陈亮
- 作品数：20 被引量：44H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程航空宇航科学技术更多>>
- Cl2/Ar/BCl3 ICP刻蚀对AlGaN的损伤研究被引量：1
- 2008年
- 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用,初步研究了Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀对AlGaN材料的损伤。运用X射线光电子能谱(XPS)对ICP刻蚀前后的n型Al0.45Ga0.55N表面进行了分析,并对刻蚀后AlGaN材料在N2气中快速热退火进行了研究。结果表明,在N2气中550°C退火3 min对材料的电学性能有明显的改善作用。
- 陈亮亢勇赵德刚李向阳龚海梅
- 关键词：感应耦合等离子体铝镓氮X射线光电子能谱
- GaN/AlGaN紫外探测器的制备与光电特性研究
- 作为第三代半导体材料的GaN属直接带隙半导体，具有禁带宽度大、电子漂移速度高、介电常数小等优点。优越的物理化学稳定性使其可以在苛刻的条件下工作，适合制备多种器件。特别是其三元合金AlGaN，随Al组分的变化禁带宽度在3....
- 陈亮
- 关键词：紫外探测器ICP刻蚀量子效率
- 一种可变工作能点的掠入射X射线显微成像光学结构
- 本发明公开了一种可变工作能点的掠入射X射线显微成像光学结构，涉及显微成像技术领域，其技术方案要点是：包括物点、第一反射镜、第二反射镜、第三反射镜和像平面；所述物点位于第一反射镜前方，所述像平面位于第三反射镜后；所述第一反...
- 李亚冉孙涵涵陈亮李文杰穆宝忠
- 红外探测器杜瓦内吸气剂的安装结构及实现方法
- 本发明公开了一种红外探测器杜瓦内吸气剂的安装结构及实现方法，它适用于红外探测器封装用工程杜瓦制备的部件技术。红外探测器杜瓦内吸气剂的安装结构包括杜瓦中空圆柱型外壳、可伐圆柱针脚、中空圆柱型陶瓷柱、吸气剂、力学支撑Ω环、圆...
- 王小坤曾智江郝振贻朱三根洪斯敏陈亮
- 红外探测器杜瓦内吸气剂的安装结构及实现方法
- 本发明公开了一种红外探测器杜瓦内吸气剂的安装结构及实现方法，它适用于红外探测器封装用工程杜瓦制备的部件技术。红外探测器杜瓦内吸气剂的安装结构包括杜瓦中空圆柱型外壳、可伐圆柱针脚、中空圆柱型陶瓷柱、吸气剂、力学支撑Ω环、圆...
- 王小坤曾智江郝振贻朱三根洪斯敏陈亮
- 文献传递
- 高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能被引量：7
- 2007年
- 研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝石,缓冲层为AlN,n型层采用厚度为0.8μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15μm的Mg掺杂GaN。采用Cl2、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面,光敏面面积为1.96×10-3 cm2。可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段,响应区域为310～365 nm,在360 nm处响应率最大,为0.21 A/W,在考虑表面反射时,内量子效率达到82%;优质因子R0A为2.00×108Ω.cm2,对应的探测率D=2.31×1013 cm.Hz1/2.W-1;且零偏压下的暗电流为5.20×10-13 A。
- 陈亮张燕陈俊郭丽伟李向阳龚海梅
- 关键词：P-I-N紫外探测器响应光谱
- 一种杜瓦内安装吸气剂的结构
- 本专利公开了一种杜瓦内安装吸气剂的结构，它适用于红外探测器封装用工程杜瓦制备的部件技术。红外探测器杜瓦内吸气剂的安装结构包括杜瓦中空圆柱型外壳、可伐圆柱针脚、中空圆柱型陶瓷柱、吸气剂、力学支撑Ω环、圆弧横针、串联横针和回...
- 王小坤曾智江郝振贻朱三根洪斯敏陈亮
- 文献传递
- 背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能
- 本文研究了p-GaN/i-GaN/n-Al0.3Ga0.7N异质结背照式p-i-n可见盲紫外探测器的制备与性能。器件的响应区域为310～365nm,最大响应率为0.046A/W,对应的内量子效率为19％,优值因子R0A达...
- 陈亮游达汤英文乔辉陈俊赵德刚张燕李向阳龚海梅
- 关键词：紫外探测器半导体材料镓化合物
- 文献传递
- Cl2/Ar/BCl3 ICP刻蚀AlGaN的研究
- 感应耦合等离子体（ICP）刻蚀在 AlGaN 基紫外探测器台面制作中起着重要作用。在对比了 ICP 与 RIE,ECR 等干法刻蚀技术优缺点的基础上,采用 Ni 作为掩膜,Cl/Ar/BCl作为刻蚀气体,对金属有机化学气...
- 陈亮亢勇朱龙源赵德刚李向阳龚海梅
- 关键词：感应耦合等离子体铝镓氮俄歇电子能谱
- 文献传递
- 一种检测LED灯具芯片结温的方法
- 本发明公开了一种检测LED灯具芯片结温的方法。包括：1.在与灯具正常工作电流大小相同的极短脉冲电流下，通过控制其周围环境的温度获得灯具两端正向电压随芯片结温变化的关系；2.在灯具直流正常工作下，获得其达到热平衡稳定后灯具...
- 陈亮刘石神张涛章美敏顾建忠童广辉何彬锋
