章嵩
- 作品数：149 被引量：37H指数：4
- 供职机构：武汉理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺化学工程理学更多>>
- 放电等离子烧结硼-碳系陶瓷被引量：3
- 2007年
- 采用高纯硼粉和碳粉放电等离子烧结工艺(Spark Plasma Sintering technique)烧结了三种不同化学计量比的硼-碳系陶瓷,分别为:B3.5C,B4.0C和B4.5C。用X射线衍射分析了烧结体的物相。结果表明:原始粉末在1300～1600℃合成富硼碳化硼陶瓷(B4C1-x),致密化过程则发生在1700℃～1900℃。用放电等离子烧结成功地在1900℃获得了相对致密度大于95%的碳化硼陶瓷。
- 章嵩杨蕊沈强王传彬张联盟
- 关键词：碳化硼放电等离子烧结致密化
- 一种微波等离子体化学气相沉积制备的三元氮化物涂层及其方法
- 本发明提供一种微波等离子体化学气相沉积制备的三元氮化物涂层及方法，属于涂层制备技术领域。一种微波等离子体化学气相沉积的三元氮化物涂层，所述三元氮化物涂层的分子形式为M<Sub>1‑x</Sub>D<Sub>x</Sub>...
- 王传彬夏禹徐志刚彭健章嵩涂溶沈强张联盟
- 增材制造陶瓷表面化学气相沉积SiC涂层的工艺与性能
- 2025年
- 增材制造技术可实现陶瓷材料复杂构件的整体成形,但构件表面存在“增材痕迹”、多相分布、气孔等缺陷,后续表面精密加工困难,难以满足空间光学探测、半导体制造装备等对高性能碳化硅陶瓷构件的迫切需求。为此,提出化学气相沉积高纯高致密碳化硅涂层修复增材制造陶瓷表面缺陷的新思路。系统研究沉积温度对增材制造碳化硅陶瓷表面涂层硬度、沉积效率、界面结合、微观形貌、可加工性的影响规律。结果表明,随着沉积温度的升高,涂层沉积速率加快,晶粒尺寸和表面硬度增大。但过高的沉积温度会导致涂层内部出现孔隙,致密度降低。沉积涂层与增材基底界面结合良好,当沉积温度1400℃时,界面处生成枝状晶,结合力较大,表面加工性较优。研究采用化学气相沉积涂层方法可有效改善增材制造碳化硅陶瓷的表面质量,为高端装备用高性能碳化硅复杂构件的工程应用奠定了基础。
- 杨辰倩杨文轩孙策章嵩陈鹏刘凯刘凯涂溶杨梅君史玉升
- 关键词：增材制造碳化硅陶瓷化学气相沉积结合力
- 一种调控钕钡铜氧薄膜取向的方法
- 本发明公开了一种调控钕钡铜氧薄膜取向的方法，在传统金属有机物化学气相沉积技术的基础上，进一步引入高能量密度的连续激光，可降低化学反应活化势垒，加快反应速率，并同时保证沉积区域辐射场均匀稳定分布，因此制备的薄膜结构连续均匀...
- 涂溶王凯东章嵩张联盟
- 文献传递
- 一种组分可控的碳化硼薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种在物理气相沉积方法中控制B<Sub>x</Sub>C薄膜成分以及化学计量的脉冲激光沉积方法。本发明在脉冲激光沉积方法的基础上，通过使用石墨-硼二元靶材制备得到薄膜组成与化学计量比均可控的B<Sub>x1</...
- 章嵩贺志强涂溶张联盟王传彬沈强
- 文献传递
- 一种制备碳化硼陶瓷的方法
- 本发明涉及一种制备碳化硼陶瓷的方法，具体步骤包括：第一步、称取硼粉和碳粉，硼、碳摩尔比为0.5－22.5，混合；第二步、将第一步制备的粉料放入模具中送入放电等离子烧结设备中烧结，在真空条件下升温至1300－2200℃；第...
- 张联盟陈刚章嵩王传彬沈强罗国强
- 文献传递
- 自模板法合成银纳米碗
- 2022年
- 采用自模板法合成了碗状银纳米材料,研究了银纳米碗的结构和生长机理。结果表明:AgNO_(3)和NaOH反应生成Ag_(2)O纳米簇,然后加入还原剂甲醛,在Ag_(2)O模板表面形成Ag纳米壳,副产物CO_(2)则在Ag壳内聚集。随着反应的进行,不断增大的压力最终击穿Ag壳,形成了直径约为200 nm的Ag纳米碗。该方法为特殊结构贵金属纳米材料的研究提供了理论和实验基础。
- 卢鹏荐官建国章嵩
- 关键词：贵金属
- 真空浸渍对增材制造SiC陶瓷组织和性能的影响
- 2023年
- 为了获得高性能SiC陶瓷复杂构件,建立了碳纤维增强SiC陶瓷材料的激光增材制造及真空浸渍后处理方法,研究了短切碳纤维酚醛树脂复合粉末材料的设计制备规律及激光增材成形方法,探讨了真空浸渍工艺对激光增材成形SiC陶瓷坯体的微观组织及力学性能的影响。研究表明,随着浸渍次数的增加,SiC陶瓷的体积密度和力学性能先上升后降低。当真空浸渍2次时,树脂残碳密度达0.39 g/cm^(3),反应熔渗后碳化硅体积分数达到最大值(71.4%),材料性能达到最优,相较于未真空浸渍处理的增材制造SiC陶瓷,体积密度提高了13%(2.87 g/cm^(3)),弯曲强度提高了141%(251.8 MPa),断裂韧性提高了41%(3.22 MPa/m^( 1/2))。
- 冯浩孙策刘启明章嵩韩潇涂溶李娇杜艳迎杨丽霞刘凯
- 关键词：SIC陶瓷
- 一种二维三元过渡金属碳化物及其制备方法
- 本发明涉及一种二维三元过渡金属碳化物及其制备方法，所述二维三元过渡金属碳化物具有单晶结构，内部各种元素分布均匀，平面尺寸为10～100μm。本发明提供的二维三元过渡金属碳化物平面尺寸较大，具有单晶结构，且厚度及尺寸可通过...
- 章嵩 张翅腾飞徐青芳 李宝文涂溶
- 一种碳化硅薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种立方碳化硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：将清洗后的基板放入冷壁式激光化学气相沉积装置的基板座上，抽真空；通入适量氩气；打开激光照射基板表面，待基板温度升至设定沉积碳化硅薄膜的温度，并保持稳定；打开含有HMD...
- 章嵩徐青芳涂溶张联盟
