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江继军

作品数:14 被引量:56H指数:5
供职机构:中国工程物理研究院流体物理研究所更多>>
发文基金:中国工程物理研究院科学技术发展基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程化学工程更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 9篇激光
  • 5篇飞秒
  • 4篇液晶
  • 4篇飞秒激光
  • 3篇偏振
  • 3篇偏振态
  • 3篇
  • 2篇电荷耦合
  • 2篇电荷耦合器
  • 2篇电荷耦合器件
  • 2篇载流子
  • 2篇数值模拟
  • 2篇通信
  • 2篇光电
  • 2篇光开关
  • 2篇光学
  • 2篇CCD
  • 2篇值模拟
  • 1篇电场
  • 1篇电光

机构

  • 13篇中国工程物理...
  • 4篇四川大学

作者

  • 14篇江继军
  • 7篇张大勇
  • 6篇李剑峰
  • 5篇罗福
  • 4篇沈志学
  • 4篇刘海涛
  • 3篇付博
  • 3篇罗飞
  • 3篇骆永全
  • 2篇陈建国
  • 2篇刘国栋
  • 1篇赵剑衡
  • 1篇周维军
  • 1篇孙承纬
  • 1篇王伟平
  • 1篇刘仓理
  • 1篇张宁
  • 1篇桂元珍
  • 1篇刘文兵
  • 1篇张翠娟

传媒

  • 2篇激光技术
  • 2篇强激光与粒子...
  • 2篇高能量密度物...
  • 1篇中国激光
  • 1篇激光杂志
  • 1篇光电工程
  • 1篇应用光学
  • 1篇第八届全国激...

年份

  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
单晶硅表面载流子动力学的超快抽运探测被引量:8
2008年
利用800 nm波长的飞秒抽运探测技术测量了单晶硅表面50 ps内的瞬态反射率变化,研究了表面载流子的超快动力学过程。基于自由载流子密度变化过程建立的反射率模型可以很好地描述瞬态反射率变化,说明受激自由载流子超快响应的贡献主导了反射率的变化过程,经拟合获得了样品的表面复合速度(SRV)为1.2×106cm/s。建立了耦合的载流子输运模型,探讨了单晶硅表面热载流子的密度、温度随时间的演化过程。研究表明,表面复合过程是影响本征单晶硅表面载流子动力学的重要因素。
刘国栋王贵兵付博江继军王伟平罗福
关键词:超快光学飞秒激光
1.06μm连续激光辐照TiO_2/SiO_2薄膜元件的损伤效应研究被引量:7
2006年
用1.06μm连续激光辐照TiO2/S iO2薄膜元件,在不同强度下测量了激光辐照TiO2/S iO2薄膜元件引起反射信号幅度随时间的变化,并观察到薄膜从基体材料表面起泡、膜层脱落的现象。研究结果表明,TiO2/S iO2薄膜的反射光信号变化是连续激光辐照薄膜元件产生的热效应引起的;在激光辐照过程中,薄膜元件基体材料产生的热变形差别是基体起泡、脱落的主要原因。
周维军袁永华张大勇桂元珍江继军
关键词:连续激光热效应
飞秒激光作用下硅载流子浓度的超快变化过程数值模拟
2009年
根据硅材料的各参数和载流子浓度的速率方程,对超短脉冲激光辐照硅后栽流子浓度随时间的变化过程进行了数值计算。从硅载流子浓度驰豫速率方程出发,在单一载流子温度假设的基础上,推导出简化后的硅载流子浓度驰豫速率方程,并在Matlab平台上用4阶龙格-库塔法对微分方程进行了数值计算。数值计算和实验结果相似性较好。
江继军罗福刘文兵陈建国
关键词:载流子浓度速率方程数值模拟
硅光电二极管激光损伤阈值随激光脉宽的变化被引量:9
2004年
对飞秒激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了实验测量 ,对从 1s到 6 0fs不同脉宽激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了讨论。实验数据表明 ,在 1s到 10ns脉宽范围内损伤所需能量密度近似而非严格地与脉宽的平方根成正比。信号分析表明硅光电二极管的损伤主要由热效应造成 ,而 6 0fs激光辐照下的损伤阈值为 0 .1J/cm2 。
罗福江继军孙承纬
关键词:飞秒激光硅光电二极管损伤阈值
硅对激光的响应被引量:1
2008年
综述了硅材料在激光辐照下出现的各种效应研究结果。重点探讨了硅对激光的吸收机制,给出了波长、温度、声子能量、激光强度、自由载流子浓度等因素对吸收系数的影响机理。探讨了载流子及能量的输运过程和载流子复合机理,分析了各种复合机制的重要程度,探讨了损伤特性与激光参数的关系。
罗福江继军刘国栋辛建婷
关键词:载流子输运损伤度
液晶可变延迟器研制及其电控相位延迟测量被引量:12
2011年
为了获取线性易控的可变延迟器,研制了基于SLC-7607A平行向列相液晶的可变延迟器。简要阐述了液晶可变延迟器工作原理和研制工艺过程,采用基于Stokes参量的可变延迟器的相位延迟测量新方法,在入射光波长为632.8nm时,测出了可变延迟器的相位延迟与控制电压关系特征曲线,测量结果具有很好的重复性。结果表明,电压在1V~2.7V区间,可变延迟器具有线性易控的特点,并拟合出它们的线性关系式。该实验结果对液晶可变延迟器的研制、测量和使用都具有一定的参考价值。
江继军张大勇李剑峰
关键词:光学器件液晶斯托克斯参量
飞秒激光辐照硅及硅光电探测器研究
硅半导体材料在集成电路与光电探测器的制造上有着广泛的应用。近年来,硅半导体器件尺寸不断变小,目前已经缩小到了纳米尺度,载流子在这个尺度内的输运时间大约在ps量级,这促使人们需要对越来越短的时间尺度内硅的载流子动力学进行研...
江继军
关键词:飞秒激光光电探测器
文献传递
CCD在fs激光辐照下的损伤研究被引量:17
2005年
用脉宽为60fs、波长为800nm的fs激光辐照电荷耦合器件,研究了电荷耦合器件在fs激光作用下的失效问题。实验得到fs激光作用下电荷耦合器件的失效阈值为4. 22×10-3 J/cm2。这比ns激光作用下电荷耦合器件的损伤阈值低2~3个量级。对该器件进行显微观测,在光敏元上没有发现损伤,但在器件的栅极上发现了明显的激光引起的损伤痕迹。
江继军罗福陈建国
CCD在飞秒激光辐照下的损伤研究
用脉宽为60fs、波长为800nm的飞秒激光辐照CCD,研究了CCD在飞秒激光作用下的失效问题.实验得到了飞秒激光作用下CCD的失效阈值为4.22×10-3J/cm2.这比纳秒激光作用下CCD的损伤阈值低2-3个量级.之...
江继军罗福陈建国
关键词:飞秒激光电荷耦合器件
文献传递
一种低电压驱动的电光开关
本发明提供了一种低电压驱动的电光开关,所述的电光开关包括第一光学透明材料、第二光学透明材料和电光晶体,在第一光学透明材料表面设置反射率为R的第一反射膜层,在第二光学透明材料表面设置反射率为R的第二反射膜层。本发明的电光开...
付博张大勇罗飞骆永全沈志学江继军刘海涛李剑峰赵剑衡
文献传递
共2页<12>
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