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高俊华

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院金属研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇中频磁控溅射
  • 3篇离子辅助沉积
  • 3篇纳米硅
  • 3篇纳米硅薄膜
  • 3篇硅靶
  • 3篇硅薄膜
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇电离规
  • 1篇薄膜晶体

机构

  • 3篇中国科学院金...

作者

  • 3篇闻立时
  • 3篇石南林
  • 3篇高俊华
  • 3篇孙超
  • 3篇宫骏
  • 3篇肖金泉
  • 3篇张林

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置
本实用新型涉及硅薄膜材料的制备领域，具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置。包括真空室、抽气装置，其特征在于：所述溅射真空装置内设有非平衡态向下溅射的平面孪生硅靶，孪生硅靶下方设有基片加热台，基片加热台与孪...
肖金泉高俊华闻立时张林石南林宫骏孙超
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一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置
本发明涉及硅薄膜材料的制备领域，具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置。利用中频磁控溅射法，采用中频电源激发等离子体来溅射与外加电磁线圈形成耦合磁场的非平衡态孪生磁控硅靶，在基体上沉积纳米硅薄，采用...
肖金泉高俊华闻立时张林石南林宫骏孙超
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一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置
本发明涉及硅薄膜材料的制备领域，具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置。利用中频磁控溅射法，采用中频电源激发等离子体来溅射与外加电磁线圈形成耦合磁场的非平衡态孪生磁控硅靶，在基体上沉积纳米硅薄，采用...
肖金泉高俊华闻立时张林石南林宫骏孙超
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