您的位置： 专家智库 > >

傅达平

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇功率器件
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体功率器...
  • 3篇外延层
  • 3篇消费电子
  • 2篇单晶
  • 2篇淀积
  • 2篇元胞
  • 2篇气相淀积
  • 2篇热效应
  • 2篇终端
  • 2篇终端设计
  • 2篇介质
  • 2篇开关速度
  • 2篇化学气相淀积
  • 2篇寄生电容
  • 2篇键合
  • 2篇键合工艺
  • 2篇高压器件
  • 2篇横向功率器件

机构

  • 8篇电子科技大学

作者

  • 8篇傅达平
  • 5篇乔明
  • 5篇蒋苓利
  • 5篇张波
  • 5篇段双亮
  • 5篇罗波
  • 3篇胡曦
  • 2篇蒋辉
  • 2篇雷天飞
  • 2篇叶俊
  • 2篇罗小蓉
  • 2篇王元刚
  • 2篇高唤梅
  • 2篇雷磊
  • 1篇赵远远
  • 1篇庄翔
  • 1篇王猛

传媒

  • 1篇电子元器件应...

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
共 8 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
一种BCD器件及其制造方法
一种BCD器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一芯片上同时集成高压nLIGBT、三类高压nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN等半导体器件。其中，高压nLIGBT、nLDMOS和低压NP...
乔明段双亮罗波蒋苓利傅达平张波
文献传递
双面介质槽部分SOI材料的制备方法
本发明公开了一种双面介质槽部分SOI材料的制备方法，和常规键合工艺相比，本发明在键合前增加了如下步骤：1.顶层硅片上硅槽刻蚀；2.SiO<Sub>2</Sub>层的热生长和化学气相淀积；3.刻蚀去除位于源区和沟道区以下的...
罗小蓉雷磊傅达平高唤梅蒋辉雷天飞王元刚
文献传递
一种横向功率器件版图结构
一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区...
乔明胡曦罗波叶俊蒋苓利傅达平段双亮张波
一种横向功率器件版图结构
一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区...
乔明胡曦罗波叶俊蒋苓利傅达平段双亮张波
文献传递
一种BCD器件及其制造方法
一种BCD器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一芯片上同时集成高压nLIGBT、三类高压nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN等半导体器件。其中，高压nLIGBT、nLDMOS和低压NP...
乔明段双亮罗波蒋苓利傅达平张波
一种高压半导体器件及其制造方法
一种高压半导体器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有的具有降场层结构的横向高压DMOS器件结构基础上，在场氧化层(7)和第一导电类型半导体降场层(3)之间增加了一层第二导电类型半导体外延层(5)，同时...
乔明段双亮蒋苓利傅达平罗波张波
文献传递
双面介质槽部分SOI材料的制备方法
本发明公开了一种双面介质槽部分SOI材料的制备方法，和常规键合工艺相比，本发明在键合前增加了如下步骤：1.顶层硅片上硅槽刻蚀；2.SiO<Sub>2</Sub>层的热生长和化学气相淀积；3.刻蚀去除位于源区和沟道区以下的...
罗小蓉雷磊傅达平高唤梅蒋辉雷天飞王元刚
文献传递
应用于负电源的电平位移电路及器件设计
2011年
本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路。实现从0～8V低压逻辑输入到8～-100V高压驱动输出的转换。分析了该电路的结构和工作原理。基于此电路结构设计了满足应用要求的高压薄膜SOI LDMOS器件。分析了器件的工作状态以及耐压机理,并利用工艺器件联合仿真对器件的电学特性进行了优化设计。
傅达平王猛胡曦庄翔赵远远
关键词：电平位移薄膜SOILDMOS负电源
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0