王志芳
- 作品数：6 被引量：13H指数：3
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 晶片研磨速率及损伤层的研究被引量：4
- 2006年
- 现代光电器件不仅要求有较高的平面度、样品平行度以及厚度,还要求有低损伤、高质量的加工表面。为了达到这个目的,对不同条件下的研磨速率及所产生的损伤层进行研究,并制定合理的研磨工序是必需的。叙述了研磨的本质及损伤层的产生,研究了晶片减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系,比较了不同磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响,为制定合理的研磨工序提供了依据。
- 王志芳
- 关键词：光电器件损伤层研磨
- 晶片研磨速率及损伤层的研究
- 现代光电器件不仅要求有较高的平面度、样品平行度以及厚度,还要求有低损伤、高质量的加工表面。为了达到这个目的,对不同条件下的研磨速率及所产生的损伤层进行研究,并制定合理的研磨工序是必需的。叙述了研磨的本质及损伤层的产生,研...
- 王志芳
- 关键词：光电器件损伤层研磨
- 文献传递
- 大尺寸锑化铟晶体生长等径技术研究被引量：5
- 2011年
- 为了获得高质量的晶体,需要解决大尺寸锑化铟晶体生长过程中的精确等径控制问题。阐述了采用提拉法生长晶体时的直径控制原理及方法,分析了影响等径控制的温度与时滞因素,并采用计算机辅助控制方法解决了大尺寸锑化铟晶体生长过程中的精确等径控制问题。生长出的3in锑化铟晶体的生长条纹不明显,位错密度小于10个/cm^2。
- 王志芳王燕华
- 关键词：锑化铟晶体生长位错
- 3in锑化铟晶片研磨工艺研究被引量：3
- 2013年
- 随着现代光电器件工艺的不断改进以及焦平面器件像元数的不断增加,大尺寸晶片越来越受到工艺人员的重视,晶片研磨过程中的表面平整度或总厚度偏差(TotalThickness Variation,TTV)数值有所增加。为了满足工艺人员对大尺寸晶片的要求,降低了研磨工艺中晶片的TTV值。在对不同研磨条件下所得到的晶片的TTV进行研究后,制定了合理的研磨工序。
- 于增辉赵超王志芳程鹏
- 关键词：研磨TTV
- 晶片研磨速率及损伤层的研究
- 现代光电器件不仅要求有较高的平面度、样品平行度以及厚度,还要求有低损伤、高质量的加工表面.为了达到这个目的,对不同条件下的研磨速率及所产生的损伤层进行研究,并制定合理的研磨工序是必需的.叙述了研磨的本质及损伤层的产生,研...
- 王志芳
- 关键词：光电器件损伤层表面粗糙度
- 文献传递
- 大直径高质量锑化铟单晶的生长研究被引量：5
- 2009年
- 锑化铟单晶是制备3μm～5μm红外探测器的重要材料。为了适应红外焦平面探测器大规模化发展的趋势,我们开展了高质量3in锑化铟单晶的生长研究。本文解决了大直径锑化铟单晶生长的关键技术,讨论了3in锑化铟单晶生长过程中的多晶原料提纯问题,以及单晶电性能参数控制、位错密度控制和直径控制问题,并采用Czochralski法成功地在国内首次生长出直径为3in的锑化铟单晶。其中,直径大于3in的单晶长度超过100mm,单晶的位错密度小于100cm^(-2)。试验结果表明:相对于其他半导体单晶生长位错密度沿晶棒增大的分布规律,我们得到的锑化铟单晶位错密度沿晶棒从头至尾递减,单晶尾部位错密度可小于50cm^(-2);同时单晶的电子迁移率、载流子浓度均满足制备高性能大规格红外焦平面探测器的要求。
- 王燕华程鹏王志芳程波陈元瑞徐鹏艳
- 关键词：锑化铟大直径单晶位错密度
