吴锦鹏
- 作品数：95 被引量：147H指数：6
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国学位与研究生教育学会研究课题更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 一种发射效率可控的半导体器件及其制作方法
- 本发明提供一种发射效率可控的半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域，第一掺杂剂区域与阴极和第二掺杂剂区相连，第三掺杂剂区域与阳极和第二掺杂剂区域相连，其中，第一掺杂剂区域和...
- 吴锦鹏曾嵘任春频刘佳鹏余占清赵彪屈鲁
- 一种空间寿命非均匀分布的半导体器件及制作方法
- 本发明提供一种空间寿命非均匀分布的半导体器件，阴极下方的少子寿命低于门极下方的少子寿命。本发明的空间寿命非均匀分布的半导体器件及制作方法，通过优化稳态载流子分布密度，优化关断瞬态的电场分布，提高单个元胞的关断电流能力，从...
- 吴锦鹏曾嵘任春频刘佳鹏李晓钊余占清赵彪屈鲁
- 一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构与测量方法
- 本发明提供了一种提取封装杂散电感参数用的芯片替代结构与测量方法，具体为：所述芯片替代结构包括PCB电路板，所述PCB电路板的其中一面包括阳极面，另一面包括阴极面，所述PCB电路板上焊接有已知容值的贴片电容；所述PCB电路...
- 吴锦鹏刘佳鹏曾嵘沈箫童孟令尧陈政宇黄琦欢马建业武靖博
- 一种功率半导体器件的驱动保护电路及控制方法
- 本发明提供了一种功率半导体器件的驱动保护电路及控制方法，包括开通及关断模块、静态保护单元和动态保护单元，开通及关断模块、静态保护单元和动态保护单元相互并联，均连接有功率半导体器件，且均设置在功率半导体的门极与阴极之间，动...
- 曾嵘余占清陈政宇尚杰赵彪吴锦鹏刘佳鹏屈鲁
- 一种窄脉冲处理结构及其处理方法
- 本发明公开了一种窄脉冲处理结构及其处理方法，该结构包括：电流信号转换单元，用于将器件中检测到的电流转换成电压信号；比较器模块，与所述电流信号转换单元连接，所述比较器模块根据所述电压信号的电压值大小与电压参考值进行比较，并...
- 余占清赵彪曾嵘张龙白睿航陈政宇吴锦鹏屈鲁
- 基于社交媒体的“互联网+”学术交流模式探究--以清华大学“微沙龙”为例
- 移动互联网技术的兴起，深刻改变着现有的教育教学模式。清华大学在研究生学术交流工作中，结合社交媒体，探索基于移动互联网的“O2O”学术交流新模式——“微沙龙”，实现了对传统学术交流模式的有益补充，使随时随地开展学术交流成为...
- 张小平刘博涵吴锦鹏赵璞吕东青
- 关键词：移动互联网O2O
- 被测器件的擎住电流和维持电流的测试平台、方法及系统
- 本公开实施例涉及电力电子器件测试技术领域，公开了被测器件的擎住电流和维持电流的测试平台、方法及系统，所述方法包括：设定测试电压信号I<Sub>DUT*</Sub>；测量被测器件DUT的电压信号I<Sub>DUT</Sub...
- 吴锦鹏王鹏刘洋陈政宇刘佳鹏李立生汪涵于海东张良苗青
- 一种可关断换流器的缓冲均压电路及换流器拓扑结构
- 本发明适用于换流器领域，提供了一种可关断换流器的缓冲均压电路及换流器拓扑结构，所述缓冲均压电路包括缓冲电路和均压电路，所述缓冲电路和均压电路并联；所述缓冲电路包括与可关断器件并联的电容电阻支路和缓冲支路；所述电容电阻支路...
- 余占清曾嵘许超群王宗泽张松陈政宇吴锦鹏刘佳鹏赵彪屈鲁任春频庄池杰
- 面向MMC应用的大功率IGCT器件加速老化试验拓扑研究
- 2025年
- 集成门极换流晶闸管(integrated gate commutated thyristor, IGCT)具有阻断电压高、通流能力强等特点,在柔性直流输电等领域具有广阔的应用潜力,但其在高电压、大通流应力下的可靠性问题,成为限制应用的潜在因素,如何针对不同工况开展加速老化等效测试成为开展可靠性研究的关键瓶颈。文中以模块化多电平换流器(modular multilevel converter,MMC)工况为代表,针对IGCT器件可靠性等效测试难题开展研究。首先分析MMC工况下IGCT器件的暂态电气应力和长期电热应力,分别采用TCAD仿真软件与平均值等效计算模型定量获得IGCT器件在实际工况下的应力大小;其次,基于应力分析结果,提出一种三半桥式两级电流应力加速老化试验拓扑,设计并搭建2 500 V/4 000 A/150 Hz参数的IGCT加速老化试验平台;最后,开展约100 h高压、大电流老化运行试验,验证平台具备长时运行的能力,且等效测试应力达到设计要求。所提出的等效拓扑及其构建方法,不仅解决了MMC工况下IGCT器件的加速老化测试问题,对其他交直流变换工况、其他类型功率半导体亦有很好的参考价值。
- 朱鸿凡吴锦鹏王鹏刘佳鹏陈政宇余占清赵彪曾嵘
- 关键词：集成门极换流晶闸管电力电子
- 半导体器件局部金属电极去除装置及方法
- 本申请提供一种半导体器件局部金属电极去除装置及方法，该装置包括：承片台，承载半导体器件移动至各缺陷标记位置；导电毛刷，固定在承片台上并与半导体器件的门极电极接触；第一探针，与半导体器件的缺陷电极接触；直流电源阳极与第一探...
- 曾嵘刘佳鹏吴锦鹏朱艺颖赵彪屈鲁陈政宇余占清
