您的位置： 专家智库 > >

祝英英

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：南昌大学理学院化学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金江西省教育厅资助项目更多>>
相关领域：理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇化合物
  • 1篇氮杂
  • 1篇氮杂环
  • 1篇氮杂环卡宾
  • 1篇丁基
  • 1篇亚胺
  • 1篇杂环
  • 1篇杂环卡宾
  • 1篇叔丁基
  • 1篇气相沉积
  • 1篇钽化合物
  • 1篇氯合
  • 1篇介电常数
  • 1篇金属
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇过渡金属
  • 1篇高介电常数
  • 1篇高介电常数材...
  • 1篇氨基

机构

  • 2篇南昌大学

作者

  • 2篇祝英英
  • 1篇罗光明
  • 1篇张冬腾
  • 1篇蔡琥

传媒

  • 1篇无机化学学报

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
叔丁基亚胺四氯合钽(Ⅴ)阴离子配合物[IPrH]^+[~tBuN=TaCl_4(py)]^-的合成与表征
2013年
[tBuN=TaCl3(py)2]和氮杂环卡宾(IPr=1,3-bis(2,6-diisoproylphenyl)imidazol-2-ylidene)的反应得到预料之外的叔丁基亚胺四氯合钽髨阴离子配合物[IPrH]+[tBuN=TaCl4(py)]-(1)。利用核磁共振波谱,红外吸收光谱,荧光光谱,元素分析和X-Ray单晶衍射对配合物1的结构进行了表征。X-射线单晶衍射分析表明,Ta(V)中心与4个氯和2个分别来自亚胺和吡啶配体的氮原子以八面体构型配位。
张冬腾祝英英罗光明蔡琥
关键词：亚胺氮杂环卡宾钽化合物
d0前期过渡金属氨基化合物的合成及结构表征
纳米时代,发展新型的高介电常数(high-k)电介质材料以取代沿用至今的二氧化硅作为闸极电介质是当前微电子材料领域所面临的最大技术挑战之一。金属烷氧化合物、硅基化合物和氨基化合物的CVD反应已经用来制备这些材料,但是,C...
祝英英
关键词：化学气相沉积高介电常数材料
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0