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丰敏

作品数:4 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇扫描隧道显微...
  • 2篇钨丝
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米棒
  • 2篇分子
  • 2篇超高密度信息...
  • 2篇X
  • 1篇有机分子
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇可擦除
  • 1篇类分子
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇分子开关
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇WO
  • 1篇WO3

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇丰敏
  • 3篇高鸿钧
  • 2篇虞红春
  • 2篇张怀若
  • 2篇李建奇
  • 2篇刘飞
  • 2篇陈寒元
  • 2篇刘立宝
  • 1篇季威
  • 1篇杜世萱
  • 1篇时东霞
  • 1篇张德清
  • 1篇朱道本

传媒

  • 1篇物理
  • 1篇电子显微学报

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2005
  • 2篇2004
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
钨丝上原位加热生长的WO_(3-x)纳米棒的结构与缺陷研究
2004年
张怀若刘立宝陈寒元刘飞丰敏虞红春高鸿钧李建奇
关键词:半导体材料扫描电子显微镜
基于Rotaxane类分子的稳定、重复、可反复擦写的纳米信息存储被引量:1
2008年
Rotaxane类分子在溶液中可以发生可逆的分子构型改变,并随之引起分子电导特性的转变,在纳米电子器件和分子存储器件中具有潜在的应用前景.但是还不能确定这类分子在固体薄膜中是否具有类似于在溶液中的结构与电导转变,需要对Rotaxane类分子固态薄膜进行深入的结构和特性研究.文章作者在一类Rotaxane分子H1和H2的固态薄膜上获得了纳米尺度的电导转变和稳定、重复的、近于单分子尺度的纳米级存储;同时,成功地在H2分子薄膜上实现了信息记录点的可反复擦写.另外,在单个分子和亚分子的水平上直接观察到了Rotaxane分子在外电场诱导下分子结构的可逆变化以及随之发生的相应电导特性的可逆转变,证实了Rotaxane分子在固态薄膜中的可逆结构和电导转变.
时东霞丰敏季威杜世萱张德清朱道本高鸿钧
关键词:超高密度信息存储扫描隧道显微镜可擦除
有机分子电导相变及其在超高密度信息存储中的应用
超大规模集成电路的发展很快将使集成在单个硅片上电子元件的尺寸达到传统电路原理不再被遵从的极限尺寸。基于此,人们开始从如何把器件做小,转为考虑直接采用更小的组成单元—分子和原子来构造未来的集成电路。其中,分子开关是分子器件...
丰敏
关键词:分子开关超高密度信息存储扫描隧道显微镜原子力显微镜光致发光
文献传递
钨丝上原位加热生长的WO3-x纳米棒的结构与缺陷研究
WO(x:0~1)是一种优良的光、电、气致色变半导体材料。本研究通过在电化学腐蚀的钨丝针尖上原位加热生长了一系列的样品,发现了一种新奇的WO结构,电子衍射和高分辨研究证明其是一种非常有序的晶体丝织构行为。图1是生长WO纳
张怀若刘立宝陈寒元刘飞丰敏虞红春高鸿钧李建奇
关键词:纳米棒
文献传递
共1页<1>
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