- 初论非接触IC卡技术被引量：21
- 1999年
- 文章介绍了非接触卡技术及其在国内外发展概况。最后介绍了三种典型的非接触卡产品。
- 杨肇敏张忠会
- 关键词：IC卡非接触IC卡铁电存储器
- 密码技术在智能卡中的应用被引量：22
- 2000年
- 在智能卡的应用与推广中，保密机制是十分关键的，而密码技术的引入则能有效的提高智能卡的安全水平。文章介绍了智能卡中常用的几种加密算法，如ＤＥＳ、ＲＳＡ，另外，对密码技术在智能卡中的一些典型应用，如电子签名、信息保护等，也作了概括说明。
- 李国新杨肇敏张忠会
- 关键词：智能卡密码学DESRAS密码
- 模型参数对双极管差分对延时的影响
- 1998年
- 本文结合我们所开发的两种ＢｉＣＭＯＳ工艺，讨论了双极管模型参数对双极管差分对的影响．采用电荷控制法，推导得出了双极管差分对的延时公式．该公式物理意义明确直观，能清楚地解释双极管各模型参数、工作条件等因素对双极管差分对延时的影响，并能指导电路设计和工艺制造；最终公式中全部使用ＰＳＰＩＣＥ参数，便于计算；该公式虽然只讨论了三个电容（发射结电容、集电结电容和衬底结电容）、三个电阻（发射极电阻、集电极电阻、基极电阻）、正向渡越时间和正向电流放大倍数八个参数，但其计算结果与ＰＳＰＩＣＥ模拟结果呈现出良好的一致性．该公式适用于各种ＢｉＣＭＯＳ工艺和双极工艺（包括多晶硅发射极工艺），对不同模型参数、不同电压放大倍数、不同负载条件下的电流－延时关系曲线的计算结果，与ＰＳＰＩＣＥ模拟结果相比，大多数情况下误差小于１０％．
- 代铁军杨肇敏
- 关键词：双极晶体管模型参数差分放大器
- 高速BiCMOS技术
- 1990年
- 本文描述了一种可用于集成系统的高速BiCMOS技术。采用双埋层、双阱和外延结构,应用2μm设计规则,成功地将NPN器件和CMOS器件制作在同一芯片上。得到了满意的单管性能。在大负载条件下,BiCMOS反相器门的速度比普通CMOS反相器门快得多。
- 赵巍杨肇敏徐葭生
- 关键词：集成电路CMOS工艺
- IC卡技术概述被引量：4
- 1997年
- 本文说明了ＩＣ卡相对于磁卡的优越性，随后论述了ＩＣ卡的定义、分类、应用领域以及ＩＣ卡的国际标准和安全性等相关的重要概念。
- 宋延海杨肇敏
- 关键词：IC卡智能卡磁卡金卡工程
- IC卡技术被引量：1
- 1998年
- 自1993年6月金卡工程启动至今的五年中,金卡工程已取得了可观的成绩。IC卡不仅作为电子货币应用于金融领域,而且广泛地应用于电信、交通、商贸、旅游、社会保险、计划生育、企业管理、税收征管、组织机构代码、医疗保险、银行帐户管理、公共事业收费(如电表卡、煤气卡、加油卡)等非金融领域。目前我国已陆续开发成功多种IC卡芯片、模块、读写设备以及智能卡操作系统COS等,有的已批量生产和投入实际应用,其中主要有:华旭金卡有限责任公司与清华大学微电子所及计算机系联合研制成功我国第一张具有自主版权、自行设计和制造的中华IC卡;上海贝岭微电子制造股份公司制造成功2K位逻辑加密IC卡;中国华大集成电路设计中心研制成功我国第一块具有自主版权的2K CPU卡用芯片和操作系统;清华大学微电子所开发成功我国第一块具有自主版权的只读式非接触IC卡芯片;长城计算机软件与系统公司开发成功96K字节的CPU卡。
- 杨肇敏张忠会
- 关键词：非接触卡IC卡技术读写器读写设备金卡工程校园卡
- NMOS短沟DD结构热载流子效应的研究被引量：3
- 1989年
- 本文描述制作和研究有效沟长为1μm的砷-磷双注入NMOS管(简称DD管).用工艺模拟和器件模拟程序计算和优化了工艺.实验结果与模拟结果完全一致,说明在相同有效沟道长度下DD结构比普通NMOS管的热载流子效应小.
- 杨肇敏徐葭生
- 关键词：MOS管热载流子效应NMOS
- BiCMOS比较器宏单元被引量：1
- 1992年
- 本文描述了两种结构的BiCMOS比较器宏单元的设计和制造.制成的五种比较器均达到了设计要求:静态功耗小于5mW,灵敏度优于5mV,模拟得到最高采样时钟频率为60MHz.(C_L=5pF).在与同类全 CMOS比较器比较中充分显示了 BiCMOS结构的优越性.
- 杨肇敏乌力吉徐葭生
- 关键词：MOS器件模-数转换器
- IC卡发展新动向
- 1999年
- 杨肇敏
- 关键词：IC卡集成电路
