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郭建刚

作品数：36 被引量：4H指数：2
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信农业科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 7篇会议论文
  • 4篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 10篇理学
  • 6篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇农业科学

主题

  • 15篇籽晶
  • 15篇坩埚
  • 13篇单晶
  • 11篇超导
  • 9篇石墨坩埚
  • 6篇液相
  • 6篇液相法
  • 6篇助熔剂
  • 5篇导体
  • 5篇碳化硅
  • 5篇超导体
  • 4篇碳化硅单晶
  • 4篇晶体
  • 4篇硅单晶
  • 4篇N型
  • 4篇SIC单晶
  • 3篇生长面
  • 3篇温场
  • 3篇保温结构
  • 3篇磁性

机构

  • 35篇中国科学院
  • 3篇中国科学院大...
  • 1篇国家纳米科学...

作者

  • 35篇郭建刚
  • 35篇陈小龙
  • 22篇王文军
  • 21篇李辉
  • 9篇王刚
  • 6篇金士锋
  • 6篇周婷婷
  • 6篇赖晓芳
  • 2篇朱开兴
  • 1篇孙力玲
  • 1篇贺蒙
  • 1篇王顺冲
  • 1篇刘军
  • 1篇郭静

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇帕纳科第12...
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理

年份

  • 10篇2025
  • 6篇2024
  • 7篇2023
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2009
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于超导线材的高熵铁基超导化合物及其制备方法
一种用于超导线材的高熵铁基超导化合物，其具有以下化学式：HEO<Sub>1‑x</Sub>FeAsF<Sub>x</Sub>，0≤x≤0.5；其中，HE由选自元素周期表IIIB族的3‑14种金属元素和元素周期表ⅠA‑ⅡA...
应天平刘辉郭建刚陈小龙
碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统
本发明提供了一种碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统。生长方法包括：将碳化硅籽晶置于坩埚的底部；将原料块覆盖在碳化籽晶上；其中原料块包括硅元素和碳元素；将助熔剂装到原料块和坩埚内壁之间的区域；对坩埚进行加热，...
陈小龙 王国宾郭建刚李辉王文军 盛达
溶液法生长SiC单晶的方法
一种溶液法生长SiC单晶的方法，包括：(1)将原料块置于坩埚底部，并且将助熔剂置于原料块的上方；其中所述原料块的组成满足Si和C的摩尔比为1:1；(2)将坩埚置于生长炉中，将SiC籽晶固定在坩埚上方的提拉杆上，然后对所述...
陈小龙王国宾郭建刚李辉王文军盛达
一种籽晶粘接方法
本发明提供了一种籽晶粘接方法，包括：在籽晶的非生长面和石墨纸之间设置第一非耐高温有机自粘胶膜；进行第一次热压，使所述石墨纸粘接在所述籽晶的非生长面上，从而在所述籽晶上形成石墨层，然后进行第一次降温；在籽晶托上平铺第二非耐...
陈小龙宋颖王文军李辉郭建刚
分步法合成CdS0.4Se0.6中空纳米结构
纳米中空结构具有奇特的结构和特殊的性质,在药物运输、纳米称重、光催化、感应器和光电器件等方面具有重要的应用意义。关于纳米中空结构的制备方法,主要有软模板法和硬模板两种方法。软模板法是利用动物的泡囊、液滴、LB膜和微乳液等...
郭建刚刘军朱开兴王文军王刚陈小龙
关键词：模板法CDS分步法
用于制备3C-SiC单晶的方法
本发明提供了一种用于制备3C‑SiC单晶的方法，其包括以下步骤：(1)将SiC籽晶固定至石墨籽晶托，然后将所述石墨籽晶托固定至石墨提拉杆；(2)将含Si和Al的助熔剂置于石墨坩埚中；(3)然后，将所述石墨坩埚和石墨提拉杆...
陈小龙李辉王国宾盛达王文军郭建刚
用于制备n型4H-SiC单晶的方法
本发明提供一种用于制备n型4H‑SiC单晶的方法，其依次包括以下步骤：(1)将含Si、Al和过渡金属的金属原料置于石墨坩埚中，并且将SiC籽晶固定在石墨籽晶杆上；(2)将所述石墨坩埚置于生长炉中，然后对所述生长炉抽真空；...
陈小龙盛达杨云帆李辉王文军郭建刚
K0.8Fe2-xCoxSe2中超导的淬灭(摘要)
本文在研究常压下具有超导转变温度＞30K的K0.8Fe2Se2的基础上,采用两步法合成了K0.8Fe2-xCoxSe2(0≤x≤0.035),并对其运输以及磁学性质进行了初步表征及分析.
周婷婷陈小龙郭建刚王刚金士锋赖晓芳
关键词：显微结构磁学性质
文献传递
用于确定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法
本发明提供一种用于确定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法，包括如下步骤：(1)清洁碳化硅晶片表面；(2)使得达因液在清洁后的碳化硅晶片的两个表面上分别形成均匀的液体涂层；(2)根据达因液在碳化硅晶片表面上的以下润湿情况来判断硅...
陈小龙盛达王国宾王文军郭建刚李辉
溶液法生长SiC单晶的方法
一种溶液法生长SiC单晶的方法，包括：(1)将原料块置于坩埚底部，并且将助熔剂置于原料块的上方；其中所述原料块的组成满足Si和C的摩尔比为1:1；(2)将坩埚置于生长炉中，将SiC籽晶固定在坩埚上方的提拉杆上，然后对所述...
陈小龙 王国宾郭建刚李辉王文军 盛达
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