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弓小武

作品数：114 被引量：10H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 105篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 44篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 4篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 21篇芯片
  • 19篇功率模块
  • 16篇碳化硅
  • 15篇半导体
  • 12篇势垒
  • 12篇势垒层
  • 12篇功率器件
  • 11篇基板
  • 11篇二极管
  • 11篇半导体器件
  • 10篇电感
  • 10篇晶体管
  • 10篇击穿电压
  • 10篇寄生电感
  • 9篇电路
  • 9篇源极
  • 9篇结温
  • 8篇集电极
  • 8篇功率芯片
  • 7篇异质结

机构

  • 107篇西安电子科技...
  • 7篇西安交通大学
  • 2篇西安微电子技...
  • 1篇西安电力电子...

作者

  • 114篇弓小武
  • 86篇袁嵩
  • 71篇何艳静
  • 24篇王颖
  • 13篇汤晓燕
  • 13篇宋庆文
  • 13篇张玉明
  • 13篇姜涛
  • 13篇袁昊
  • 5篇罗晋生
  • 4篇樊昌信
  • 4篇王猛
  • 4篇刘玉书
  • 3篇高玉民
  • 1篇杨林森
  • 1篇王晓宝
  • 1篇冯玉春

传媒

  • 5篇电力电子技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 20篇2025
  • 38篇2024
  • 8篇2023
  • 22篇2022
  • 13篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇1998
  • 3篇1997
  • 4篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
共 114 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有动态载流子通道的低损耗超结IGBT器件及其制造方法
本发明公开了一种具有动态载流子通道的低损耗超结IGBT器件及其制造方法，器件结构包括：N‑漂移区、P‑掺杂区、空穴阻挡层、P基区、N+源区、P+接触区、P‑沟槽区、第一栅极、源极以及欧姆接触区，P‑掺杂区位于N‑漂移区中...
何艳静张飞翔袁嵩弓小武
文献传递
一种槽栅结构与双异质结结构的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种槽栅结构与双异质结结构的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，对绝缘介质层和各个层形成的界面在超临界流体下进行退火处理，同时，采用低温退火工艺，避免了高温的再氧化和材料分解，利用SCF态高渗透、高溶解以及...
袁嵩张世杰江希姜涛严兆恒何艳静弓小武
一种手牵手型自均流碳化硅功率模块
本发明涉及手牵手型自均流碳化硅功率模块，包括：金属基板；金属基板的上表面设置有导电金属层，导电金属层上设置有多个直流功率端子、多个交流功率端子和多个碳化硅芯片；其中多个直流功率端子、多个交流功率端子、多个碳化硅芯片构成多...
江希胡清荣马年龙袁嵩王颖严兆恒弓小武
一种用于高侧功率开关的限流保护电路
本实用新型公开了一种用于高侧功率开关的限流保护电路，包括主功率管，还包括：信号产生电路，用于感测采样参数，并根据所述采样参数输出触发信号至导通电路，所述采样参数为采样电流或采样电压；导通电路，用于根据所述触发信号泻放所述...
弓小武薛晓磊杨世红
文献传递
三端电压控制器件及其制作方法
本发明公开了一种三端电压控制器件及其制作方法，涉及功率电子器件技术领域，包括：衬底；缓冲层，位于衬底的一侧；钝化层，位于缓冲层背离衬底的一侧，钝化层包括开口，开口内包括沟道层和势垒层，沟道层位于缓冲层背离衬底的一侧，势垒...
江希姜涛袁嵩张世杰严兆恒何艳静弓小武
一种新的超级结器件及其制备方法
本发明公开了一种新的超级结器件及其制备方法，该器件包括：N+衬底；N‑漂移区，设置于N+衬底上表面；至少两个P型柱区，间隔设置于N‑漂移区内；若干P+体区，分别设置于P型柱区中最顶端的P型柱子区；若干N+源区，分别设置于...
何艳静赖建锟江希袁嵩弓小武
文献传递
一种T型阳极GaN肖特基温度传感器及其制备方法
本发明公开了一种T型阳极GaN肖特基温度传感器，包括：自下而上堆叠而成的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、AlN插入层和势垒层；半圆环形P型GaN层堆叠于势垒层上方的一侧。第一钝化层覆盖于势垒层上表面除P型GaN层以外的地方...
江希邓超凡严兆恒袁嵩何艳静弓小武
一种全GaN集成的带隙基准源电路及制作工艺
本发明涉及一种全GaN集成的带隙基准源电路，包括：多个增强型GaN HEMT晶体管、多个横向温度传感器二极管、多个片上电阻和外延片；所述多个增强型GaN HEMT晶体管、所述多个横向温度传感器二极管和所述多个片上电阻均集...
江希赵云宣袁嵩严兆恒董浩何艳静弓小武
一种结合HK集电极栅的SJ-LIGBT器件结构
本发明提供一种结合HK集电极栅的SJ‑LIGBT器件结构，涉及半导体技术领域。包括：P型衬底区、发射极结构、栅极结构、漂移区结构和集电极结构，集电极结构包括第一集电极、第一N‑bufferlayer区、第二N‑buffe...
袁嵩 崔志昌 李彦佐 严兆恒 江希弓小武
一种具有沟道缓冲层的半超结MOSFET器件及其制备方法
本发明公开了一种具有沟道缓冲层的半超结MOSFET器件及其制备方法，该器件包括：N<Sub>BAL</Sub>电压支撑层；P‑pillar区和N‑pillar区，设置于N<Sub>BAL</Sub>电压支撑层表面，且两者...
何艳静张飞翔江希袁嵩弓小武
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