刘键
- 作品数：95 被引量：54H指数：4
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
- 等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理被引量：2
- 2007年
- 对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析Al GaN表面,等离子体干法刻蚀增加了Al GaN表面粗糙度,甚至出现部分尖峰状突起,增大了栅金属与Al GaN的接触面积;另一方面,等离子体轰击使Al GaN表面出现一定量的N空位,相当于栅金属与Al-GaN接触界面处出现n型掺杂层,使肖特基结的隧道效应加强,降低了肖特基势垒.由此表明,Al GaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因.
- 李诚瞻庞磊刘新宇黄俊刘键郑英奎和致经
- 关键词：等离子体刻蚀栅电流
- 一种金刚石的制备方法
- 本发明涉及金刚石制备技术领域，具体涉及一种用原子层沉积设备制备金刚石的方法。所述制备方法，具体包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；通过载气运输方式将含碳前驱体输送至所述原子层沉积设备反应腔中；通过等离子体...
- 饶志鹏万军夏洋李超波刘键陈波黄成强石莎莉李勇滔
- 文献传递
- 钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响被引量：1
- 2008年
- 提出一种新的钝化技术——采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCl:H2O=1:4:20)对AlGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后再淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaNHEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面预处理再钝化,成功地抑制了AlGaN/GaNHEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱(XPS)检测预处理前后的AlGaN表面,观察到经过预处理后的AlGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AlGaN/GaNHEMTs性能的主要原因.
- 李诚瞻刘丹郑英奎刘新宇刘键魏珂和致经
- 关键词：ALGAN/GANHEMTS钝化
- 原子层沉积(ALD)方法制备单层石墨烯薄膜
- 本文根据原子层沉积(ALD)方法的基本原理,设计出一种制备石墨烯薄膜材料的方法.ALD是现今一种较新的薄膜制备技术,它的优势在于能够制备出只有一个原子层厚度的薄膜,而且薄膜的均匀性和致密性较好,这些优点完全符合薄膜材料的...
- 刘键饶志鹏
- 一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法
- 本发明公开了一种制作GaN基场效应晶体管的方法，包括：对GaN基材料层进行表面处理，淀积二氧化硅保护层；光刻形成光刻对准标记，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发标记金属；光刻形成源漏图形，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发源漏金属；...
- 李诚瞻魏珂郑英奎刘果果和致经刘新宇刘键
- 文献传递
- 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法
- 本发明涉及一种具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述探测器包括蓝宝石衬底，以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲层、n型Al<Sub>0.65</Sub>Ga<Sub>0...
- 白云麻芃刘键朱杰饶志鹏刘新宇
- 文献传递
- 一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法
- 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法，该方法包括：在制作氮化镓基场效应晶体管的过程中，在对氮化镓基场效应晶体管进行钝化之前，采用混合预处理溶液对器件表面进行表面预处理，...
- 李诚瞻魏珂刘新宇刘键刘果果郑英奎王冬冬黄俊和致经
- 文献传递
- 一种石墨的制备方法
- 本发明涉及一种石墨的制备方法。所述制备方法具体包括：步骤（1）将掺杂衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；步骤（2）向所述原子层沉积设备反应腔中通入含碳前驱体，通过等离子体放电，所述含碳前驱体电离出的含碳原子的基团吸附在所述...
- 夏洋饶志鹏万军刘键李超波陈波黄成强石莎莉李勇滔
- 文献传递
- 一种掺氮氧化锌薄膜的制备方法
- 本发明涉及氧化锌制备的技术领域，具体涉及一种掺氮氧化锌薄膜的制备方法。所述制备方法，包括：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入含锌源气体，含锌源气体中的锌原子吸附在硅衬底上；以氮气为载气向原...
- 刘键饶志鹏万军夏洋李超波陈波黄成强石莎莉李勇滔
- 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法
- 本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷，所述重氮甲烷在硅衬底表面进行化学吸附；所述的重氮甲烷与...
- 刘键饶志鹏夏洋石莎莉
