路治平
- 作品数：32 被引量：61H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家攀登计划更多>>
- 相关领域：理学化学工程电子电信一般工业技术更多>>
- BBO晶体拉曼光谱的高温特性研究被引量：3
- 1997年
- ＢＢＯ晶体拉曼光谱的高温特性研究李郁陈凯旋尤静林蒋国昌（上海大学上海２０１８００）洪慧聪路治平仲维卓（中科院上海硅酸盐研究所上海２０００５０）ＨｉｇｈＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｆＢＢＯＣｒｙｓｔａｌＬｉＹｕ，ＣｈｅｎＫａｉｘｕａｎ...
- 李郁陈凯旋尤静林蒋国昌洪慧聪路治平仲维卓
- 关键词：偏硼酸钡晶体BBO拉曼光谱
- 可控硅温度控制系统的控温精度研究
- 1991年
- 研究了小滞后情况下可控硅控温系统中干扰对炉温波动的影响,导出了炉温波动的数学表达式,分析了炉温波动与系统参数间的关系,并与实验结果进行了比较,为进一步提高系统的控温精度提供了理论依据.
- 路治平薛志麟
- 关键词：可控硅温度控制系统
- 硅酸铋晶体的结晶习性被引量：1
- 1990年
- 本文详细介绍了提拉生长的硅酸铋晶体(BSO)在不同生长条件下的结晶形貌。根据各晶面的形态重要性(MI值)和显露面的比表面能随温度的变化,用推广了的最小表面能原理,系统地分析了各族晶面的发育显露,以及籽晶取向、温场、转速等生长条件对结晶形貌的影响。
- 罗豪苏路治平赵天德仲维卓
- 关键词：硅酸铋晶体晶体习性光折变晶体
- 化学计量比铌酸锂晶体的理论与实验研究
- 铌酸锂晶体由于具有良好的压电、电光、声光及非线形光学特性,被广泛应用于制备各种功能器件领域。近期的研究表明,化学计量比铌酸锂晶体由于具有完整的晶格,其诸多性能较之同成分铌酸锂晶体有了很大程度的改进,例如:其180°畴的反...
- 郑燕青孔海宽陈辉路治平施尔畏
- 关键词：理论与实验研究铌酸锂晶体
- 文献传递
- 低温相偏硼酸钡晶体的结晶习性被引量：1
- 1991年
- 本文首次报道了采用熔盐提拉法生长的低温偏硼酸钡(β-Ba_(2)BO_(4))晶体的结晶习性。采用Z轴方向籽晶生长的β-Ba_(2)BO_(4)晶体主要是由正菱面体Rr{1012}、负菱面体r{0114}、菱面体s{112}、六方柱a{1210},二组三方柱m_(1){1010}、m_(2){0110},以及单面(0001)或(0001)等单形组成。
- 洪慧聪路治平赵天德华素坤仲维卓
- 关键词：结晶习性偏硼酸钡
- 溶剂恒液面提拉生长β－偏硼酸钡的方法
- 本发明涉及一种用溶剂恒液面提拉生长β-偏硼酸钡(β-BB0)单晶的方法，属于晶体生长领域。;本发明生长熔剂可分别采用Na<Sub>2</Sub>O，BaF<Sub>2</Sub>或Na<Sub>2</Sub>O+BaF<...
- 仲维卓路治平赵天德洪慧聪华素坤
- 文献传递
- 近化学计量比LiNbO_3晶体电畴结构观察和机理探讨被引量：1
- 2005年
- 采用双坩埚提拉法(DCCZ)生长了各种不同成分的近化学计量比LiNbO3晶体,并用腐蚀法观察了其电畴结构.结果表明,化学成分对未经极化处理晶体的电畴结构起决定性作用,当Li2O含量处于49.4mol%附近时,晶体z面电畴呈现特殊的三次对称反畴;当晶体中Li2O含量为49.7mol%时,晶体为完全单畴.本文对其形成机理进行了探讨,认为在由顺电相向铁电相转变时,局部铁电畴的极性方向与该处沿z轴方向的温度梯度正负密切相关,z轴生长晶体时,由于相变发生所处位置离生长界面的距离受LiNbO3晶体计量比影响,所处温场固有温梯也随之不同,在此基础上解释了不同成分晶体的电畴结构形成原因.最后讨论了控制铁电畴结构的工艺措施.
- 郑燕青陈建军路治平王绍华施尔畏
- 关键词：LINBO3晶体化学计量比电畴结构
- 三硼酸锂（LBO）晶体生长基元与形貌被引量：9
- 1996年
- 本文采用称重法研究了ＬＢＯ（ＬｉＢ３Ｏ５）晶体中（１００）、（０１０）、（００１）和（０１１）方向的生长速率与溶液过饱和度之间的关系，发现在相同过饱和度的条件下，同一晶体的不同界面上出现了粗糙化相变和二维成核的不同生长机制，这种现象用负离子配位体生长基元的观点得到了圆满的解释。通过对溶液结构的测定，证实了溶液中存在着Ｂ－Ｏ３三角形和Ｂ－Ｏ４四面体结构。它与晶体中的配位结构相同，这两种配位体结合而形成的（Ｂ３Ｏ７）５－与晶体中的络阴离子环相当。环状络阴离子有两个非对称分布的悬键，具有偶极子的特征，正、负相连构成链状结构，与环链垂直的晶面显粗糙化相变的特征，与环链平行的晶面显二维成核的特征。
- 仲维卓洪慧聪路治平赵天德华素坤唐鼎元赵庆兰
- 关键词：晶体形貌非线性光学晶体晶体生长
- 溶剂恒液面提拉生长β-偏硼酸钡的方法
- 本发明涉及一种用溶剂恒液面提拉生长β-偏硼酸钡(β-BBa)单晶的方法，属于晶体生长领域。;本发明生长熔剂可分别采用Na<Sub>2</Sub>O，BaF<Sub>2</Sub>或Na<Sub>2</Sub>O+BaF<...
- 仲维卓路治平赵天德洪慧聪华素坤
- 文献传递
- 近化学计量比铌酸锂晶体(S-LN)生长技术攻关
- 王绍华郑燕青施尔畏路治平崔素贤陈辉李贇孔令忠
- 该项目自主设计并采用双坩埚排液技术，成功生长出了高质量的2英寸S-LN晶体，取得了技术上的突破。对原料合成和预处理的科学和工艺技术进行了研究，同时对生长工艺参数的优化进行了研究。研究了S-LN晶体的生长习性和生长缺陷，并...
- 关键词：
- 关键词：近化学计量比
