您的位置: 专家智库 > >

陆明莹

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:东南大学更多>>

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇直接键合
  • 2篇键合
  • 2篇键合强度
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体表面
  • 2篇表面层

机构

  • 2篇东南大学

作者

  • 2篇阮宝崧
  • 2篇陆明莹
  • 2篇吕世骥

年份

  • 1篇1989
  • 1篇1988
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
半导体直接键合的表面处理方法
用于半导体片直接键合的表面处理方法,采用等离子体表面处理,不仅可以增加半导体表面的OH浓度,而且可以增加表面层内原子活性。从而显著增大键合强度。本方法可以在半导体表面生长绝缘层的同时完成,操作方便,成本低,便于在批量生产...
吕世骥阮宝崧郭跃华蔡跃明陆明莹
文献传递
半导体直接键合的表面处理方法
用于半导体片直接键合的表面处理方法,采用等离子体表面处理,不仅可以增加半导体表面的OH浓度,而且可以增加表面层内原子活性,从而显著增大键合强度。本方法可以在半导体表面生长绝缘层的同时完成,操作方便,成本低,便于在批量生产...
吕世骥阮宝崧郭跃华蔡跃明陆明莹
文献传递
共1页<1>
聚类工具0