唐燕生
- 作品数：7 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南开大学物理学院物理学系更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程化学工程理学更多>>
- 硅酸铋单晶光纤生长被引量：1
- 1989年
- 利用自制电阻加热式下拉法生长装置,在较小温度梯度和较低下拉速度条件下,首次生长出晶向为[111]的硅酸铋单晶光纤,直径0.5—2mm,长度大于9mm。经测试,其磁光效应显著,电流-光强变换线性相关系数大于0.95,可用于制作光纤型磁光器件。
- 李冠告李兵温金珂唐燕生王华馥董孝义盛秋琴张建忠
- 关键词：硅酸铋单晶光纤磁光效应
- 高掺镁铌酸锂晶体的缺陷
- 1991年
- 在铌酸锂中掺入氧化镁后,对其物理性质影响较大,当掺入量>5mol%MgO后,由于光电导增大,使其抗光析变性能大大提高,这一现象扩大了它的应用前景。晶体掺杂势必引起缺陷的增多,缺陷与生长条件、退火、极化等后处理工作有关,并对光学器件应用有很大影响。
- 唐燕生黄自恒
- 关键词：晶体铌酸锂
- 富锂高掺镁铌酸锂晶体
- 铌酸锂晶体是一种光学材料，具有良好的电光性能和非线性光学性能，在激光方面可以制作光调制器、Q开关、光倍频器等器件。; 但是，在较低功率密度激光照射下，铌酸锂晶体会产生局部光致折射率的变化——光折变，限制了它的应用。; 本...
- 温金珂唐燕生吴仲康王华馥
- 文献传递
- 富锂LiNbO_3∶Fe∶Mg晶体中的X射线折变
- 1989年
- 从双折率变化测量、吸收光谱和 ESR 谱三个方面研究了富锂 LiNbO_3∶Fe∶Mg、LiNbO_3∶Fe 和纯的LiNbO_3晶体中 X 射线致折射率变化。结果表明 X 射线致折射率变化现象不同于通常的光折变。伴随着 X射线折变的产生,出现了光色效应。X 射线折变后,晶体中 Fe^(2+)含量增加。X 射线折变可能是过量的 Fe^(2+)产生的。
- 冯惠贤温金珂唐燕生王华馥白令君
- 关键词：铌酸锂晶体
- MgO:LiNbO_(3)晶体电光Q开关被引量：2
- 1991年
- 用于YAG:Nd激光器的Q开关一般都是用KDP晶体制作,但KDP有几个明显的缺点:易潮解,封锁电压高,插入损耗大。也有报导用纯LiNbO_(3)晶体代替KDP制作Q开关,终因其易强光损伤而没有能广泛应用。MgO:LiNdO_(3)晶体比纯LiNbO_(3)晶体有更高的抗光折变能力,且不潮解,封锁电压低,是更适于制作Q开关的材料。
- 李兵唐燕生黄自恒陈绍林温金珂王华馥
- 关键词：电光Q开关
- MgO:LiNbO_(3)室温近90°角匹配高效倍频
- 1991年
- 实验发现MgO:LiNbO_(3)的位相匹配温度(T■)随MgO的含量改变有较大的变化,晶体含5mol%MgO时T■达到最高点130℃,含镁量再升高,T■几乎线性下降,到9mol%MgO时约降到5℃,显然在8mol%MgO附近可以找到实现室温90°角度匹配倍频的成分。
- 李兵唐燕生黄自恒张建华温金珂王华馥
- 关键词：室温倍频MGO
- 掺镁铌酸锂单晶生长的温度控制
- 1991年
- 掺杂铌酸锂单晶的生长由于杂质离子加入种类和数量不同,都不同程度改变了晶体条件,为了实现系列化掺杂铌酸锂单晶生长,必须建立一个温度应变强、易控制的单晶炉。我们使用的单晶炉为陕西机械学院工厂生产的,加热方式为中频感应,有其固有的优缺点。
- 李冠告唐燕生李兵黄自恒陈绍林
- 关键词：单晶生长温度控制铌酸锂掺镁
