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黄浩

作品数：14 被引量：7H指数：1
供职机构：广西大学更多>>
相关领域：电子电信经济管理生物学农业科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 4篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇经济管理
  • 1篇生物学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇农业科学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 6篇晶体管
  • 3篇镀膜
  • 3篇镀膜工艺
  • 3篇薄膜晶体
  • 3篇薄膜晶体管
  • 2篇镀膜技术
  • 2篇钝化
  • 2篇氧化铝薄膜
  • 2篇栅绝缘层
  • 2篇绝缘层
  • 2篇高硬度
  • 2篇IGZO
  • 2篇玻璃盖板
  • 2篇玻璃基
  • 2篇玻璃基板
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底材料
  • 2篇高性能

机构

  • 14篇广西大学

作者

  • 14篇黄浩
  • 3篇刘颖
  • 3篇吴鑫

年份

  • 3篇2025
  • 6篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2006
  • 1篇1999
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种利用均匀微纳结构设计和脱水缩合化学反应结合的高硬度防眩光抗菌玻璃及其ARAFAGAM工艺
本申请涉及玻璃盖板镀膜技术领域，特别涉及一种利用均匀微纳结构设计和脱水缩合化学反应结合的高硬度防眩光抗菌玻璃及其ARAFAGAM工艺。通过在玻璃基板的表面由内而外依次覆盖双层TiO2膜层、蚀刻层、抗菌层和MgF2膜层。与...
黄浩叶伯溪
一种磁控溅射制备高性能IGO薄膜的方法
本发明涉及一种磁控溅射制备高性能IGO薄膜及其方法，所述方法具体为：将IGO靶材通过磁控溅射的方式，在衬底的温度为400℃的生长条件下，制备高性能IGO薄膜。所述方法成本低廉、生长速率快,所制得的薄膜厚度均匀，且导电性能...
刘颖罗蝶黄浩王南南王欣鹏吴鑫杨茂林陈子君黄方迪余美琳吴帅王喜浩覃薇尔荣梓浩
苍梧县工商业的决策支持系统的开发与研究
该文介绍了决策支持系统DSS在县一级主管工商业领导的经济决策过程中的应用.该文运用决策支持系统DSS和理论和方法,对领导的决策过程和决策方法进行了一定的研究.该文提出了数据库、模型库、知识库和友好的人机界面相结合的开发模...
黄浩
关键词：数据库模型库知识库
文献传递
一种通过SbS<Sub>x</Sub>制备P型二硒化钨场效应晶体管的制备方法
一种通过SbS<Sub>x</Sub>制备P型二硒化钨场效应晶体管的制备方法，属于半导体器件技术领域。器件包括：p型掺杂硅衬底、设置在上述p型掺杂硅衬底上的二氧化硅栅介质、设置在上述二氧化硅栅介质上的二硒化钨沟道材料、设...
孙士炜黄浩
一种利用光的干涉性原理和微纳结构设计结合的高硬度防眩光玻璃及其ARAGAF镀膜工艺
本申请涉及玻璃盖板镀膜技术领域，特别涉及一种利用光的干涉性原理和微纳结构设计结合的高硬度防眩光玻璃及其ARAFAG镀膜工艺。通过在玻璃基板的表面由内而外依次覆盖双层TiO<Sub>2</Sub>膜层、刻蚀层和MgF2膜层...
黄浩叶伯溪
一种兼容各类衬底的a-IGO薄膜晶体管制备方法
本发明属于半导体技术领域，涉及一种兼容各类衬底的a‑IGO薄膜晶体管制备方法，包括如下步骤：(1)准备硅片、玻璃、塑料三类典型衬底材料；(2)调控原子层沉积技术生长工艺、生长温度及薄膜沉积的厚度，在衬底上制备高质量超薄氧...
罗蝶黄浩王南南王欣鹏吴鑫黄方迪陈子君杨茂林覃薇尔荣梓浩余美琳吴帅王喜浩刘颖
一种钝化实现高性能超薄a-IGO薄膜晶体管的方法
本发明属于半导体技术领域，涉及一种钝化实现高性能超薄a‑IGO薄膜晶体管的方法，包括如下步骤：(1)提供a‑IGO薄膜，送入反应腔室；(2)向反应腔室内通入三甲基铝，且以变化的压力通入氮气；(3)向反应腔室内通入氮气，吹...
罗蝶王南南黄浩王欣鹏吴鑫陈子君黄方迪杨茂林余美琳吴帅王喜浩刘颖覃薇尔荣梓浩
复合菌配合有机肥对污染土壤重金属形态的影响及蔬菜生物效应
本文对矿区重金属污染土壤进行试验，试验方式为盆栽，通过复合菌配合有机肥在栽培蔬菜后研究其对土壤重金属Cu、Zn、Pb的形态转化和蔬菜生物效应的影响，取得的主要结果如下:　　(1)单独施有机肥对污染土中的重金属Cu、Zn、...
黄浩
关键词：复合菌有机肥
文献传递
场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种场效应晶体管，其具有利用特定金属构建的电极接触界面，或具有利用特定金属构建的电极，所述特定金属为场效应晶体管工作时，在电极接触界面热熔的金属单质或合金。本发明的场效应晶体管运行时，低熔点金属熔融而使得接触...
黄浩王奥林张之介廖蕾
一种缺陷互补偿机制获得高性能氧化铝IGO/IGZO叠层薄膜晶体管的方法
本发明属于半导体技术领域，涉及一种缺陷互补偿机制获得高性能氧化铝IGO/IGZO叠层薄膜晶体管的方法，包括如下步骤：(1)准备硅片作为衬底材料；(2)调控原子层沉积技术生长工艺、生长温度及薄膜沉积的厚度，在衬底上制备高质...
李照洋黄浩王欣鹏王南南钱科翰陈子君罗蝶成岸达沈城钰刘柳言张伊婕
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