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李长安
作品数:
10
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供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张金平
电子科技大学
任敏
电子科技大学
李泽宏
电子科技大学
张波
电子科技大学
李巍
电子科技大学
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机构
10篇
电子科技大学
作者
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李长安
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张波
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李泽宏
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任敏
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张金平
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李巍
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夏小军
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张蒙
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张仁辉
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安俊杰
1篇
陈伟中
1篇
赵起越
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杨文韬
1篇
王娜
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单亚东
年份
1篇
2015
1篇
2013
8篇
2012
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一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器
一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器,属于半导体功率器件技术领域。包括集成在一起的一个结型场效应晶体管JFET和一个可调热敏电阻,可调热敏电阻一端与JFET源极相连,另一端与JFET的栅极相连。该发明的核心为可调的热敏...
李泽宏
李长安
张仁辉
李巍
张金平
任敏
张波
文献传递
一种平面栅电荷存储型IGBT
一种平面栅电荷存储型IGBT,属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统平面栅电荷存储型IGBT的基础上,在N型漂移区和N型电荷存储层之间引入一层P型埋层;通过P型埋层引入的附加PN结和电荷的电场调制作用,屏蔽了高掺杂N型...
张金平
夏小军
王娜
李长安
张蒙
李泽宏
任敏
张波
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一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管
一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管,属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统Planar FS-IGBT基础上,在其N-漂移区(8)中注入深能级N型杂质。通过深能级杂质随着温度升高,电离度升高,杂质浓度上升这一特...
李泽宏
李巍
张蒙
李长安
张金平
任敏
张波
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一种强抗闩锁IGBT的设计
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是非常重要的一类电力电子器件,能很好应用于多种领域。我国对IGBT的需求量很大且增长迅速,但国内IGBT的研究起步较晚,虽然...
李长安
关键词:
绝缘栅双极晶体管
开关特性
一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器
一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器,属于半导体功率器件技术领域。包括集成在一起的一个结型场效应晶体管JFET和一个可调热敏电阻,可调热敏电阻一端与JFET源极相连,另一端与JFET的栅极相连。该发明的核心为可调的热敏...
李泽宏
李长安
张仁辉
李巍
张金平
任敏
张波
文献传递
一种沟槽栅电荷存储型IGBT
一种沟槽栅电荷存储型IGBT,属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统的沟槽栅电荷存储型IGBT的基础上,在器件N型漂移区的上部引入一层P型埋层,通过P型埋层引入的附加PN结和电荷的电场调制作用,屏蔽了高掺杂N型电荷存储...
张金平
夏小军
李长安
张蒙
安俊杰
李泽宏
任敏
张波
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一种FS-IGBT器件的制备方法
一种FS-IGBT器件的制备方法,属于功率半导体器件技术领域。本发明使用衬底上进行N型杂质注入形成场截止层,然后生长外延层,制作正面图形,然后背部减薄,背部P型集电区注入并退火,背部金属化的方法来制作场截止型晶体管,可以...
李泽宏
杨文韬
单亚东
夏小军
李长安
张蒙
张金平
任敏
张波
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一种载流子存储的沟槽双极型晶体管
一种载流子存储的沟槽双极型晶体管,属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统CSTBT基础上,在P-base区域6沟道末端用一层薄N+层结构21来取代牺牲的少量P-base区域,从而进一步提高载流子储存层与漂移区的电子浓度...
李泽宏
李巍
赵起越
夏小军
李长安
张金平
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一种半导体线性恒流器
一种半导体线性恒流器,属于半导体器件技术领域。该线性恒流器包括一个MOSFET(14)、一个稳压二极管(13)和一个限流电阻(12),三者集成到同一个芯片上。稳压二极管的一端与MOSFET的栅极G相连,另一端与MOSFE...
李泽宏
李长安
李巍
张仁辉
张金平
任敏
张波
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一种变形槽栅介质的CSTBT器件
一种变形槽栅介质的CSTBT器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统CSTBT器件的基础上,改变槽内沟道区下方,即P型基区(5)下方栅介质层(7)的形状,使沟槽底部的多晶硅栅极12被更多的栅介质层7所包围,在基本不...
李泽宏
李巍
陈伟中
李长安
张金平
任敏
张波
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