本田博司
- 作品数：6 被引量：10H指数：2
- 供职机构：九州大学更多>>
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- 相关领域：化学工程动力工程及工程热物理理学电子电信更多>>
- 芯片表面微翅片强化FC-72流动沸腾传热被引量：2
- 2004年
- 为采用高效传热技术来提高芯片的冷却效率 ,保证芯片的正常工作 ,研究了不带电介质FC 72在微翅片尺寸 (厚度×翅片高 )分别为 5 0μm× 190μm ,5 0μm× 2 5 0μm ,10 0μm× 15 0μm和 10 0μm× 30 0μm的 4种强化面芯片表面的流动与沸腾传热性能 ,探讨了FC 72过冷度对沸腾传热的影响 ,并与光滑面芯片的沸腾传热性能进行了对比 .实验结果表明 ,随着FC 72过冷度的增大 ,所有实验芯片的临界热流密度增大 .强化面芯片的临界热流密度所对应的壁温低于 85℃ ,而光滑面芯片的临界热流密度所对应的壁温高于85℃ .在相同过冷度下 ,强化面芯片的最大热流密度是光滑面芯片的 7～ 9倍 ,表明微翅片结构能显著地强化不带电介质FC
- 张正国余昭胜方晓明本田博司
- 关键词：芯片FC-72沸腾传热
- 自然循环回路内芯片的强化沸腾换热研究
- 2007年
- 针对电子器件的高效冷却问题,对自然循环回路系统内表面加工有方柱形微结构的硅片上FC-72的强化沸腾换热性能进行了实验研究。测试了两个芯片,其表面上的方柱形微结构的边长均为30μm,但高度分别为60μm和200μm。沸腾介质的过冷度设为10 K、25 K和35 K。随着壁面过热度的增加,微结构表面芯片上的热流密度急剧增加且临界热流密度时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的临界上限温度85℃,这与其在池沸腾换热中的特点一样。但临界热流密度值与池沸腾情况相比有所降低。
- 魏进家权晓波本田博司
- 关键词：自然循环
- 自然循环回路系统内芯片强化沸腾换热的实验研究
- 本文针对电子器件的高效冷却问题,对自然循环回路系统内表面加工有方柱形微结构的硅片上FC-72的强化沸腾换热性能进行了实验研究.测试了两个芯片,其表面上的方柱形微结构的边长均为30μm,但高度分别为60和200μm.沸腾介...
- 魏进家权晓波本田博司
- 关键词：自然循环
- 文献传递
- 基于微肋管的微沟槽表面薄液膜沸腾理论模型被引量：3
- 2004年
- 本文提出了基于微肋管的薄液膜蒸发沸腾的输运现象数学模型及其有限差分求解方法。数值模拟结果表明,在蒸发扩张半月形液膜中,非蒸发液膜区域液膜形状主要取决于分子膨胀压力;在薄液膜区域与非蒸发区域的连接处存在着一个强烈的蒸发点,这是膨胀压力和表面张力共同作用的结果;在本征半月形液膜区域压力梯度几乎完全取决于表面张力,因而在该区域内液膜形状可以假定为圆弧形状。
- 王跃社周芳德本田博司
- 关键词：微肋管蒸发薄液膜
- 带有表面微结构的芯片上FC-72的强化沸腾换热
- 本文针对电子器件的高效冷却问题,对表面加工有微结构的硅片上FC-72的池沸腾换热性能进行了实验研究.测试了四种表面微结构,采用化学蒸汽沉积法在芯片表面生成一薄层SiO2形成的亚微米粗糙度,采用喷溅方法在芯片表面生成一薄层...
- 魏进家本田博司
- 关键词：微结构沸腾换热电子器件
- 文献传递
- 微结构表面上FC-72的强化沸腾换热研究被引量：6
- 2006年
- 针对电子器件的高效冷却问题,对表面加工有微结构的硅片上FC-72的池沸腾换热性能进行了实验研究。测试了四种表面微结构,采用化学蒸汽沉积法在芯片表面生成-SiO2薄层所形成的亚微米粗糙面(Chip CVD),采用溅射方法在芯片表面生成-SiO2薄层,然后再对SiO2层进行湿式腐蚀技术处理形成的亚微米粗糙面(Chip E),采用一系列微电子加工技术生成的微米级双重入口洞穴(Chip CAVITY)以及采用干式腐蚀方法生成的方柱微结构(Chip PF)。实验所得的沸腾曲线表明,所有微结构表面与光滑面(Chip S)相比都显示出较大的强化沸腾换热效果,临界热流密度按芯片 S、E、CVD、CAVITY和PF的顺序增大。对于芯片PF来说,随着壁面过热度的增加,热流量呈剧烈的增加趋势且临界热流密度时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的临界上限温度85℃,最大临界热流密度可达80 W／cm2。
- 魏进家本田博司
- 关键词：电子器件微结构
