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范世

作品数:20 被引量:46H指数:4
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划“上海-应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术核科学技术更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 14篇理学
  • 5篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 15篇晶体
  • 6篇下降法
  • 6篇晶体生长
  • 5篇坩埚下降法
  • 4篇锗酸铋
  • 3篇四硼酸锂
  • 3篇硼酸
  • 2篇单晶
  • 2篇电晶体
  • 2篇调谐
  • 2篇压电晶体
  • 2篇声表面波
  • 2篇可调
  • 2篇可调谐
  • 2篇可调谐激光
  • 2篇激光
  • 2篇光学
  • 2篇辐照损伤
  • 2篇BGO
  • 1篇调谐激光器

机构

  • 20篇中国科学院
  • 1篇宁波大学

作者

  • 20篇范世
  • 10篇徐家跃
  • 6篇孙仁英
  • 3篇费一汀
  • 2篇林雅芳
  • 2篇廖晶莹
  • 2篇王文
  • 2篇陈红兵
  • 1篇李祖豪
  • 1篇陈端保
  • 1篇张光宇
  • 1篇朱国义
  • 1篇吴宪君
  • 1篇朱骏雄
  • 1篇杨平
  • 1篇周娟
  • 1篇丁嘉宣
  • 1篇叶崇志
  • 1篇徐学武
  • 1篇卞建国

传媒

  • 7篇人工晶体学报
  • 5篇无机材料学报
  • 1篇高能物理与核...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇压电与声光
  • 1篇陕西科技大学...
  • 1篇2006年二...
  • 1篇"96中国材...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 2篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1994
  • 6篇1991
  • 1篇1989
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
微量杂质在 BGO Bridgman 生长和性质上的行为被引量:3
1991年
在 Bridgman 生长的 BGO 闪烁单晶中,含量为 10^(-4)~10^(-6)wt%的 Fe、Pb、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Al 等微量杂质主要来源于原料和工艺过程中的局外污染。铂从坩埚上被侵蚀进入 BGO 熔体,其含量<2×10^(-5)wt%。用 AAS 和 ICP 分析测定了 Bridgman 生长中微量杂质的有效分凝系数。过渡金属杂质,特别是 Fe,使 BGO 染色并引起辐照损伤,形成300~700nm 范围的强吸收谱,致使 BGO 单晶的能量分辨率、相对荧光输出下降约10—20%。在辐照损伤下形成的 Fe、Pb 杂质色心,受热时形成晶体的热发光。
范世
关键词:锗酸铋BGO晶体晶体生长
布里奇曼法生长的Li_2B_4O_7晶体的X射线形貌观察被引量:2
1994年
本文通过X射线衍射形貌术观察了布里奇曼法(BR)生长和加速坩埚旋转的布里奇曼法(ACRT-BR)生长的Li_2B_4O_7单晶中的缺陷。晶体中的缺陷以亚晶界和位错为主。同时结合晶体生长和晶体结构对缺陷的成因及消除方法进行了讨论。
徐一斌范世奚同庚杨平蒋树声
关键词:布里奇曼法晶体生长
四硼酸锂晶体基片在移动通讯SAW器件上的应用
1991年
新型压电晶体Li_(2)B_(4)O_(7)(LBO)由于具有较高的声表面波有效耦合系数(k^(2)~1%)和零延迟温度系数(TCD=O)的切向,声速快,表面铝电极的反射率高和良好的冷加工性能而特别适于高频、宽带、低插损和高稳定度声表面波(SAW)器件的设计和制造。
范世王文T.Shiosaki
关键词:压电晶体LBO晶体声表面波SAW器件
四硼酸锂单晶的物理性能
1991年
用于性质测试的晶体样儡为不含芯区、包裹、微裂纹和放射颗粒等缺陷的宏观完整晶体。四硼酸锂晶体的比热平均值0.3307cal/g·K,其在25~500℃范围内的变化已示出。热膨胀系数各向异性,测量了<110>和<001>方向的热膨胀系数,随温度呈双曲线变化,即约在300℃时发生正负反转。
王文范世
关键词:热膨胀系数物理性能比热四硼酸锂单晶
硅酸铋(BSO)晶体闪烁性能研究被引量:8
1997年
报道对BSO晶体闪烁性能研究的若干结果。包括晶体的激发光谱和荧光光谱、光产额、发光衰减时间和抗辐照能力等特性。
何景棠朱国义陈端保陈端保李祖豪董晓黎范世李祖豪林雅芳卞建国徐家跃
关键词:硅酸铋晶体光产额辐照损伤
铌酸锶钡铁电晶体的生长研究
四方钨青铜型铌酸锶钡(SrBaNbO)晶体具有较大的电光和热电系数以及优良的光折变特性,在热电探测、全息数据存储、电光调制等方面具有潜在的应用。光学应用的大块SBN 单晶大多由提拉法获得。提拉法生长SBN 所遇到的两个主...
徐家跃童健范世
关键词:坩埚下降法晶体生长
文献传递
Li<,2>B<,4>O<,7>晶体开裂及其机理研究
研究了坩埚下降法生长Li〈,2〉B〈,4〉O〈,7〉晶体的开裂问题。根据晶体开裂形态的分析,结合该晶体的结构和热物理特性讨论了晶体开裂的起因和机理,探讨了消除晶体开裂的一些措施。
徐家跃范世
关键词:开裂反应
过渡金属元素(Fe与Cr)掺杂Bi_4Si_3O_(12)晶体闪烁性能的研究被引量:9
1999年
本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi4Si3O12及Fe、Cr掺杂Bi4Si3O12晶体.测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发一发射光谱.总结并解释了掺杂影响Bi4Si3O12晶体闪烁性能的规律.
费一汀孙仁英范世
关键词:坩埚下降法掺杂BSO晶体
四硼酸锂Li_(2)B_(4)O_(7)晶体的孪晶化
1991年
四硼酸锂晶体是新型非铁电压晶体材料,它兼具高声表面波有效耦合系数和低延迟温度系数等优点,可作为温度补偿型压电基片材料,并已在高频、高稳定度的SAW器件工业上应用。国内外均使用提拉法生长,其生长缺陷主要是芯区、条纹、开裂和散射颗粒。我所采用独创的坩埚下降法生长大直径(50~80mm)四硼酸锂,得到了无芯区、无条纹、无开裂和无散射的宏观完整晶体。本文首次发现和研究了四硼酸锂晶体的聚片孪晶化。
孙仁英范世徐一斌刘建民朱骏雄
关键词:坩埚下降法散射颗粒提拉法晶体
工业应用氧化物闪烁晶体的下降法生长(英文)被引量:3
2007年
闪烁晶体广泛应用于高能物理、核医学成像和辐射探测等领域。工业应用通常要求闪烁晶体具有高性能、大尺寸和低成本等。本文报道了中国科学院上海硅酸盐研究所在锗酸铋、钨酸铅和氧化碲等闪烁晶体工业化生长方面的最新研究进展,讨论了坩埚下降法作为工业晶体生长技术的优缺点。
徐家跃叶崇志储耀卿廖晶莹葛增伟范世
关键词:下降法锗酸铋钨酸铅氧化碲
共2页<12>
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