刘艳青
- 作品数：18 被引量：33H指数：4
- 供职机构：北京科技大学更多>>
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- 相关领域：理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>
- 椭球谐振腔式MPCVD装置高功率下大面积金刚石膜的沉积被引量：6
- 2011年
- 使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在输入功率为9 kW,沉积压力为1.7×104 Pa和不同的气体流量条件下制备了金刚石膜。利用扫描电镜、激光拉曼谱对金刚石膜的表面和断口形貌、金刚石膜的品质等进行了表征。实验结果表明,利用椭球谐振腔式MPCVD装置能够在较高的功率下进行大面积金刚石膜的沉积;在高功率条件下,较高质量的金刚石膜的沉积速率可以达到4～5μm.h-1的水平,而气体的流量则会显著影响金刚石膜的品质及其沉积速率。
- 于盛旺范朋伟李义锋刘艳青唐伟忠
- 关键词：金刚石膜高功率气体流量生长速率
- 高品质金刚石厚膜的微波等离子体CVD沉积技术
- 金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石厚膜的各种方法之中，高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高，同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好，因而一直是制备高品质金刚石厚膜的首选方法。在世界...
- 唐伟忠于盛旺范朋伟李义锋苏静杰刘艳青
- 关键词：MPCVD高功率
- TM<Sub>021</Sub>模式的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置
- 本发明TM<Sub>021</Sub>模式的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置，该装置由上下圆柱体、可调节的上腔体和微波反射板、沉积台、微波同轴激励口，微波石英窗口，进出气口，测温孔和观察窗等组成。此装置拥有TM<Sub...
- 唐伟忠李义锋苏静杰刘艳青丁明辉李小龙姚鹏丽
- 文献传递
- 高品质金刚石膜微波等离子体CVD技术的发展现状被引量：12
- 2012年
- 金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石膜的各种方法之中,高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高,同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好,因而一直是制备高品质金刚石膜的首选方法。在世界范围内,美、英、德、日、法等先进国家均已掌握了以高功率MPCVD法沉积高品质金刚石膜的技术。但在我国国内,高功率MPCVD装备落后一直是困扰我国高品质金刚石膜制备技术发展的主要障碍。首先综述国际上高功率MPCVD装备和高品质金刚石膜制备技术的发展现状,包括各种高功率MPCVD装置的特点。其后,回顾了我国金刚石膜MPCVD技术的发展历史,并介绍北京科技大学近年来在发展高功率MPCVD装备和高品质金刚石膜制备技术方面取得的新进展。
- 唐伟忠于盛旺范朋伟李义锋苏静杰刘艳青
- 沉积温度对硬质合金表面沉积的SiC薄膜的影响被引量：1
- 2012年
- 采用强电流直流伸展电弧等离子体CVD技术,以Ar、H2和四甲基硅烷(TMS)为先驱气体,在YG6硬质合金衬底表面制备了SiC薄膜。实验结果表明:随着沉积温度的升高,薄膜的致密性和平整度提高;但当沉积温度过高时,SiC薄膜的表面开始具有含非晶碳球和呈花瓣状的疏松结构。在合适的沉积温度下,SiC薄膜的致密性和平整度较好,且其具有较好的附着力和一定的强度,而这样的SiC薄膜可以阻止在金刚石涂层沉积过程中硬质合金中含有的Co对金刚石相沉积过程的有害作用。
- 黑鸿君于盛旺刘艳青李义锋唐伟忠
- 关键词：SIC薄膜沉积温度表面形貌附着力
- 工艺参数对高功率MPCVD金刚石膜择优取向的影响研究被引量：7
- 2012年
- 使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、沉积功率8 kW条件下,在不同CH4浓度、沉积温度和气体流量工艺条件下制备了大面积金刚石膜。使用X射线衍射仪对金刚石膜的择优取向的变化规律进行了研究。实验结果表明,高功率条件下工艺参数对金刚石膜的择优取向有不同程度的影响。在CH4浓度由0.5%上升到1.0%时,金刚石膜的择优取向由(220)转变为(111),由1.0%上升到2.5%时,则由(111)转变为(220)以及(311);在700～1050℃温度范围内,随着沉积温度的升高,金刚石膜(111)择优取向生长的倾向增高,当沉积温度高于1050℃时,金刚石膜改变了原先的以(111)择优取向生长的趋势,变为了以(100)择优取向生长;在气体流速为200～1000 sccm范围内时,随气体流量的增加,金刚石膜(111)择优取向的倾向增加。当气体流量大于1000sccm时,金刚石膜(111)择优取向的倾向又稍有降低。
- 于盛旺刘艳青唐伟忠申艳艳贺志勇唐宾
- 关键词：金刚石膜工艺参数
- 高功率MPCVD金刚石膜透波窗口材料制备研究被引量：11
- 2012年
- 使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在沉积功率8 kW条件下,对大面积金刚石膜透波窗口材料进行了制备研究。分别使用扫描电镜、Raman、分光光谱仪、热导率测试仪和空腔谐振法对金刚石膜的表面形貌、品质、光透过率、热导率和微波复介电常数等进行了表征及测试。实验结果表明,使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,能够满足较高功率下高品质金刚石膜的快速沉积;抛光后的自支撑金刚石膜具有高的光学透过率和热导率,在23～36 GHz频率范围内微波介电损耗小于1×10-4,有着良好的微波介电性能,是较为理想的透波窗口材料。
- 于盛旺刘艳青唐伟忠申艳艳贺志勇唐宾
- 关键词：金刚石膜MPCVD
- MPCVD高品质金刚石膜的制备与K-Ka波段微波介电性能研究
- 为了满足微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)金刚石膜作为微波介电材料的应用需求,本文从改变MPCVD生长参数制备不同品质的金刚石膜入手,并同时设计和建立了一台低损耗薄膜材料微波介电性能测试系统,继而探索了生长条件对金刚...
- 刘艳青
- 关键词：微波等离子体化学气相沉积金刚石膜微波介电性能
- 文献传递
- MPCVD金刚石膜的品质对其在K-Ka波段微波介电性能的影响
- 2017年
- 针对MPCVD金刚石膜K-Ka波段(18～40 GHz)微波电子器件领域的应用需求,以及探索金刚石膜介电性能与品质之间的关系的需要,制备了5个金刚石膜样品,并建立了一套K波段分体圆柱谐振腔微波介电性能测试装置。使用Raman光谱表征金刚石膜质量,采用K波段分体圆柱谐振腔测量金刚石膜的介电性能,并与Ka波段的结果进行比较。结果表明,不同品质的样品介电损耗在3.8×10^(-5)～76.8×10^(-5)范围内,且介电损耗与Raman半峰宽密切相关。同时,高品质金刚石膜K波段介电损耗高于Ka波段,而低品质的则呈现相反的结果。这是由于高品质金刚石膜介电损耗主要由导电性引起,而低品质金刚石膜内较高的缺陷密度导致单声子声学振动吸收和瑞利散射较大。
- 刘艳青丁明辉苏静杰李义峰唐伟忠
- 关键词：拉曼光谱介电性能
- 四甲基硅烷流量对硬质合金表面沉积的SiC涂层的影响被引量：1
- 2013年
- 采用强电流直流伸展电弧化学气相沉积(HCDCA CVD)技术,在Ar、H2和四甲基硅烷(TMS)先驱体组成的混合气体气氛下,在YG6硬质合金衬底表面沉积了SiC涂层。本文对不同TMS流量条件下制备的SiC涂层的沉积速率、表面形貌、化学成分、物相组成以及附着力进行了对比研究。在此基础上,实验选取表面连续致密且附着力良好的SiC涂层作为过渡层进行了金刚石涂层的沉积,并对金刚石涂层的形貌、质量以及附着力进行了表征。实验发现。随着TMS流量的增加,SiC涂层的沉积速率加快,连续和致密性逐渐改善,但其附着力明显降低。连续致密且附着力良好的SiC涂层作为过渡层,可以有效地抑制硬质合金中Co的扩散,消除Co在金刚石涂层沉积过程中的不利影响,获得附着力良好的纳米金刚石涂层。
- 黑鸿君于盛旺刘艳青丁明辉李义锋唐伟忠
- 关键词：金刚石涂层
