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张阳

作品数：3 被引量：36H指数：3
供职机构：北京理工大学更多>>
发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 2篇金刚石薄膜
  • 1篇电子发射
  • 1篇蒙特卡罗模拟
  • 1篇负电子亲和势
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇CVD
  • 1篇ECR
  • 1篇MONTE_...
  • 1篇MORSE势
  • 1篇场电子发射

机构

  • 3篇北京工业大学
  • 3篇北京理工大学

作者

  • 3篇陈光华
  • 3篇张阳
  • 1篇朱鹤孙
  • 1篇宋雪梅
  • 1篇张生俊
  • 1篇杨宁

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇北京工业大学...
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 3篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
薄膜生长的理论模型与Monte Carlo模拟被引量：30
2000年
用MonteCarlo方法模拟了薄膜的二维生长 .引入Morse作用势描述粒子间的相互作用情况 ,研究了相互作用范围α对薄膜生长初期形貌的影响 .薄膜的生长经历了由临界核的形成、团的长大、形成迷津结构到连续成膜 4个阶段 .模拟结果表明 ,随着沉积粒子数的增加 ,成团粒子所占百分比下降 .这与实际情况相符 .
杨宁陈光华张阳公维宾朱鹤孙
关键词：薄膜生长MORSE势蒙特卡罗模拟
大尺寸单晶金刚石薄膜的外延生长被引量：3
2000年
用电子回旋共振等离子体增强的化学汽相沉积法，在单晶硅衬底上外延生长出了近于１００μｍ＾２的单晶金铡薄膜。使用的原一体是高纯的氢气和甲烷，生长前没有对衬义 划痕和研磨等预处理。生长中是把衬底放在ＥＣＲ共振区，并施加了射频负偏压。研究证实，在单晶金刚石石薄膜的外延中，硅衬底表面形成高质量结晶的β－ＳｉＣ过滤层的形成是致关重要的条件。
张阳陈光华
关键词：金刚石薄膜CVDECR
新型金刚石薄膜场电子发射的特性被引量：3
2000年
介绍了用微波ＣＶＤ法制备的一种新型低阈值电压大电流密度金刚石薄膜场发射冷阴极，阈值电压低于１．０９ Ｖ／μｍ，场发射电流密度高达４１８ ｍＡ／ｃｍ２，这是目前文献中报道的最好结果之一．文中还探讨了金刚石薄膜场电子发射机制．
陈光华张生俊宋雪梅李英兰张阳
关键词：金刚石薄膜场电子发射负电子亲和势
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共1页<1>
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