顾星
- 作品数：4 被引量：12H指数：3
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶GaN
- 2003年
- 随着多晶GaN材料发光研究的不断深入 ,大面积、价格低廉的多晶GaN基光电器件的研制已成为工业生产中一个重要的研究领域。石英玻璃以其自身特有的优势 ,成为生长多晶GaN材料的较为理想的衬底。本文采用一种新的金属镓层氮化技术 ,使用无定形石英作衬底 ,在常压下制备出多晶GaN。经分析测试表明 ,生长出的多晶GaN为六方结构且质量较好 。
- 邵庆辉叶志镇Nasser N.Morgan顾星黄靖云赵炳辉
- 关键词：金属GAN氮化镓半导体多晶材料
- 氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO_3晶体薄膜的影响被引量：6
- 2003年
- 本文采用脉冲激光沉积 (PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3 (LN)晶体薄膜 ,研究氧气压强对薄膜质量的影响。结果表明 ,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数。X射线衍射和透射电子显微镜分析表明 ,氧压为 30Pa时生长得到了完全c轴取向的LN薄膜 ,LN(0 0 6 )衍射峰的半高宽为 0 2 1°。
- 王新昌叶志镇何军辉黄靖云顾星卢焕明赵炳辉
- 关键词：PLD法硅衬底C轴取向薄膜生长脉冲激光沉积
- MOCVD生长Ⅲ族氮化物镓源的选择被引量：3
- 2002年
- MOCVD是生长Ⅲ族氮化物材料最成功的技术之一。镓源的选择是该技术中重要的一环。详细比较了三甲基镓和三乙基镓两种主要的镓源对生长样品在微结构、表面形态、电学性质和光学性质方面的不同影响 。
- 顾星叶志镇赵炳辉
- 关键词：MOCVDGAN
- Ⅲ族氮化物基发光二极管制造工艺被引量：3
- 2003年
- Ⅲ族氮化物是近年来半导体发光器件研究领域中的热点。由于InN,GaN,AlN及由其组成的连续变化固溶体合金所构成的半导体微结构材料,具有宽禁带宽电子漂移饱和速度高、介电常数小及导热性能好等特点,使其在制作短波长、高亮度的发光器件方面具有极其光明的前景。本文系统介绍了以氮化镓为代表的Ⅲ族氮化物基发光二极管的制造工艺。从工作原理、材料生长、掺杂和欧姆接触等各方面,介绍了各种氮化物二极管的不同器件结构和制造工艺。在介绍国际上最新制造技术的同时,对其发展前景做出了展望。
- 顾星叶志镇
- 关键词：发光二极管氮化镓
