 bit数模转换器(DAC)的电离辐射剂量率辐射效应、抗辐射设计和辐照实验。在电路设计上,10 bit DAC由两个5 bit DAC组成,通过芯片内部合成10 bit DAC,有效降低了芯片面积和制造工艺难度;通过分析电路的电离辐射剂量率辐射效应,针对敏感电路进行局部电路的抗辐射设计,提高电路抗辐射能力;结合实验条件和器件引线分布,设计合理的辐照实验方案,开发辐照实验电路板,进行辐照实验,获得科学的实验结果,验证电路的抗辐射能力。实验结果表明该数模转换器能够抗3×1011rad(Si)/s剂量率的瞬时辐照。; 田国平吴洪江朱思成; 关键词：砷化镓数模转换器抗辐射

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朱思成