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用高技术提高电子基础原料的档次,使电子行业步入良性发展轨道——等离子体技术在材料行业的应用: 自从1958年出现了集成电路以来，集成电路的发展带来了电子计算机的微小型化，从而使人类社会掀开了信息时代新的一页。而电子材料是新型电子元器件基础产品领域中所用的以其电性能为主要应用的材料。本文介绍了等离子体技术在电子材料...; 马兵; 关键词：集成电路电子材料等离子体技术; 文献传递

高频常压热等离子体制备纳微结构材料新技术: 袁方利陈运法胡鹏白柳杨马兵李晋; 该成果设计的等离子体反应器充分考虑了等离子体弧的热流场和气体的速度流场，保证了纳微结构材料生长过程均匀可控，生产效率提高了15%；在高频常压热等离子体制备纳微结构材料过程中，材料的生长习性得到充分展示，不仅能够获得结晶度...; 关键词：; 关键词：等离子体反应器高温材料

用高技术提高电子基础原料的档次，使电子行业步入良性发展轨道——等离子体技术在材料行业的应用: 一、前言自从1958年出现了集成电路以来,集成电路的发展带来了电子计算机的微小型化,从而使人类社会掀开了信息时代新的一页。而电子材料是新型电子元器件基础产品领域中所用的以其电性能为主要应用的材料。其品种繁多,根据材料的化...; 马兵; 关键词：等离子体技术化学反应过程等离子体发生器等离子体法粉体颗粒; 文献传递

一种纳米高纯二氧化硅的制备方法: 本发明涉及一种纳米高纯二氧化硅的制备方法，其为在高频等离子体气相氧化反应装置中采用等离子体气相法制备纳米SiO<Sub>2</Sub>，包括：将空气或氧气净化后送入高频等离子体发生器，在震荡功率30KW、频率3～4MHz...; 马兵陈运法张建森; 文献传递

非平衡等离子体气相合成纳米氮化钛微粉: 本文在实验的基础上,采用TiCl4+N2+H2气相化学反应体系,对用微波等离子体化学法合成氮化钛纳米粉体材料进行了研究。通过X-衍射,透射电子显微镜,激光粒度分析,比表面积分析对粉体的物性进行了研究。仪器的测试分析表明,...; 马兵黄生乔; 关键词：气相合成纳米氮化钛; 文献传递

纳米二氧化硅干法工业制备技术及其应用: 李英陈运法马兵张恒张建森刘海弟徐一鸣李春忠干路平吴镇江郭斌赵立旺王开力; 利用高频感应氧等离子体作为具有氧化气氛的热源，是一种新的工艺流程。该工艺完全拥有自己的知识产权并具有创新性。等离子体工艺过程制备纳米粉体最大的优点是可以对粉体颗粒粒径进行控制，通过温度、压力、反应物浓度及淬冷等参数的调节...; 关键词：; 关键词：干法纳米二氧化硅

微波等离子体化学法合成TiN纳米粉体材料研究: 利用TiCl（蒸汽）+N+H气相反应体系,采用微波等离子体加强气相化学反应法制备出了TiN纳米粉体材料。利用XRD、TEM、BET以及激光粒度分析等研究分析了粉体的物相、形貌、比表面积、粒径等性质。结果表明用微波等离子体...; 黄生乔马兵荣金龙; 关键词：微波等离子体氮化钛纳米粉体材料; 文献传递

微波等离子体化学合成纳米粉体材料研究与应用被引量：16: 2002年; 介绍了微波等离子体化学合成技术的原理和特点,分析了微波等离子体化学合成纳米粉体材料相对于其它方法的特点和优势. 综述了微波等离子体化学法合成纳米粉体材料这一领域国内外的最新研究与应用情况.; 黄生乔马兵; 关键词：微波等离子体化学气相沉积纳米材料

堇青石基体化学气相沉积碳化硅薄膜及其性能表征被引量：5: 2008年; 采用等温等压化学气相沉积技术,分别以CH3SiCl3-H2和SiCl4-CH4-H2为气源,在沉积温度1100和1000℃、压力101kPa条件下,制备了SiC薄膜.利用SEM和XRD、显微拉曼光谱、EDAX元素分析、HRTEM等测试技术对沉积薄膜的结构和组成进行了表征.结果表明,1100℃时,以CH3SiCl3-H2为气源沉积得到纯净的SiC薄膜,以β-SiC(111)面择优定向生长,由微米级的金字塔锥形结构组成,硅含量随着沉积温度降低而增加;以SiCl4-CH4-H2为气源沉积得到非晶态碳掺杂的SiC薄膜,碳含量随着沉积温度降低而增加.此外,以CH3SiCl3-H2为气源沉积的SiC颗粒平均粒径均比以SiCl4-CH4-H2为气源的粒径大.前者SiC薄膜的方块电阻在kΩ级以上,且随着沉积温度的下降急剧升高;后者1100℃时制备的薄膜的方块电阻在kΩ级以上,且随着沉积温度的降低而急剧下降,1000℃时降低到Ω级.; 尹博文杨艳马兵张伟刚; 关键词：化学气相沉积 Β-SIC 堇青石

一种纳米高纯二氧化硅的制备方法: 本发明涉及一种纳米高纯二氧化硅的制备方法，其为在高频等离子体气相氧化反应装置中采用等离子体气相法制备纳米SiO<Sub>2</Sub>，包括：将空气或氧气净化后送入高频等离子体发生器，在震荡功率30KW、频率3～4MHz...; 马兵陈运法张建森; 文献传递

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