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韩斌

作品数：26 被引量：0H指数：0
供职机构：陕西科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信文化科学医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 7篇纳米
  • 7篇光电
  • 5篇探测器
  • 5篇光电探测
  • 5篇光电探测器
  • 5篇磷
  • 3篇电极
  • 3篇掩模
  • 3篇掩模板
  • 3篇通信
  • 3篇退火
  • 3篇离子束
  • 3篇聚焦离子束
  • 3篇可见光通信
  • 3篇光通信
  • 3篇材料制备技术
  • 2篇等离子体增强
  • 2篇叠层
  • 2篇再结晶
  • 2篇设备价格

机构

  • 26篇陕西科技大学
  • 1篇西安交通大学...
  • 1篇太原理工大学
  • 1篇化工研究院

作者

  • 26篇韩斌
  • 2篇胡雨
  • 1篇许并社
  • 1篇吴胜利
  • 1篇王宁侠
  • 1篇翁雷
  • 1篇董海亮
  • 1篇贺迪
  • 1篇张文斌

传媒

  • 1篇发光学报
  • 1篇陕西教育（高...

年份

  • 5篇2025
  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 5篇2022
  • 6篇2021
  • 4篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2013
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种花状&链状黑磷材料及其制备方法
本发明公开了一种花状&链状黑磷材料及其制备方法，属于黑磷材料制备技术领域，包括以下步骤：S1、将在保护气体氛围下的黑磷取出，并在空气环境中研磨为黑磷粉末，将所述黑磷粉末分散到有机分散剂中，制得分散液；S2、将S1...
许并社张帅郝晓东韩斌马淑芳马寒羽陈昭汝刘青明
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一种常压下硅基锗纳米点的制备方法
本发明公开了一种常压下硅基锗纳米点的制备方法，属于锗纳米点制备技术领域。该制备方法包括清洗硅片；在干燥后的硅片上喷铂金层，将处理好的硅片放到条形容器的一端，另一端放入锗粉，盖上盖子，然后对装有锗粉的一端进行加热，同时向条...
马淑芳魏宇韩斌尚林郝晓东单恒升许并社
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一种金属掩模板及其制备方法和应用
本发明涉及半导体器件制备技术领域，公开了一种金属掩模板及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：S1，以金属片为原材料，将其置于聚焦离子束下；S2，在真空条件下，打开聚焦离子束获取所述金属片的图像，确定金属片需要掩模...
韩斌王光辉许并社马淑芳夏林飞王豆穆含香
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一种等离子体增强MoS<SUB>2</SUB>光电探测器的制备方法
本发明属于可见光通信用光电探测器技术领域，具体涉及一种等离子体增强MoS<SUB>2</SUB>光电探测器的制备方法，包括以下步骤：首先从块状MoS<SUB>2</SUB>上机械剥离出MoS<SUB>2</SUB>薄膜，...
韩斌王豆李国强马淑芳许并社王光辉穆涵香刘博
一种高催化活性纳米二氧化铈的制备方法
本发明公开了一种高催化活性纳米二氧化铈的制备方法，属于纳米材料技术领域，包括以下步骤：制备氢氧化铈悬浮液；将正癸酸加至所述氢氧化铈悬浮液中，在150‑200℃进行预热，紧接着在350‑450℃反应成核并生长，之后快速低温...
郝晓东张帅徐阳许并社马淑芳尉国栋韩斌单恒升
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一种纳米析出强化CoCrNi基高熵合金的处理方法
本发明公开了一种新型纳米析出强化CoCrNi基高熵合金的处理方法，涉及高熵合金技术领域。包括以下步骤：将铸态的CoCrNi基高熵合金，于1150～1250℃均匀化退火1.5～3h后，进行第一次加工形变减薄为铸态合金厚度的...
韩斌夏林飞王光辉
一种新型纳米析出强化CoCrNi基高熵合金的处理方法
本发明公开了一种新型纳米析出强化CoCrNi基高熵合金的处理方法，涉及高熵合金技术领域。包括以下步骤：将铸态的CoCrNi基高熵合金，于1150～1250℃均匀化退火1.5～3h后，进行第一次加工形变减薄为铸态合金厚度的...
韩斌夏林飞王光辉
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一种透明掩模板及其制备方法和应用
本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种透明掩模板及其制备方法和应用，包括以下步骤：S1、在铜胶带和热释放胶带的中心打圆孔，并孔对孔将热释放胶带和铜胶带贴紧，之后在热释放胶带一侧贴PET胶带，制得待加工样品；S2、采用...
韩斌王光辉马淑芳许并社穆涵香刘博王豆胡雨
一种黑磷量子点/纳米片复合材料及其制备方法
本发明公开了一种黑磷量子点/纳米片复合材料及其制备方法，属于复合材料制备技术领域，包括以下步骤：S1：制备黑磷分散液；S2：将S1黑磷分散液分别经过第一步微波处理和第二步微波处理，制得混合物；S3：将S2混合物进行离心处...
韩斌席婷楚阳阳许并社马淑芳郝晓东
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一种InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构的优化方法及其应用
本发明提供了一种InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构的优化方法及其应用，包含GaAs衬底和GaAs间隔层，具体是利用MOCVD方法在GaAs衬底上交替生长量子阱InGaAs和势垒AlGaAs，并在每个InGaAs/A...
马淑芳孔庆波郝晓东许并社韩斌徐阳刘青明张帅
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